三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）將大幅拓展晶圓代工事業領域。過去掌握晶圓代工市場的臺積電、格羅方德（Global Foundries）等單純晶圓代工業者，和三星、英特爾等綜合半導體企業（IDM）憑藉各自的優勢，形成競爭版圖。

　　據韓國朝鮮日報報導，三星在大陸上海舉辦三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum），以海思半導體、展訊、聯發科等IC設計業者為對象進行技術說明會。三星大陸負責人崔哲（音譯）在100多名業界與會人士面前公開三星最尖端的10納米、14納米制程，并介紹8吋制程等可提升成本效益。

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　　韓國業界認為，三星將以本次活動為起點，積極在大陸確保晶圓代工客戶。三星自數年前開始逐漸降低對最大客戶蘋果（Apple）的依賴，為吸引新客戶，扶植晶圓代工技術。2014年三星也與意法半導體（ST Microelectronics）合作，開始研發28納米完全空乏式（depletion-type）絕緣上覆硅（FD-SOI）技術。

　　FD-SOI制程是在硅晶圓上制造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導體制程。因外泄電流量少，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產成本。2015年3月三星完成FD-SOI產品測試階段，目前也完成商用化生產準備。

　　韓國半導體業界人士表示，移動應用處理器（AP）等高集成芯片一般會使用傳統3D FinFET制成，結合類比電路的無線通訊（RF）芯片等，仍最適用FD-SOI制程。三星為生產處理器之外的芯片，一定會使用FD-SOI制程。

　　全球半導體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場上拓展領域。韓國業界先前預測英特爾2011年進軍晶圓代工市場，而英特爾也透過與樂金電子（LG Electronics）、展訊、拓朗半導體（Altera）等大客戶合作，正式跨足市場。近來英特爾獲得ARM設計授權，2017年下半將運用10納米制程，生產樂金手機AP產品。

　　三星、英特爾等IDM大廠加強對晶圓代工市場攻略的理由，是因相關市場獲利性將持續成長。半導體微細制程轉換逐漸進入瓶頸，IC設計業者委托生產具一定水準的芯片的成本也逐漸攀升。

　　外電引用市調機構IC Insights資料指出，2016年半導體整體市場將出現2%負成長，但晶圓代工領域的成長率預估有9%。

　　另一方面，臺積電獨吞逾5成市占率的晶圓代工市場版圖，是否會因三星和英特爾的攻勢出現變化，受到市場關注。韓國業界認為在生產效益方面，臺積電、格羅方德等專門晶圓代工業者握有優勢，但在微細制程、封裝等高難度制程方面，三星和英特爾則較為領先。

　　英特爾EUV微影傳延遲　營收與技術領先首當其沖

　　英特爾（Intel）日前傳出將延遲2年部署極紫外光（EUV）微影技術消息，對此，評論認為，此舉將讓該公司出現非現金折舊支出而拖累營收，也可能讓三星電子（Samsung Electronics）、GlobalFoundries與臺積電等對手趁勢坐大。該消息從技術上或財務上來看，對英特爾皆不利。

　　據AmigoBulls報導，英特爾過去幾年來，持續透過投入數十億美元資本支出，希望能領先其他晶圓代工業者，日前也積極部署資本密集的EUV微影技術，以便能在2017年生產10納米芯片，希望更提高其領先優勢。

　　不過，由于翻新設備時程延遲以及可能出現良率問題，英特爾傳出將延至2019年才會在7納米引進EUV微影，評論認為，此舉等于可能讓三星、GlobalFoundries與臺積電有機會趕上。

　　過去10年來，隨著技術節點出現多次進展，在效能、效率與功耗上都取得進步，但進入更細微節點后，便得面臨物理定律問題。如今已出現進入10納米以下，即使芯片廠投入鉅資但相對取得性能進展已不多的窘境，所幸這時EUV救兵出現。

　　目前業界是采用深紫外線（Deep Ultraviolet）微影技術來制造芯片，其原理類似相機技術，是透過鏡頭將光聚焦并在晶圓上蝕刻電路，但目前業者也面臨在追求精準光束與盡量微小上遭遇受限的問題，且與物理定律脫離不了關系。

　　所幸EUV微影更小的波長可輕易在更小規模下聚焦與控制EUV雷射，讓晶圓廠能在晶圓上刻下更小電路，理論上可一路順利進展至5納米。

　　過去少數報告也曾指出，使用EUV制造芯片的速度比傳統方式生產芯片快100倍，姑且不論是否屬實，EUV微影在持續微縮上確實有助益。

　　評論指出，英特爾曾率先表示，期望能在2017年開始使用EUV生產10納米芯片，換言之，EUV能投片（ramp）被視為英特爾領先對手的因素，但該公司目前改為在2019~2020年在7納米才引進EUV微影，而且前提是假設10納米沒有投片問題。

　　另外，值得注意的是，英特爾對手三星、臺積電與GlobalFoundries也計劃屆時將推出EUV微影，如此對英特爾自然不是好消息。

　　評論認為，上述4家公司預計在2018~2019年前都會進入相同制程節點，英特爾若缺少EUV加持，就芯片制造技術上已與其他對手無異，其制程領先優勢也將化為無形。

　　另外，從財務角度來看，延遲EUV技術同樣不利英特爾。首先，部署EUV所費不貲，初期單項工具高達1億美元，據估計該公司截至2015年4月投入10億美元，目前該金額勢必早已增加。

　　除此之外，當初英特爾增加采購工具是為了在2017年讓下一代技術商用，如今延后2年后，該段期間英特爾等于無法利用上述昂貴設備獲利，未來2年非現金折舊費用持續增加后，將無形中影響英特爾營收。

　　再者，隨著英特爾未來幾年制程領先縮小，以安謀（ARM）為主的伺服器產品也將快速出現。

　　因為預計2019年，高通（Qualcomm）、超微（AMD）與Cavium將取得相同EUV微影與相同節點，理論上，上述公司芯片性能將可接近英特爾Xeon芯片，等于讓英特爾在伺服器市場上將更難遏止ARM為主產品出現斬獲。