電子發燒友網綜合報道，據韓媒報道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產品的質量測試，正就量產供應展開磋商。當前協商的供應量按容量計算約為10億Gb級別左右，量產時間預計最早從今年下半年延續至明年。目前博通憑借自有半導體設計能力，正為谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

此外，三星電子也積極推進向亞馬遜云服務（AWS）供應HBM3E 12層產品，近期已在平澤園區啟動實地審核。AWS計劃明年量產搭載該存儲器的下一代AI芯片"Trainium 3"。

7月8日，三星電子在韓國公布2025年第二季度運營利潤為4.60萬億韓元，低于分析師預期的6.18萬億韓元；銷售額為74.00萬億韓元，也低于預期的75.77萬億韓元，主要因美國制度和庫存問題導致非記憶芯片業績下滑。

三星電子已在位于平澤的P1和P3生產線上量產HBM3E 12層。三星此前設定目標，計劃將今年HBM總供應量擴大至上年兩倍的80-90億Gb水平。

但韓媒報道，三星電子已于第二季度末減少了12層HBM3E的產量。三星電子今年第二季度HBM3E 12層硅片的產量預計平均每月7萬至8萬片。 然而，三星電子在第二季度末大幅減少了晶圓投入，目前的產量為每月3萬至4萬片。

原因是原本計劃在今年年中向英偉達供應該產品，但隨著談判的拖延，下半年需求的不確定性加劇。三星電子最初的目標是在6月份完成測試，但測試或將最遲在9月份完成。業內人士表示，發熱問題仍在討論中。

市場研究機構伯恩斯坦分析預計，到2025年SK海力士仍將以57%的占有率保持領先，但三星(27%)和美光(16%)的追趕將使市場格局更趨均衡。

最近，三星開始向AMD供應其 12 層HBM3E。該公司還與多家客戶合作開發定制的 HBM4 產品，預計該產品將從明年開始為公司帶來收入。

其他廠商方面，SK海力士展示HBM4技術，其容量可達48GB，帶寬高達2.0TB/s，I/O速度為8.0Gbps，SK海力士表示計劃在2025年下半年進行量產。SK海力士還擁有全球首例16層HBM3E技術，帶寬為1.2TB/s。另外，美光科技已將12層堆疊36GB HBM4送樣給多家主要客戶，是繼SK海力士后第二家宣布出貨HBM4的業者。美光HBM4預計將于2026年量產，以配合客戶下一代AI平臺的擴產進度。

三星芯片業務負責人全永鉉在3月股東大會上承認，HBM市場的早期失利導致落后于SK海力士，并承諾在HBM4領域絕不再重蹈覆轍，這款下一代內存將應用于英偉達的Rubin GPU架構。

現階段，三星一方面與英偉達就12層HBM3E的認證還需要時間，另一方面全球科技巨頭的ASIC自研芯片為三星提供了HBM3E出貨的新途徑。