9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發(fā)展 3D NAND是當(dāng)前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說(shuō)
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Western Digital和Kioxia宣布成功開(kāi)發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開(kāi)始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 蘋(píng)果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 ，重量輕，強(qiáng)度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案，讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看，這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤(pán)。它
2020-08-28 18:24:143933 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
3D Experience — 產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺(tái)
2021-01-08 07:30:52
128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
成功，認(rèn)真投入3D技術(shù)研發(fā)，而且正要進(jìn)入量產(chǎn)的一個(gè)工廠--武漢存儲(chǔ)基地，原本計(jì)劃的是一個(gè)10萬(wàn)片產(chǎn)能的平面一層工廠，現(xiàn)在可以做15萬(wàn)，2019年這個(gè)廠也將真正進(jìn)入量產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-06-30 16:43:40832 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開(kāi)發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1396142 
無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說(shuō)明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没瑖?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:161646 7月20日，東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開(kāi)發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達(dá)1.33Tb，預(yù)計(jì)將在2018下半年開(kāi)始批量出貨，并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷(xiāo)售的消費(fèi)級(jí)閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:011063 
昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講，我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道，這次他們的介紹更加詳細(xì)，我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 快閃存儲(chǔ)器（NANDFlash）控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111－S11T于本月正式出貨。
2018-09-11 16:49:002540 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤(pán)主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522545 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開(kāi)發(fā)并開(kāi)始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元
2019-09-03 10:07:021788 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品，而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來(lái)3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候，我們知道，真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071248 NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:175331 根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495929 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開(kāi)始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號(hào)為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級(jí)，可以作為機(jī)械硬盤(pán)的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 追求存儲(chǔ)密度以降低存儲(chǔ)成本不斷推動(dòng)著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時(shí)代，跨越MLC、TLC向QLC時(shí)代快速演進(jìn)，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達(dá)128層堆疊。
2020-04-14 15:28:032795 
對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō)，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 上周中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國(guó)產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn)，三星等公司也沒(méi)閑著，三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014518 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1021165 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 龍宇燃油公布，合同已經(jīng)公司于2020年4月10日召開(kāi)的第四屆董事會(huì)第二十九次會(huì)議審議通過(guò)，根據(jù)《公司章程》的規(guī)定，該合同無(wú)需提交股東大會(huì)批準(zhǔn)。該合同標(biāo)的位于北京市順義區(qū)臨空經(jīng)濟(jì)核心區(qū)天柱西路8號(hào)，雙方因其業(yè)務(wù)發(fā)展的需要，由北京金漢王技術(shù)有限公司在位于北京市順義區(qū)臨空經(jīng)濟(jì)核心區(qū)天柱西路8號(hào)的數(shù)據(jù)中心向阿里云計(jì)算有限公司提供數(shù)據(jù)中心托管服務(wù)。
2020-09-18 11:06:282732 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫(xiě)）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開(kāi)始批量生產(chǎn)
2020-11-13 14:25:132185 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō)，存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息，在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上，英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤(pán) 670p，采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過(guò)對(duì)于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 此前4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:203430 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開(kāi)始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在全球存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341553 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道長(zhǎng)江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注，其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存，容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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