9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72
2019-11-25 17:21:556385 4D NAND，基于先進的制程工藝，將無形的給其他SSD品牌廠競爭壓力。 SK海力士發言人表示：SK海力士的新SSD是為尋求運行多媒體和要求苛刻的PC游戲等終端應用客戶提供高性能首選解決方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優勢的產品？
2016-09-12 13:40:252173 傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
據海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 （SK Hynix ）已經飆升35%，部分外資相當樂觀，預言還有20%上行空間。三星將增產？
2016-10-15 22:21:291002 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內存傳明年開始量產，韓聯社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 09:06:351594 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:129182 
蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 在三星、東芝存儲器（TMC）、西部數據、美光、SK海力士等3D技術快速發展的推動下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 SK海力士發布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 根據南韓媒體 《Business Korea》 報道，南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業務之后
2020-11-11 10:12:403651 2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產
2018-12-24 14:28:00
循環設計的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創的這種半圓形 3D 浮柵單元結構，具有更大的編程 / 擦除窗口和斜率，且單元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，則在去年6月宣布了其關于4D NAND的進展。據相關
2020-03-19 14:04:57
東芝半導體擬釋出存儲器業務股份，吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經投標，最新消息指出全球第二大存儲器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉，提升NAND Flash競爭力。DRAMeXchange數據顯示，SK
2017-02-08 02:01:10365 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 SK海力士預計第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產10納米級D-RAM和72層NAND閃存，明年業績仍將向好。
2017-10-27 09:15:15754 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續下滑
2018-07-16 09:48:00918 存儲器業經歷大多頭的牛市之后，是否即將回檔，各方爭辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產高頻寬存儲器（HBM），期盼能以技術拉開和對手的差距，維持高毛利。
2018-07-11 09:44:001125 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002770 首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數多）
2018-08-12 10:55:154453 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:0010509 
SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043820 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球對3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 推出64層/72層3D NAND，預計從下半年開始將陸續進入量產階段，屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 ，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND閃存，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND閃存。
2018-12-22 11:09:234552 SK海力士今年第一季財報和當初預期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術、調整生產線應對市場，預計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 長江存儲在 2018 年成功研發32層3D NAND芯片后，進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283819 SK海力士宣布，該公司已經在全世界率先成功研發出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 近日，據報道，傳海力士正在跟Intel談判，海力士想收購整個Intel大連工廠和3D NAND業務。
2019-07-12 11:32:523449 傳海力士正在跟Intel談判，欲收購整個Intel大連工廠和3D NAND業務。
2019-07-12 14:28:145180 SK海力士宣布已向主要SSD（固態硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產品。
2019-07-25 15:08:544098 由于 3D NAND 存儲器市場出現了供過于求的現象，制造商們不得不減產以穩定價格。
2019-07-30 14:29:393096 7月11日，業內傳出消息稱，SK海力士計劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業務。對此傳聞，英特爾向芯智訊進行了回應。
2019-08-06 15:16:014740 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 SK海力士日前宣布推出新一代企業級SSD固態硬盤，不過并沒有公布新品SSD的名稱，有限的信息為支持NVMe協議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553581 據韓國先驅報報道，SK 海力士周一表示，該公司去年的非存儲器半導體銷售額增長了1.5倍，而內存產品的銷售額則同比下降33%。
2020-03-31 15:16:523157 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 韓國存儲器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經展出過64GB的DDR5-4800存儲器，其頻寬和容量均比現在的DDR4高出不少，因此備受業界的期待。如今，SK海力士正式宣布，將在年底前量產并提
2020-04-07 14:34:271210 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:194475 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。 ? 據，SK海力士透露，該閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術
2020-12-14 15:55:321786 SK海力士作為全球半導體領頭企業之一，旨在強化其NAND閃存解決方案相關競爭力，發展存儲器生態系統，進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:012363 韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達成NAND閃存單元協議。根據協議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購Intel的NAND內存與儲存事業，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規模的海外收購交易，超過三星
2020-10-21 17:26:322248 據國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業務！ SK海力士已在官網宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業務的消息，SK海力士在官網上表示，兩家公司已經簽署了相關
2020-10-23 11:05:152717 10月20日，SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協議，根據協議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業務。本次收購包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件及晶圓業
2020-10-23 18:00:168594 近日閃存芯片行業又現巨震，英特爾將自己的NAND閃存業務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:002037 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:262339 SK海力士在聲明中稱，已簽署協議收購英特爾的NAND內存和存儲業務。此次收購包括英特爾的固態硬盤、Nand閃存和晶片業務，以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進行，最終交易要到2025年3月份才會完成。
2020-11-11 14:53:022528 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:233708 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 SK海力士今天宣布，已經開始量產18GB LPDDR5移動版內存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業務
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 SK海力士將在清州市新建NAND M17產線，以提高NAND產品產能。SK海力士原計劃在明年年初開始建設，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現量產，領先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:471992 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 去年，鎧俠與西數的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產 3D NAND 晶圓廠，提供額外產能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產能。
2024-02-18 16:06:59980 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品，并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:081739 長達半年的嚴格性能評估。據此，SK海力士計劃在今年3月開始量產這款高頻寬記憶體，以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士作為HBM3E的首發玩家，預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據報道，由于SK海力士部分工程出現問題，英偉達所需的12層HBM3E內存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 ）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291745 在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473 據最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰略，考慮推動其NAND與SSD業務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業務后成立的獨立美國子公司，承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新，據韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作，并預計于次年第二季度正式開啟大規模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐，引領行業技術前沿。
2024-08-02 16:56:111743 SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現其存儲器產品的技術革新，更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391109 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311985 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231 限的產能轉向更高端的產品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品，該產品在容量和層數上均達到了業界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181276 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 近日，SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規模量產與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050 產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:551096 3 月 6 日消息，綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道，SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:161080 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續創新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591509 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品，SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
的重要組成部分。 伴隨著AI服務器、車載等領域的快速發展，對存儲需求也在快速提升，促使存儲技術的加速迭代。近期，許多新型存儲產品相繼問世，也預示著存儲技術已然進入到了爆發期。 首個300層以上4D NAND被披露 近日，SK海力士
2023-08-14 09:25:003267 
2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008060
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