據外媒最新報道，三星宣布，3nm制程技術已經正式流片! 據悉，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能上完勝臺積電的3nm FinFET架構!

據報導，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA 構的生產流程提供高度優化的參考方法。而因為三星的3 nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的 FinFET 的架構，而是采用 GAA 的結構。在此情況下，三星需要新的設計和認證工具，因此采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

報導指出，所謂的 GAA (Gate-all-around ) 架構，是一個周邊環繞著 Gate 的 FinFET 架構。依照專家的觀點，GAA 架構的晶體管能夠提供比 FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力得以強化，藉此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。相較傳統 FinFET 的溝道僅 3 面被柵極包覆，GAA 若以奈米線溝道設計為例，溝道的整個外輪廓都被柵極完全包裹住，這就代表著柵極對溝道的控制性能就更好。

據了解，3 奈米 GAA 制程技術有兩種架構分類，也就是 3GAAE 和 3GAAP。這是兩款以奈米片的結構設計，在鰭中具有多個橫向帶狀線。這種奈米片設計已被研究機構 IMEC 作為 FinFET 架構后續的產品進行了大量研究，并由 IBM 與三星和格羅方德合作進行了技術發展。

三星指出，這種技術具被高度可制造性。原因是它利用了該公司現有的約 90% 的 FinFET 制造技術予設備，而只需要少量修改過的光罩即可。另外，該制程技術具有出色的柵極可控性，這比三星原本采用的 FinFET 技術高 31%，且因為奈米片信道寬度可通過直接圖像化來改變，這就給設計提供了靈活性。

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