昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。同時，該技術可應用于智能手機、個人計算、數據中心和企業應用等領域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

目前，長江存儲已成功將Xtacking TM技術應用于其第二代3D NAND產品的開發，該產品預計于2019年進入量產階段。

據長江存儲介紹，采用XtackingTM，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創新的XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。XtackingTM技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。

XtackingTM技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了并行的、模塊化的產品設計及制造，產品開發時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。

閃存和固態硬盤領域的知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong認為，隨著3D NAND更新換代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續提升，更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能將是必須的。

此外，長江存儲CEO楊士寧博士表示，目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。

值得一提的是，紫光集團聯席總裁刁石京近日透露，中國首批擁有自主知識產權的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實現量產。同時，刁石京介紹，目前，芯片生產設備正在進行安裝調試，今年第四季度，32層3D NAND閃存芯片將在一號芯片生產廠房進行量產。

據悉，長江存儲于2017年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

這顆芯片，耗資10億美元，由1000人團隊歷時2年自主研發，是中國主流芯片中研發制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片，實現了中國存儲芯片“零”的突破。

此外，64層3D NAND閃存芯片研發也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現量產。