作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國(guó)首家進(jìn)軍高端NAND閃存行業(yè)的公司，此次揭曉的XtackingTM新型架構(gòu)技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的上市周期。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將于圣克拉拉會(huì)議中心（加利福尼亞州，美國(guó)）發(fā)表《創(chuàng)新架構(gòu)，釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。屆時(shí)，楊士寧博士將會(huì)介紹此項(xiàng)技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。

XtackingTM技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品，如UFS、消費(fèi)級(jí)及企業(yè)級(jí)SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業(yè)伙伴以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的合力幫助下，XtackingTM將為高性能的智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用展開(kāi)新篇章。

XtackingTM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

關(guān)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）成立于2016年7月，總投資額240億美元。長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家集芯片設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售服務(wù)于一體的存儲(chǔ)器解決方案企業(yè)，總部位于湖北武漢。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球客戶提供先進(jìn)的存儲(chǔ)產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)借助全資子公司武漢新芯超過(guò)10年的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)模式，已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借全球分布的研發(fā)中心和超過(guò)3000名國(guó)際化員工，力爭(zhēng)憑創(chuàng)新實(shí)力成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。