SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72
2019-11-25 17:21:55
6385 據韓媒報道，SK海力士將在2020年進行一系列的人事調動和業務重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發部門整合在一起，實現從開發、制造，以及業務的后期處理等統一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 最新消息，SK海力士將在2020年消費電子展（CES）上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:394178 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優勢的產品？
2016-09-12 13:40:252173 傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 3DNAND過渡，同時推進下一代128層3DNAND技術發展進程。 從2013年三星研發出24層3DNAND，到日前SK海力士首發128層1Tb4DNAND，原廠快速發展的3D技術使得業內人士預測
2019-07-05 09:11:117106 SK海力士發布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 4月16日消息 據悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據稱，SK海力士已完成了符合博世要求規格的內存芯片的開發。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規模補強與轉換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
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2021-01-25 17:59:52
。關鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進展。NAND同樣必須以良率在市場上競爭，加以十分
2018-12-24 14:28:00
循環設計的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創的這種半圓形 3D 浮柵單元結構，具有更大的編程 / 擦除窗口和斜率，且單元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，則在去年6月宣布了其關于4D NAND的進展。據相關
2020-03-19 14:04:57
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2021-08-02 17:44:42
SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 14:15:111317 
據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 SK海力士預計第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產10納米級D-RAM和72層NAND閃存，明年業績仍將向好。
2017-10-27 09:15:15754 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續下滑
2018-07-16 09:48:00918 比，存儲芯片巨頭SK海力士和美光科技在2017年的排名將會大幅提升。受益于DRMA內存芯片和NAND閃存芯片市場需求大幅提升的推動，上述兩家公司的排名均將上升兩位。”
2017-12-20 15:40:481711 首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數多）
2018-08-12 10:55:154453 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:0010509 
SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043820 電子（Samsung Electronics），美光（美光），SK海力士（SK海力士）等記憶體業者亦將陸續量產，將促使3D NAND閃存垂直堆疊最高層數自64層朝2017年年的80層邁進
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球對3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否憑借新產品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩腳跟并爭取NAND閃存市場的主導權，倍加受人關注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 ，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND閃存，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND閃存。
2018-12-22 11:09:234552 SK海力士今年第一季財報和當初預期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術、調整生產線應對市場，預計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 長江存儲在 2018 年成功研發32層3D NAND芯片后，進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283819 SK海力士宣布，該公司已經在全世界率先成功研發出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 近日，據報道，傳海力士正在跟Intel談判，海力士想收購整個Intel大連工廠和3D NAND業務。
2019-07-12 11:32:523449 傳海力士正在跟Intel談判，欲收購整個Intel大連工廠和3D NAND業務。
2019-07-12 14:28:145180 SK海力士宣布已向主要SSD（固態硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產品。
2019-07-25 15:08:544098 7月11日，業內傳出消息稱，SK海力士計劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業務。對此傳聞，英特爾向芯智訊進行了回應。
2019-08-06 15:16:014740 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 SK海力士日前宣布推出新一代企業級SSD固態硬盤，不過并沒有公布新品SSD的名稱，有限的信息為支持NVMe協議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 根據消息報道，韓國全球半導體制造商SK海力士將在2020年國際消費電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態硬盤，采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:124487 CES 2020展會上，存儲大廠SK海力士拿出了不少有趣的產品，包括DDR5內存、LPDDR5內存、4D NAND SSD固態盤。
2020-01-13 10:07:235789 在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583 2 月 13 日訊，SK 海力士宣布，已經與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術授權協議，獲得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術的授權。
2020-02-15 16:39:071283 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:194475 TrendForce數據顯示，SK海力士與Intel在今年第二季的營收市占率為11.7%及11.5%，分別位于第四名及第六名。若以產品競爭力詳細區分，以2019年來看，SK海力士在NAND
2020-10-20 11:28:512537 據路透社當地時間19日報道援引知情人士稱，英特爾正準備將NAND芯片業務，以近100億美元的價格，出售給SK海力士。若交易達成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內存市場的全球第二大廠商，并進一步縮小與行業領頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購Intel的NAND內存與儲存事業，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規模的海外收購交易，超過三星
2020-10-21 17:26:322248 據國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業務！ SK海力士已在官網宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業務的消息，SK海力士在官網上表示，兩家公司已經簽署了相關
2020-10-23 11:05:152717 務，以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰TM業務。 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及
2020-10-23 18:00:168594 近日閃存芯片行業又現巨震，英特爾將自己的NAND閃存業務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 ASML公司的EUV光刻機全球獨一份，現在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產CPU、GPU等芯片。馬上內存芯片也要跟進了，SK海力士宣布明年底量產EUV工藝內存。
2020-10-30 10:54:212202 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:002037 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:262339 據報道，第三季度財報優于市場預期的SK海力士計劃在五年內將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調，決心通過從英特爾手中收購NAND業務，在NAND市場占據領先地位。
2020-11-05 12:17:422079 SK海力士在聲明中稱，已簽署協議收購英特爾的NAND內存和存儲業務。此次收購包括英特爾的固態硬盤、Nand閃存和晶片業務，以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進行，最終交易要到2025年3月份才會完成。
2020-11-11 14:53:022528 據了解，SK海力士半導體有限公司是全球第二大內存制造商，公司主要生產以D-RAM和NAND為主的半導體產品，自1983年建立以來，公司不斷發展創新，在2015年全球500強排名中,SK集團排名第57位，同時在2015世界半導體行業中排名第3位
2020-12-07 09:16:163194 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:233708 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布將旗下的NAND閃存業務以600億元的價格賣給了SK海力士公司，但是傲騰硬盤業務沒賣，基于3D Xpoint技術的傲騰是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 新一代3D NAND技術已迎來新的戰局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機
2021-02-25 09:30:232709 SK海力士今天宣布，已經開始量產18GB LPDDR5移動版內存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業務
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 SK海力士將在清州市新建NAND M17產線，以提高NAND產品產能。SK海力士原計劃在明年年初開始建設，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現量產，領先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 SK海力士季度虧損創紀錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還一直聽說內存條在不斷漲價的消息，現在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創紀錄，看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經濟的下滑導致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
更勁爆的新聞傳出，由于向中國入口晶圓廠裝備存在問題，SK海力士甚至可能在完成晶圓廠裝備搬入之前出售晶圓廠外殼！ 公然資料顯示，SK海力士在2021年宣布接受的3D NAND生產和營業，并獲得大連內存工廠。2022年5月，在英特爾通過基礎設施、計劃和地方政府的允許
2023-05-05 15:22:002870 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:471992 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 去年，鎧俠與西數的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產 3D NAND 晶圓廠，提供額外產能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產能。
2024-02-18 16:06:59980 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發僅過了七個月。據稱，該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據報道，由于SK海力士部分工程出現問題，英偉達所需的12層HBM3E內存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前，增加堆疊層數已經成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 ）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291745 在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473 據最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰略，考慮推動其NAND與SSD業務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業務后成立的獨立美國子公司，承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 近日，韓國權威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發進程，并且已經設定了明確的發展時間表——計劃在2025年底之前，全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動并大規模投入生產。
2024-08-01 15:26:421322 韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新，據韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作，并預計于次年第二季度正式開啟大規模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐，引領行業技術前沿。
2024-08-02 16:56:111743 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E，已穩坐行業領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄，為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41876 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內率先實現12層堆疊HBM3E的量產，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術領域的持續領先地位。這款新品不僅將HBM產品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應用所需的速度、容量及穩定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 近日，SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規模量產與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續創新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008060
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