25日，三星和臺積電在5nm先進制程上同時爆發新聞，沒有硝煙的戰場上從未停止戰爭。

據 ZDNet Korea 報道，業界人士透露，三星預計將從 2020 年底開始，投入 5nm 制程應用處理器 （AP）、通訊調制解調器芯片 （Modem）的大量生產。

而臺積電也在其當日的線上技術論壇上爆料，除了披露旗下最新工藝制程情況外，同時公布了其擴產及研發計劃。業務開發資深副總經理張曉強表示，公司5nm制程再次領先全球，率先進入量產，并確定引入EUV技術，明年還將在目前N5工藝上，推出加強版N5P工藝。

消息人士表示，三星 5nm 訂單主要有高通驍龍 875 處理器、驍龍 X60 調制解調器以及三星 Exynos 1000 等。該業界人士稱，“先前業界傳出三星 5nm 制程良率不佳，那只不過是市場散播出來的謠言而已?！?/p>

三星在今年第 2 季度財報電話會議中公開表示，5nm 制程已于 2020 年第 2 季度量產，預計 2020 年下半開始拓展客戶并正式投入大量生產。

上個月 DigiTimes 稱，三星的 5 nm EUV 光刻工藝正面臨著良品率低的問題。而高通考慮到三星方面的局限已將其部分芯片緊急交由臺積電進行補救。

一路走來，三星5nm量產計劃屢屢受挫。相比于三星，臺積電的5nm先進制程之路平坦很多。根據市調機構的最新資料，目前臺積電晶圓代工市占率為53．7％，三星占比17．4％。

在25日臺積電線上技術論壇上，據張曉強介紹，臺積電已為其5nm、4nm、3nm制程初步定下量產時間表：

來源：科創板日報

其中，5nm制程將分為N5工藝以及加強版N5P工藝，N5工藝較同一時期量產的7nm N7工藝，速度提高15％，功耗降低30％，邏輯電晶體密度增1．8倍，良率也有所提高，N5P工藝則在N5工藝的基礎上性能再次提升，預計明年量產。

5nm以下先進制程方面，4nm是建立在5nm平臺上，把5nm效能與功耗進一步向前推進，4nm與5nm互相兼容，計劃2021年第四季試產、2022年量產；3nm則將沿用FinFET制程，且為全新的節點技術，與5nm相比，速度增加10％至15％，功耗降25％至30％，邏輯電晶體密度增1．7倍，預計2022年下半年量產。

特殊制程方面，臺積電還介紹了專為IoT、移動和邊緣設備等低功耗設備而設計的N12e工藝，該工藝是臺積電12 nm FinFET節點的增強版，擁有更低功耗、更高性能，支持超低漏電器件和低至0．4V的超低Vdd設計。

臺積電的FinFEt太過強大，在最新的3nm制程上也將繼續沿用FinFET工藝，不過，三星這邊的3nm則選擇了GAA工藝路線。主流廠商包括三星、臺積電、英特爾和中芯國際等都對GAA技術表示興趣，或者已經開始試產。有了GAA工藝，高端芯片的廝殺也將拉開序幕。

相較于第二大晶圓代工商三星5nm量產計劃屢屢受挫、英特爾7nm芯片自產計劃瀕臨流產，臺積電的先進制程量產進度，可謂順風順水。