比特位的技術），實現了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數據。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發聯盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151919 ，只有一層的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情況下增加容量。然而，在像高層建筑物中那樣允許單元（NAND的最小單位）沿3D方向存儲的3D NAND中，容量可以隨著
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 2020年下半年制造48層的3D NAND存儲。然后，該公司計劃在2021年開始出貨96層3D NAND，并在2022年開始出貨192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進技術是其19納米
2019-12-14 09:51:295966 三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:14:521228 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 西數公司日前表示今年會試產512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領域人才和技術，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 據海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND，但3D NAND生產良率不如預期，2D NAND供給量又因產能排擠縮小，NAND Flash市場出現貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數據為全新的半導體設施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:293528 在三星、東芝存儲器（TMC）、西部數據、美光、SK海力士等3D技術快速發展的推動下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 作為業內首款128層QLC規格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在內的多個應用領域的增長。 ? ? 鎧俠的BiCS FLASH是一種三維（3D）垂直閃存單元結構。鎧俠的TLC 3位/單元1Tb （128GB） BiCS
2024-07-17 00:17:004491 
128GB容量。并且帶來的成本優勢開始減弱，16nm制程后，繼續采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計劃跟進在2020年下半年實現48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲技術打造，設計容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區Flash Memory業務總監蘇治源表示，該公司NAND Flash產品去年
2022-02-10 12:26:44
NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原廠之外，下游的SSD品牌廠已陸續進入了新的制程階段，相較于64層3D NAND，96層3D NAND使單顆Die容量向1Tb普及，不僅將推動SSD容量
2022-02-06 15:39:12
-2P/256GB-2PDTKN/32GB/64GBDTKN/128GB/256GBDT80/32GB/64GBDT80/128GB/256GBDT100G3/32GB/64GBDT100G3/128GB/256GB
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
技術方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術為主，NAND閃存顆粒根據存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結構上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
，大數據存儲需求持續增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術從40nm到16nm，再到64層3D技術，一直為市場提供更好的產品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
4個插槽，我們可以容納128GB內存，但CPU只支持64GB內存。DELL 7730也是如此非常感謝以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo
2018-10-26 14:58:40
的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術，QLC類型的核心容量高達1．33Tb，比業界標準水平提升了33％，東芝已經開發出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。 國內崛起撬動全球
2021-07-13 06:38:27
我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接兩個8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1
2018-07-25 07:55:57
SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結構，尺寸為0.26平方英寸，比一個一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:061200 
云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:11:251273 上周東芝及西部數據宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 東芝日前發布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產品。
2017-07-04 14:43:502960 iPhone7/7Plus剛上市時，最受追捧的亮黑色不僅沒有64GB版本，連32GB都沒有。現在最受關注的蘋果10周年紀念版iPhoneX只有64G和256G，沒有中間最合適的128GB，那么蘋果砍掉128GB是為什么？
2017-09-27 16:35:1838862 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續下滑
2018-07-16 09:48:00918 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉3D制程良率改善，量產能力大為提升，盡管價格已經松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯電子
2018-07-09 09:52:00800 （Toshiba）等業者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產的新一代NAND Flash規格特性，控制器業者群聯已備妥對應的解決方案。
2018-06-11 09:16:004985 隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產能持續開出，且被大量應用在SSD產品線，今年以來高容量SSD價格持續下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD現貨價已降至40～43美元
2018-06-26 15:39:494535 
由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 NAND Flash控制IC大廠群聯日前宣布，PCI-e規格的固態硬碟（SSD）晶片已經通過3D NAND Flash BiCS3測試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場主流規格，將可望擴大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 隨著原廠3D技術的快速發展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 7月20日，東芝/西部數據宣布成功開發采用96層BiCS4架構的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達1.33Tb，預計將在2018下半年開始批量出貨，并優先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產品。
2018-08-08 15:10:011063 
NAND Flash價格在經歷了2016年和2017年暴漲之后，2018上半年市場行情回歸理性，在原廠擴大64層3D NAND產出下，NAND Flash基本已回到2016年的價格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:003365 
東芝宣布已經進行開發擁有當前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D NAND 技術，對比現在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:004269 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002770 Maxio（杭州聯蕓科技）日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品，容量高達4TB。
2018-08-19 11:42:401636 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462599 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術量產256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 隨著64層/72層3D NAND產出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術快速發展，NAND Flash在經歷2年漲價后，2018年市場行情從缺貨轉向供應過剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺，甚至有望沖刺2億臺。
2018-08-31 16:15:002745 在2D納米工藝時代，NAND Flash架構經歷了從SLC向TLC的過渡，控制芯片技術的發展起到非常重要的作用。隨著原廠3D NAND技術的不斷成熟，2018年各家原廠紛紛向96層3D NAND
2018-09-13 15:29:4016534 市場。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 支持64層3D QLC后，現已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發布的96層3D TLC NAND閃存固態硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產提供了極大的便利性。聯蕓科技最新發
2018-11-19 17:22:318411 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 推出64層/72層3D NAND，預計從下半年開始將陸續進入量產階段，屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328 國產存儲芯片再下一城，日前有產業鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:003069 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 在近日于韓國首爾舉行的存儲開放日活動中，Intel推出了使用QLC閃存的新款固態硬盤665P，繼續使用了660P所采用的慧榮SM2263主控，但閃存顆粒升級為96層3D QLC，但單Die依舊維持1024Gb容量（128GB）。
2019-09-27 15:22:294205 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲設備包含一個128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關當前零件號的列表，請參見第0頁的“市場營銷零件號
2020-07-01 08:00:00
6 據證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:091347 128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時發布的還有128層512GbTLC（3bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團旗下的長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功。
2020-04-13 17:14:491750 據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術，意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發成功，這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014518 長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功。同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 HDD硬盤的出貨量不斷下滑，現在大容量方面也要遇到SSD的挑戰了——群聯今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。
2020-09-02 15:53:532743 
，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:342586 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 了解到，670p 是繼 660p 和 665p 之后的一款全新的 3D QLC NAND SSD，采用了新的主控，支持 PCIe Gen3。容量可選 512GB 到 2TB，具體的讀寫速度還沒公布。另外
2020-12-17 09:30:223066 2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功，這也是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存。同年8月14日，長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299 美光科技近期宣布，其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
2024-04-29 10:36:341553 2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布在業界率先驗證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內存，
2024-05-09 14:27:401669 電子發燒友網報道長江存儲4月13日重磅發布兩款128層3D NAND產品引起業界高度關注，其中128層QLC產品為目前業內發布的首款單顆Die容量達1.33Tb的NAND閃存，容量、性能均優于主要
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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