10納米系統半導體芯片量產戰爭已經開始了，三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）和臺積電出面爭奪主導權，研發作業正如火如荼地進行中，對于相關設施的投資金額也大幅提高了。

　　據ET News報導，三星在業績發表會中表示，2016年底10納米系統半導體芯片量產計劃沒有任何變動，為了按照計劃進行，目前正動員所有的準備力量。

　　英 特爾和臺積電也都宣布了10納米芯片量產投資計劃，英特爾表示2016年的設備投資金額指標將比2015年擴大30%，約為95億美元；臺積電也提高了設 備投資金額，宣布2016年約投資90億~100億美元， 2015年臺積電的投資額約為81億美元，2016年的投資規模至少增加11%，最多增加到23%。

　　三 大廠提高投資額與10納米制程的轉換有關。展開10納米芯片量產競爭的主要理由，是為了要搶奪蘋果（Apple）和高通（Qualcomm）這兩個大客 戶。高通表示，計劃在三星或臺積電以10納米制程生產新一代的Snapdragon 830，將委托給競爭力較高的一方來生產。

　　業界相關人士表示，在14、16納米制程時被三星搶去很多訂單的臺積電，計劃將在10納米時翻盤，臺積電并指出，2016年10納米量產準備的競爭將會決定2017年以后的業績。

　　英特爾還沒有正式進入代工產業，所以對于10納米制程的準備與客戶公司沒有什么關系。不過之前英特爾曾經公開表示過，將在2017年上市的新型CPU Cannonlake將以10納米制程來量產，所以在日程上也不能再推延了。

　　臺積電、英特爾、三星對于10納米系統半導體芯片量產的準備將會在2016年中左右使得相關設備業界受惠，大部分是前段制程的設備部分，并預計在10納米制程中不使用極紫外光（EUV）設備，而將采用浸潤式（Immersion）設備來進行制造。

　　分 析師表示，多重曝光（Multi-patterning）的比重增加，所以預估蒸鍍和蝕刻的設備部分將會受惠。在蒸鍍部分，比起化學氣相沉積（CVD）來 說，能以原子層為單位來鍍上薄膜的原子層沉積（ALD）的設備需求預計將大幅增加。隨著線寬縮減程度變高，原本的CVD制程逐漸被ALD制程所取代。

　　根 據Miraeasset資料顯示，以2014年為基準，全球ALD設備的市占率各為：艾司摩爾（ASML）53%，東京威力科創（Tokyo Electron）27%，Jusung Engineering 6%，科林研發（Lam Research）5%，Wonik IPS 5%，Aixtron 2%。2016年開始Eugene Technology也計劃將首次進入ALD設備的市場。

　　市調業者Gartner預測表示，2016年與邏輯芯片（Logic Chip）有關的設備投資將比2015年增加5%，達到約322億美元的水準。