Altera與英特爾（Intel）在先進制程的合作已有初步成果。Altera與晶圓代工合作伙伴英特爾攜手宣布，已完成基于英特爾14納米（nm）三閘極（Tri-Gate）制程技術的現場可編程閘陣列（FPGA）測試芯片，在先進制程競賽中拔得頭籌。

　　Altera研發資深副總裁Brad Howe表示，這項成果對Altera及客戶而言皆系重要的里程碑。透過測試14納米Tri-Gate制程的硅芯片的重要成分，可讓該公司在設計初期驗證元件效能，并顯著加快14納米產品上市時間。

　　據了解，Altera此次發表的Stratix 10 FPGA與系統單芯片（SoC）的測試芯片內建數種關鍵硅智財（IP），包括收發器（Transceiver）、混合訊號IP及數位邏輯等區塊；Altera全面性的芯片測試計劃，系利用創新的制程改善與電路設計方法，在最終產品投片（Tape Out）之前，驗證Altera IP的運作情形，藉此降低制造風險。

　　Altera指出，與鰭式電晶體（FinFET）方案相較，英特爾第二代的14納米Tri-Gate制程提供芯片尺寸縮小的優勢，因此，Altera下一代的FPGA及SoC方案皆可實現理想效能、功耗、高整合度及成本優勢。

　　英特爾客制晶圓廠副總裁與總經理Sunit Rikhi指出，自從Altera與英特爾于2013年宣布晶圓代工合作關系后，雙方已達成許多重要的里程碑，而此次成果系另一個具代表性的時刻。藉由成功展示Altera利用英特爾14納米Tri-Gate制程制造的FPGA技術的功能，可實際證明雙方團隊合作無間。

　　在英特爾的14納米Tri-Gate制程以及增強高效能核心架構的助力下，Stratix 10 FPGA和SoC將系業界第一顆GHz等級的FPGA，可提供較現行高階FPGA方案高兩倍的核心效能，對于有嚴格功耗預算的高效能應用系統，如通訊、軍事、廣播、運算及儲存市場等，Stratix 10系列產品可大幅降低系統功耗，最高可達70%。

　　事實上，2014年將系各大晶圓代工廠于先進制程競賽中催緊油門的重要關鍵。除英特爾已攜手Altera率先讓14納米制程產品亮相，臺積電也與另一家 FPGA大廠賽靈思（Xilinx）密切合作，基于臺積電16納米FinFET制程推出FinFast專案，預計于今年投產。

　　至于另外兩家具備先進制程技術的晶圓代工廠三星（Samsung）與格羅方德（GLOBALFOUNDRIES），則于日前宣布策略合作，三星所開發的 14納米FinFET制程技術，將授權給GLOBALFOUNDRIES，并將量產地點分散于三星的韓國華城、德州（Texas）奧斯汀（Austin） 晶圓廠及GLOBALFOUNDRIES位于紐約州（New York）薩拉托加（Saratoga）的晶圓廠，藉此確保客戶擁有多個生產源頭，提供供貨保障，而雙方計劃于2014年年底將14納米FinFET制程推進至正式量產的進度。