三星率先實現3nm制程工藝量產，或將趕超臺積電
三星與臺積電同為全球頂尖晶圓代工大廠，近幾年三星的各種評價卻開始落后于臺積電，差距也被逐漸拉大，不過三星沒有放棄，還是宣稱要超越臺積電。
據媒體報道稱，三星的3nm工藝已經能夠實現量產了，而臺積電的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產，并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。
美國總統近日參觀了三星的全球唯一能夠進行3nm工藝量產的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業趕超臺積電，投入了大量資金進行高端制程的研發。
據了解，本次三星量產的3nm工藝采用了GAA晶體管技術，能夠取代以往的FinFET晶體管技術，與未采用GAA技術的7nm制程工藝相比，3nm GAA制程工藝的性能提高了35%，功耗降低了50%，而且本次臺積電的3nm工藝不會采用GAA技術，因此在3nm制程工藝這一塊，三星很有可能超越臺積電。
綜合整理自 芯查查 快科技 王石頭科技
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關注
關注
44文章
5805瀏覽量
176874 -
3nm
+關注
關注
3文章
237瀏覽量
15054 -
三星
+關注
關注
1文章
1777瀏覽量
34362
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
2nm“諸神之戰”打響！性能飆升+功耗驟降，臺積電攜聯發科領跑
（Tape out），預計2026年底進入量產。這意味著聯發科成為首批采用臺積電 2 納米制程的公司之一。 ? 此前，業內消息指出
三星力爭2030年量產1nm芯片，引入“fork sheet”新結構
在半導體行業的激烈競爭中，三星電子晶圓代工業務部門正全力沖刺，計劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術被譽為“夢想半導體”工藝，每個計算單元大小僅相當于五個原子。此舉目標明確，直指與
臺積電擬投資170億，在日本建設3nm芯片工廠
據報道，全球最大的半導體代工制造商臺積電（TSMC）已最終確定在日本熊本縣量產3nm線寬的尖端半導體芯片的計劃。預計該項目投資額
1.4nm制程工藝！臺積電公布量產時間表
供應一度面臨緊張局面。為應對市場激增的訂單，臺積電已啟動新建三座工廠的擴產計劃，旨在進一步提升產能，保障客戶供應鏈的穩定交付。 ? 與此同時，臺
臺積電Q3凈利潤4523億元新臺幣 英偉達或取代蘋果成臺積電最大客戶
39.1%，凈利潤創下紀錄新高，臺積電在上年同期凈利潤為3252.58億新臺幣。 每股盈余為新臺幣17.44元，同比增加39.0%。 目前臺積電
臺積電2納米制程試產成功，AI、5G、汽車芯片
又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節點不僅意味著制程技術的再度跨越，也預示著未來AI、通信與汽車等核心領域即將迎來一場深刻的“芯革命”。 1、技術再突破 與現行的3nm工藝相比，臺
臺積電預計對3nm漲價！軟銀豪擲54億美元收購ABB機器人部門/科技新聞點評
在十一黃金周和國慶假期后第一天工作日，科技圈接連發生三件大事：1、臺積電預計將對3nm實施漲價策略；2、日本巨頭軟銀宣布54億美元收購ABB
今日看點丨三星美國廠2nm產線運作；《人工智能生成合成內容標識辦法》正式生效
三星美國廠2nm 產線運作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區督軍下，原本暫緩的三星美國德州新廠2nm產線近期傳
發表于 09-02 11:26
?1849次閱讀
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產延遲至2029年
在全球半導體代工領域的激烈競爭中，三星電子的戰略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業務在制程技術推進方面做出重大調整，原本計劃于2027年量產的1.4
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
發表于 04-18 10:52
工商網監
評論