近日中國半導體業最引人關注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。

　　中國上馬存儲器芯片制造己經醞釀己久，眾說紛紜，有附和者，也有人表示擔心。因為工藝技術等問題很多，擔心是完全正常的。目前3DNAND三星走在前列，它的第三代3DNAND去年已開始48層，256GB量產。3DNAND在制造中有許多新的復雜的工藝。平面NAND中主要與先進的光刻工藝相關。相比較3D NAND制造中使用成熟工藝制程40nm-20nm。3D NAND制造中更大的挑戰是由先進圖形引成轉向淀積與腐蝕。另外，采用芯片剪薄后的堆疊方法，目前的估計最多可達128層。盡管3D NAND前景看好，但是與平面NAND相比，要跨過成本平衡點，最快可能在今年的64層，或者更多層數堆疊才可實現。

　　此次中國政府層面敢下決心投入巨資，讓全球業界震驚。因為存儲器與CPU有很大的不同，它的成功依賴于決心，需要持續的投資以及忍受可能長時間的虧損，所以它不太適合于民營資本去搏奕。對于中國存儲器業，敢于去“賭”，就有成功的希望。

　　以下分析新芯為什么會選擇3D NAND芯片，而不是邏輯芯片作為突破口。

　　因為全球3D NAND除了三星己經量產之外，其它如海力士，東芝及美光都要等上幾個季度之后。

　　而新芯在中科院微電子所等合作幫助下己經做成9層3D NAND的樣品，非常有信心在2018年實現48層的量產，這樣與三星之間也就差距在3-4年。而如果做邏輯芯片，臺積電在2011年Q4開始量產28納米，等到2018年新芯也實現量產28納米時，臺積電的設備大部分折舊己經完成，假設那時的28納米芯片在成品率及功能方面與臺積電的完全相同，因為巨大的折舊負擔在成本上至少差30%以上，所以可能勝算就很小。而作3D NAND時，估計可以多出幾年時間讓我們可以追趕。另外，未來中國在大數據，云計算等推動下數據中心市場會大幅增加，因此國內市場的需求也是選擇生產NAND閃存的原因之一。

　　對于全球28納米邏輯芯片的市場約100億美元，臺積電占市場份額80%。據2016 Q1數據它的28納米占其銷售額30%，為20億美元。隨著手機處理器芯片等的功能提升，向14納米及以下挺進，預估全球28納米市場會有所下降。

　　顯然中芯國際己在2015年Q4開始28納米邏輯芯片的量產，目前正在量產爬坡之中，它的目標是28納米占今年Q4銷售額的10%，預計該季出貨片量應該可達約20，000片，即每月出貨有7000片。

　　所以28納米邏輯芯片工藝及48層 3D NAND是兩個“攔路虎“，它們都是中國芯片制造業前進路上的十分重要節點，它們的量產水平直接可用來衡量中國芯片制造業的水平以及差距的逐步縮小。