7月20日，東芝/西部數據宣布成功開發采用96層BiCS4架構的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達1.33Tb，預計將在2018下半年開始批量出貨，并優先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產品。

QLC制造工藝相比TLC具有更高的要求，TLC需要8種電壓范圍，而QLC則需要16種電壓范圍。西部數據硅技術和制造執行副總裁Siva Sivaram表示：“96層QLC是建立在64層QLC的基礎上而實現的，得益于西部數據的硅處理、器件工程和系統集成能力，全新的QLC利用16個不同的電壓狀態來存儲數據，是西部數據第二代4bits/cell產品。”

西部數據表示，在96層QLC先進技術的優勢下，將滿足客戶在零售、移動、嵌入式、數據中心/企業等領域的存儲需求，預計未來QLC NAND將在這些應用中占據主流地位，猶如當初TLC取代MLC成為主流應用一樣。

西部數據96層3D QLC面世，3D NAND技術進入新高度，市場競爭加劇

2018上半年三星、東芝、西部數據、美光、英特爾、SK海力士等紛紛提高64層/72層3D NAND產出量，導致市場由缺貨轉為供過于求，NAND Flash市場價格持續下滑。為了進一步優化成本，提高在市場上的競爭力，5月份美光和英特爾宣布量產64層3D QLC，7月份三星宣布量產96層3D技術，且單顆Die容量均可達到1Tb，拉開了新一輪技術競爭的序幕。

今日，西部數據和東芝宣布成功開發采用96層BiCS4架構的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），現在已進入送樣階段，預計將在2018下半年量產。西部數據和東芝96層QLC NAND的單Die容量最高可達1.33Tb，是目前業界最高密度的3D NAND。隨著3D NAND技術發展進入新的高度，原廠之間的競爭加劇。

9月19日在深圳舉辦的CFMS2018峰會上，西部數據、三星、美光、英特爾等將進行3D NAND技術、市場應用、全球戰略等主題演講。

2019年1Tb容量有望成為主流應用，將助力SSD向TB級推進

2018年64層3D NAND單顆Die容量以256Gb和512Gb為主，隨著3D NAND供貨增加，以及容量增大，使得SSD市場價格持續下滑。據中國閃存市場ChinaFlashMarket最新報價，240GB TLC SSD價格已下滑至41美金，2018年累計跌幅超過30%，并跌破歷史低點，而高容量價格的持續下滑，有望刺激市場主流需求由128GB向240GB升級，并刺激市場需求增加。

隨著技術的進一步發展，各家原廠聚焦新一代QLC和96層3D NAND技術競爭，且單顆Die容量提高到1Tb以上，相較于64層3D NAND技術容量翻倍。為了搶占市場先機，主控廠Marvell、慧榮、群聯、聯蕓、得一、點序科技等紛紛針對QLC或96層3D NAND技術進行控制芯片的布局，預計2019年96層1Tb容量將逐步增加在市場上的應用，且將SSD容量向TB級推進，迎來大容量需求爆發。