英特爾技術真的依然狠甩臺積、三星？

　　調研 The Linley Group 創辦人暨首席分析師 Linley Gwennap，在 2016 年 3 月接受半導體專業期刊 EETimes 采訪時，也透露了晶圓代工廠間制程的魔幻數字秘密，Gwennap 指出，傳統表示制程節點的測量標準是看閘極長度，但在行銷的努力下，節點名稱不再與實際閘極長度相符合，不過，差距也不會太大，Gwennap 即言，三星的 14 納米約略等于英特爾的 20 納米。Gwennap 認為，臺積電與三星目前的制程節點仍落后于英特爾，以三星而言，14 納米制程稱作 17 納米會較佳，而臺積電 16 制程其實差不多是 19 納米。

　　但美國知名財經博客 The Motley Fool 技術專欄作家 Ashraf Eassa 從電子顯微鏡圖來看，認為英特爾、三星甚至臺積電在三者 14/16 納米制程差距或許不大。Ashraf Eassa 對比英特爾 14 與 22 納米，以及三星 14 納米的電子顯微鏡圖，其指出，英特爾 14 納米側壁的斜率要比 22 納米垂直，根據官方的說法，這能使英特爾的散熱鰭片（fin）更高更瘦，以提升效能。

　　（Source：The Motley Fool）

　　而三星 14 納米制程電子顯微鏡圖相較起來，和英特爾 14 納米制程還比較相近，加以 Ashraf Eassa 用臺積電宣稱 16 納米 FinFET Plus 能比三星最佳的 14 納米技術在相同功率下，效能能比三星提升 10% 來推測，臺積電 16 納米 FinFET Plus 的晶體管結構應與三星相差不遠，甚至鰭片（fin）會更加細長。

　　（Source：The Motley Fool）

　　然而，線寬并非衡量半導體制程的唯一條件，也并非半導體廠技術能力的唯一評定標準。

　　就像調研 International Business Strategies（IBS）創辦人暨CEO Handel Jones 所言，沒有一項單一的測量方式就能評定技術的效能、功耗以及電晶體密度。Jones 進一步指出， M1 金屬層間距是重要的，但局部互連（local interconnect）也可能影響芯片閘的密度與效能，閘極間距對閘極密度重要，但散熱鰭片（fin）對性能影響同樣甚鉅。

　　另外，耗電量的不只是閘極長度而已，包括：材料種類、元件結構、制程品質等等都會有影響。也因此，分析師們對英特爾、臺積電、三星制程技術孰優孰劣仍是莫衷一是。Gwennap 認為，如同 14 納米制程，英特爾 10 納米制程同樣會優于臺積電和三星；Jones 覺得英特爾與臺積電到了 10 納米制程效能應能旗鼓相當；VLSI Research CEO G. Dan Hutcheson 則語帶保留指出，臺積電 10 納米將大幅超越英特爾 14 納米節點，但其也稱英特爾 14 納米節點目前維持了兩年，臺積電已發展到 10 納米與 7 納米計劃，正以比其他廠商都還要快的速度在前進。

　　從幾位分析師的說法，可以看出英特爾在技術上仍有所領先，但領先的幅度已慢慢縮小，而對客戶而言，看的更不僅僅是技術領先與否，包含良率、耗電量等因素都在考量范圍之內，而非只有制程一項因素而已。如果光從數字就可評斷，那在先前蘋果 A9 芯片門事件也不會因此而鬧得沸沸揚揚了，畢竟三星的整體數字是優于臺積電。

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　　（首圖來源：臺積電官網）