作為NAND行業的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。

采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨立加工負責數據輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。

當兩片晶圓各自完工后，創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道）將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

業內知名人士Gregory Wong認為：“隨著3D NAND更新換代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續提升，更快的NAND輸入輸出速度及多plane并行操作功能將是必須的。”

長江存儲CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND輸入輸出速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技術我們有望大幅提升NAND 輸入輸出速度到3.0Gpbs，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。”

傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。

Xtacking?技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了并行的、模塊化的產品設計及制造，產品開發時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。

長江存儲已成功將Xtacking?技術應用于其第二代3D NAND產品的開發。該產品預計于2019年進入量產階段。通過與客戶、行業合作伙伴和行業標準機構的合作，Xtacking?技術將應用于智能手機、個人計算、數據中心和企業應用等領域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。