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電子發燒友網>通信網絡>三星正在研發160層及以上的3D閃存

三星正在研發160層及以上的3D閃存

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2020-09-30 14:44:152877

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存
2020-11-11 11:50:212927

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存,刷新行業紀錄,實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623

美光發布1763D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176堆疊。預計通過美光全新推出的1763D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553697

3D全息顯示時代將到來!三星打造全息屏幕原型 2D屏上現3D圖像

在屏幕顯示技術上,三星確實擁有不俗的實力,但過往的技術也只是基于2D平面顯示,而在三星看來,未來是屬于3D的。三星已經朝著全息圖邁出了堅實的一步,它的原型薄板設備能以4K分辨率顯示3D圖像,并具有
2020-11-13 10:17:543306

被美光搶先推出176閃存 三星回應技術延誤

3D閃存技術上,作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的,堆棧層數也是最多的,不過美光日前率先推出了176堆棧的 3D閃存,進度比三星要快。 根據美光的說法,176閃存其實是基于兩個88
2020-11-14 10:01:202368

三星預計2021年4月份推出176或者更低一些的160閃存

3D閃存技術上,作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的,堆棧層數也是最多的,不過美光日前率先推出了176堆棧的 3D閃存,進度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

鎧俠推出1623D閃存:產能增加70%、性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96升級到128/144之后,美光、SK海力士之前推出了1763D閃存,現在鎧俠、西數也加入這一陣營,推出了1623D閃存。 各大廠商的3D閃存技術并不一樣,所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917

鎧俠、西數推1623D閃存,性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96升級到128/144之后,美光、SK海力士之前推出了1763D閃存,現在鎧俠、西數也加入這一陣營,推出了1623D閃存。
2021-02-20 10:40:582714

鎧俠和西部數據推出第六代1623D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代1763D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出1623D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣1443D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128。
2022-06-14 15:21:153354

長江正式打破三星壟斷,1923D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32NAND閃存,以及64堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394228

三星要把3D NAND堆到1000以上

3D設計引入了多晶硅和二氧化硅的交替,并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF),區別在于FG將存儲器存儲在導電中,而CTF將電荷“捕獲”在電介質中。這種3D設計方式不僅帶來了技術性能的提升,而且還進一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638

三星:2030年3D NAND將進入1000以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產超3003D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

三星2024年將推出先進3D芯片封裝技術SAINT

三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級互連技術),能以更小尺寸的封裝,將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

三星開發裸眼3D游戲顯示器

在2024年的國際消費電子展(CES 2024)上,三星展示了一款令人驚艷的裸眼3D游戲顯示器。這款顯示器獨特之處在于,用戶無需佩戴任何可穿戴設備,就能享受到沉浸式的3D/VR體驗。
2024-01-09 15:36:541482

三星在硅谷建立3D DRAM研發實驗室

三星電子,全球領先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設立新的研究實驗室,專注于開發新一代3D DRAM技術。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負責三星在美國的半導體生產。
2024-01-30 10:48:461306

三星電子在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室

近日,三星電子宣布在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室,以加強其在存儲技術領域的領先地位。該實驗室的成立將專注于開發具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以滿足不斷增長的數據存儲需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星將推出GDDR7產品及280堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星即將量產290V-NAND閃存

據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591503

三星電子研發163D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是發展至8水平。
2024-05-22 15:02:201617

三星已成功開發163D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出163D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8。
2024-05-29 14:44:071398

三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務

近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000

電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現3D NAND的1000堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超10003D NAND存儲器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:008063

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