面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。

第五代V-NAND作為3D NAND閃存的一種，相比于現在主力量產的第四代V-NAND，有全面的提升。堆棧數提升到了90層，首發支持Toggle DDR 4.0接口，傳輸速度提高40%達到1.4Gbps。

在工作電壓從1.8V降低到了1.2V的同時，第五代V-NAND的寫入速度將是目前最快的，只有500us，讀取速度也提升到了50us。

此外，新一代的V-NAND閃存在制造工業也有的提升，制造效率將提升30%，而且還降低了每個閃存單元的高度，減少單元之間的竄擾，提高數據處理效率。

從官方消息看，新一代V-NAND閃存后續準備推出QLC類型的顆粒。需要注意的是雖然容量變大，但是比起如臺電NP800所使用的TLC顆粒，QLC顆粒的壽命將會有相當程度上的減少，如果沒有主控算法支持，掉速情況會比較嚴重。

總的來說，新一代的V-NAND顆粒速度更快，功耗更低，產量更大，價格更低，性能更強。但是現階段的TLC類型閃存，以及后續的1TB版本和QLC類型的閃存很大程度也并不會馬上進入消費者市場，但是肯定會推動消費級SSD的低廉化進程。

考慮到目前消費級市場在性價比道路上越走越遠，QLC顆粒已經在消費級市場門口躍躍欲試，趁現在囤點SSD貌似有其必要性，臺電NP800消費級性價比之選可以了解一下喔~