電子發燒友網綜合報道，據報道，有業內人士透露，三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品，目前已經通過了初步的質量測試，將于本月底進入預生產階段。如果能通過英偉達最后的驗證步驟，最早可能在11月或12月開始實現大規模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。

三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價，傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價，三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。

近日消息，SK海力士已向英偉達小批量供應HBM4，以支持英偉達的下一代AI加速器RubinGPU的出樣計劃。據悉，英偉達計劃在2025年9月推出RubinGPU的樣品，而SK海力士則提前調整供應節奏，以滿足這一緊迫需求。

除了英偉達之外，SK海力士7月1日表示，正在與英特爾就GaudiAI加速器相關的HBM進行合作，SK海力士的第6代高帶寬內存（HBM4）有可能安裝在英特爾JaguarShoresAI顯卡加速器產品中。

美光已經向多家主要客戶提供其最新研發的12層堆疊36GBHBM4內存樣品。美光的12層堆疊36GBHBM4內存采用成熟的1β（1-beta）DRAM制程，并結合先進的12層封裝技術。與之前的產品相比，HBM4每個內存堆疊的傳輸速率超過2.0TB/s，性能較前一代產品提升超過60%。美光HBM4內存的2048位元接口為AI加速器提供了更廣泛的帶寬，顯著提高AI推理的速度。

美光在發布會上透露，HBM4內存的生產進程已經與客戶下一代AI平臺的準備進度緊密配合，旨在確保無縫集成，并適時擴大產量以滿足市場需求。

近日，美光首席商務官SumitSadana表示，與客戶就2026年HBM供貨量談判取得顯著進展。12層HBM3E良率提升速度遠超8層，12層產品出貨量已超過8層。預計明年供應產品大部分為12層的HBM3E，也可能包含HBM4。

另據韓媒報道，三星電子正在加緊招聘經驗豐富的高帶寬存儲器(HBM)專家。此次招聘的目標是招募下一代半導體和芯片封裝技術領域的經驗豐富的工程師，包括混合鍵合，這一工藝被視為提高人工智能和其他計算應用性能的關鍵。與之相對應的是，三星電子正在縮減其表現不佳的晶圓代工部門的招聘規模。

具體來說，三星正在尋找能夠為先進HBM設計新架構的封裝開發專家，而產品規劃人員則負責與對定制HBM感興趣的客戶進行溝通。定制HBM指的是垂直堆疊DRAM產品的一種版本，其底層芯片配備了客戶指定的功能。預計三星電子最早將于明年將定制HBM推向市場。