芯片巨頭“美光”11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。

這使得“美光”成為全球第一家量產176層TLC NAND閃存的芯片商。

176層NAND支持的接口速度為 1600MT / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開始批量生產，已經搭載在某些英睿達的消費級SSD產品中。

美光表示，新的176層NAND的厚度僅為一張打印紙的五分之一，盡管其堆疊層數已經達到了原來的64層NAND的兩倍，但厚度仍可以控制在和以前64層NAND顆粒同樣的水平。176層設計來自將兩個88層堆棧堆疊在一起，之前的128層和96層TLC其實就是這種技術的產物。由于仍然是TLC NAND顆粒而不是QLC，因此新的產品理論上也會有更好的耐久性。

美光還表示，公司的176層NAND具有里程碑式的意義：一方面，目前該技術達到的顆粒密度已經是早期3D NAND設計的近10倍，意味著同體積的NAND顆粒可以存儲更多的東西；其次，對于價格的影響，閃存顆粒在密度上的提升最終會作用到產品的售價上，雖然這兩年的存儲市場不能算很太平，但總體上，價格還是在逐漸慢降低。

原文標題：芯片大突破

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責任編輯：haq