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電子發燒友網報道（文/吳子鵬）在半導體存儲行業的常規邏輯中，新一代產品面世前夕，前代產品降價清庫存是常規定律，但如今HBM（高帶寬內存）將打破這一行業共識。據韓媒最新報道，三星電子和SK海力士已上調明年HBM3E價格，漲幅接近20%。此次漲價背后，是AI算力需求爆發與供應鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達H200、谷歌TPU、亞馬遜Trainium等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持續擴大。與此同時，存儲廠商正將產能轉向更先進的HBM4，進一步擠壓了HBM3E的生產資源。

供需失衡：HBM3E漲價背后的市場邏輯

從當前最新消息來看，2026年本該是HBM4的“主場”。報道顯示，本月10日，SK海力士已與英偉達（NVIDIA）就HBM4芯片的供貨量完成協商，并已投入量產。三星方面，其存儲業務執行副總裁金在俊（Kim Jae-joon）此前表示，三星的HBM4開發工作正按計劃推進，將于2025年下半年實現量產，并預計2026年啟動商業供應。此外，公司正與多家客戶合作開發基于HBM4及增強型HBM4E的定制版本。 HBM4是JEDEC固態技術協會于2025年4月16日通過JESD270-4規范確立的第四代高帶寬內存標準，主要面向人工智能、高性能計算及高端顯卡領域。該標準采用2048位接口，傳輸速率達8Gb/s，總帶寬2TB/s，支持4/8/12/16層DRAM堆棧，單堆棧最大容量64GB，通道數量增至32個，并引入0.7V-0.9V VDDQ電壓與1.0V-1.05V VDDC電壓選項。HBM4將實現架構層面的革新：新標準引入的邏輯層集成設計，允許在內存堆疊中嵌入可編程計算單元，使內存具備基礎算力功能。這一變革將推動“內存中心計算”架構落地，在AI推理場景中可減少30%的數據搬運量，顯著降低系統能耗。 KB Securities數據顯示，以ASIC廠商為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量有望較2025年暴增3倍，預計將達到111億Gb。需求端呈現多點開花態勢：英偉達H200芯片每顆需搭載6顆HBM3E；谷歌第七代TPU每顆搭載8顆HBM3E；亞馬遜Trainium則搭載4顆HBM3E。具體來看谷歌第七代TPU，該產品配備192GB HBM3E顯存，帶寬達7.37 TB/s，采用3D堆疊封裝技術集成雙計算核心與內存模塊。出貨計劃方面，谷歌第七代TPU已于2025年發布并啟動商用，其AI推理性能顯著提升，單顆算力達4614 TFLOPS（FP8精度）。不出意外，2026年搭載該TPU的算力服務器將大規模出貨，進一步帶動HBM3E用量增長。然而，供應端正面臨產能調整的陣痛。三星與SK海力士正全力推進HBM4產能建設，預計2026年HBM4將占HBM市場營收的55%，而HBM3E占比將降至45%。KB Securities分析師指出：“從2026年第三季度開始，HBM4將快速承接HBM3E的需求，但在此之前，HBM3E的供應將持續緊張。”在此背景下，兩大廠商難以大幅提升HBM3E產能，導致供應無法匹配激增的需求，最終催生了近20%的漲價溢價。

行業格局重塑：HBM市場進入新周期
HBM3E的逆勢漲價并非孤立事件，而是全球存儲行業進入“超級周期”的必然結果。自2025年第三季度起，存儲芯片行業開啟史無前例的上行周期。TrendForce數據顯示，2025年第三季度DRAM產業營收季增30.9%，達414億美元；NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元。這一輪超級周期的核心驅動力，是供需失衡的結構性矛盾。其中，DRAM的增長主要得益于一般型DRAM合約價格上漲、出貨量增加以及HBM出貨規模擴張。隨著存儲芯片從消費電子的“成本部件”升級為AI基礎設施的“戰略物資”，單臺AI服務器的存儲配置達1.7TB，而傳統服務器僅需0.5TB。這種“吞噬式需求”徹底顛覆了存儲市場的傳統供需邏輯。三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產能向HBM、DDR5等高端存儲產品傾斜，甚至完全停產DDR4、DDR3等前代產品。美光更是宣布退出消費級業務，將全部資源集中于數據中心等高利潤領域。高端產能的爭奪已成為行業競爭的核心。目前，三星、SK海力士和美光在DRAM市場的合計份額超94%，在HBM領域更是占據壟斷地位。此次HBM3E提價，本質上是頭部廠商憑借產能優勢掌握定價權的體現，且這一輪漲價潮已顯著提振三巨頭的業績。“這不僅是一次價格調整，更是HBM市場進入高速增長期的標志。”一位存儲產業分析師表示，“隨著AI芯片需求激增，HBM已成為AI服務器的核心組件，其重要性不亞于GPU。” HBM3E漲價的漣漪效應正沿產業鏈持續擴散。對于下游AI芯片廠商、服務器廠商而言，存儲成本飆升將大幅擠壓利潤空間。目前，聯想、戴爾等終端廠商已開始上調產品價格，部分廠商甚至選擇降低配置以緩解成本壓力，最終可能抑制消費端需求，形成反向調節。聯想集團董事長兼CEO楊元慶在聯想集團2025/2026財年第二季度業績發布會上表示，內存、閃存、固態硬盤等零部件的短缺和價格上漲并非短期現象，未來一年都將維持這一態勢，但聯想相比競爭對手具備更強的應對能力。對于國產存儲廠商而言，這場行業變局卻孕育著重要機遇。海外巨頭向高端產能轉移，導致中低端存儲市場出現供給缺口，為本土企業騰出了市場空間。

結語

HBM3E的逆勢漲價，既是AI算力需求爆發與供應鏈結構性失衡共同作用的必然結果，更是存儲行業從消費電子配套向AI戰略核心轉型的鮮明注腳。當前，全球存儲行業的“超級周期”已全面開啟，供需邏輯重構與產能結構升級正重塑市場格局：頭部廠商憑借技術與產能優勢鞏固定價權，產業鏈上下游則在成本壓力與需求紅利中尋求平衡。對于國產存儲企業而言，海外巨頭向高端產能傾斜帶來的中低端市場缺口，無疑是實現突圍的關鍵窗口期。?

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HBM3E反常漲價20%，AI算力競賽重塑存儲芯片市場格局

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