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電子發燒友網>存儲技術>東芝PK三星 正式推出96層3D NAND旗艦產品XG6

東芝PK三星 正式推出96層3D NAND旗艦產品XG6

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2019-06-05 14:34:488949

三星3D相機注冊新商標 Note10或有3D TOF相機?

三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標,據推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519

回顧三星96V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設計與優化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632

三星宣布全球第一個投產超1003DNAND 數據傳輸速率為業內最快

3D NAND可以簡單理解為“蓋樓”,在占地面積固定的情況下, 樓層越高,容量也就越大。今天(8月6日),三星宣布全球第一個投產超1003D NAND
2019-08-06 16:14:173451

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04981

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251778

1443D NAND將引領閃存容量的重大革命

英特爾透露,2019年第四季度將會推出963D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出
2019-10-11 10:36:321449

三星3D弧形屏專利曝光,未來的手機長這樣

在手機屏幕的邊框不斷收窄、屏占比不斷攀升的當下,各大廠商越來越重視為用戶提供更好的沉浸式體驗,據悉,三星將在明年初推出Galaxy One全新高端旗艦手機系列,該系列將采用三星最新的3D屏幕技術。
2019-11-19 16:05:544227

三星擴大西安3D NAND工廠設施,新投資數十億美元

根據AnandTech的報道,三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458

三星960 Evo硬盤來襲,擁有全新架構和高端性能

固態硬盤市場的霸主三星,是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的,也是目前技術最強的,已經發展了代V-NAND閃存,堆棧層數達到了48
2019-12-22 11:19:011517

東芝存儲對3D XPoint前景不看好,性價比比不上XL-Flash

至于原因,東芝認為3D XPoint成本太高,在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術,現在市面上96堆疊的閃存已經大量涌現,可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123

長江存儲表示1283D NAND技術會按計劃推出

據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的1283D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,1283D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128技術會按計劃在2020年推出
2020-04-08 15:09:152895

三星正在研發160及以上的3D閃存

據了解,136第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星為什么部署3D芯片封裝技術

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存

NAND 采用緊湊型設計,裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%。 據悉,美光 176 三層單元 (TLC) 3D NAND 已在美光
2020-11-12 13:04:572623

美光發布1763D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176堆疊。預計通過美光全新推出的1763D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

三星預計2021年4月份推出176或者更低一些的160閃存

3D閃存技術上,作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的,堆棧層數也是最多的,不過美光日前率先推出了176堆棧的 3D閃存,進度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

3D NAND技術堆疊將走向何方?

發展至今,NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發布128TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583

三星Galaxy Buds Pro曝光:支持3D音頻

的同時,三星還將帶來一款全新的耳機產品——Galaxy Buds Pro,除了已知支持主動降噪功能外,該產品其他功能也于近日曝光。 近日,Reddit用戶@TheBone在一款疑似三星耳機的APP中發現,Galaxy Buds Pro支持3D音頻、頭部檢測、自動環境音和聽力增強等功能。 據悉,
2020-12-21 15:20:382203

鎧俠和西部數據推出第六代1623D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代1763D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出1623D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣1443D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

長江正式打破三星壟斷,1923D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32NAND閃存,以及64堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星要把3D NAND堆到1000以上

3D設計引入了多晶硅和二氧化硅的交替,并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF),區別在于FG將存儲器存儲在導電中,而CTF將電荷“捕獲”在電介質中。這種3D設計方式不僅帶來了技術性能的提升,而且還進一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638

三星:2030年3D NAND將進入1000以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產超3003D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

三星推出GDDR7產品及280堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星即將量產290V-NAND閃存

據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品,采用290雙重堆疊技術

作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236增至290,主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解,三星計劃于明年推出第十代NAND芯片,采用重堆疊技術
2024-04-28 10:08:011536

三星電子研發163D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是發展至8水平。
2024-05-22 15:02:201617

三星已成功開發163D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出163D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8
2024-05-29 14:44:071398

三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務

近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000

電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現3D NAND的1000堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超10003D NAND存儲器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:008061

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