国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>新思科技DesignWare IP基于臺積公司N5制程技術助力客戶連續實現一次流片成功,獲行業廣泛采用

新思科技DesignWare IP基于臺積公司N5制程技術助力客戶連續實現一次流片成功,獲行業廣泛采用

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

電推出N4P工藝,“真4nm”還是“數字游戲”?

近日,全球晶圓代工龍頭電宣布推出4nm制程工藝——N4P,希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。電表示,憑借5nm(N5)、4nm(N4)、3nm(N3)、以及最新的N4P制程,將能
2021-10-28 08:05:1118894

思科技28納米DesignWare IP贏得第100項設計

思科公司(Synopsys, Inc., 納斯達克股票市場代碼:SNPS)日前宣布: 該公司針對多家領先的晶圓代工廠優化的28納米工藝DesignWare IP已贏得第100項設計。
2012-09-20 10:11:401485

高通公司驍龍800系列處理器率先采用公司28HPM先進制程技術

美國高通公司公司今日共同宣布,美國高通公司的全資子公司美國高通技術公司將率先采用公司28納米高性能移動(28HPM)制程生產芯片。
2013-02-26 17:20:201427

ARM攜手成功16nm ARM Cortex-A57處理器

微處理器設計公司ARM與電今天共同宣布,首個采用電下下代16nm工藝制程FinFET技術生產的ARM Cortex-A57處理器已成功。Cortex-A57處理器為ARM旗下性能最高的處理器。
2013-04-03 09:05:051484

電攜手新思科技開發7納米制程設計平臺

半導體設計公司思科技 (Synopsys) 17 日宣布,將與晶圓代工龍頭電合作推出針對高效能運算 (High Performance Compute) 平臺的創新技術,而這些新技術是由新思科技與電合作的 7 納米制程 Galaxy 設計平臺的工具所提供。
2016-10-18 10:55:371097

思科技面向公司N5A工藝技術推出業內領先的廣泛車規級IP組合

思科技接口和基礎 IP 組合已獲多家全球領先企業采用,可為 ADAS 系統級芯片提供高可靠性保障 摘要: 面向公司N5A工藝的新思科IP產品在汽車溫度等級2級下符合 AEC-Q100 認證
2023-10-23 15:54:071964

【AD新聞】百萬訂單大洗牌!電或成高通新代PMIC芯片最大供應商

芯片PMIC 5即將問世,由于改為BCD制程電憑借先進制程技術優勢,可望拿下高通新代PMIC 5訂單約70~80%數量,并牽動高通電源管理芯片代工廠大洗牌。 業界推估高通各種用途電源管理芯片的年
2017-09-22 11:11:12

全球進入5nm時代

越來越先進,電的5nm制程成本也水漲船高,開發款芯片的費用將達到5.4億美元,5nm全掩模費用大概要3億人民幣,而且還不包含IP授權費用。如此高的門檻,大部分公司都會選擇觀望。目前,也
2020-03-09 10:13:54

思科技發布業界首款全棧式AI驅動型EDA解決方案Synopsys.ai

Kochpatcharin表示:“公司與新思科技等開放創新平臺(OIP)合作伙伴緊密合作,助力我們的客戶在執行定制及模擬模塊的工藝制程設計遷移時,提高生產效率并加快設計收斂。現在,通過全新的新思科技AI驅動型模
2023-04-03 16:03:26

論工藝制程,Intel VS電誰會贏?

10nm將會,而張忠謀更是信心十足,他直言不諱地表示10nm量產后將會搶下更高的份額。電聯席CEO劉德音此前也曾在一次投資人會議上透露,公司計劃首先讓自己的10納米芯片產線在今年底前全面展開
2016-01-25 09:38:11

電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題

電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題  據公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示,電40nm制程工藝的良率已經提升至與現有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259

英飛凌采用思科技流程開發新代3G基帶處理器

思科技完整實施流程助力英飛凌在中國成功實現首款40納米3G基帶處理器芯片設計和一次成功 中國北京和西安,2010年8月9日—全
2010-08-11 14:39:39773

展訊采用Cadence解決方案一次成功

Cadence設計系統公司日前宣布展訊通信有限公司實現了其首款40納米低功耗GSM/GPRS/EDGE/TD-SCDMA/HSPA商用無線通信芯片的一次成功
2011-01-22 10:04:171235

聯電攜手新思科技研發28奈米制程DesignWare IP

聯電(2303-TW)(UMC-US)與全球半導體設計制造軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)昨日共同宣布,雙方已擴展夥伴關系,將于聯電28奈米HLP Poly SiON制程平臺上開發新思科技的DesignWare IP。 聯電表
2011-10-13 09:41:08992

三星與Synopsys合作實現首次14納米FinFET成功

思科公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現個關鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的
2013-01-09 12:11:311469

韓國無晶圓廠半導體公司TLi采用Arasan的IP產品實現成功

領先的韓國半導體公司TLi采用Arasan的通用閃存(UFS)知識產權(IP)產品實現了芯片設計的出貨,該公司之前獲得了Arasan的UFS設備控制器IP及支持高達Gear 3速率的MPHY等產品的授權。TLi是最新家使用Arasan的UFS Total IP解決方案成功實現芯片設計的公司
2016-01-06 17:46:126084

一次成功 ASIC設計中這些問題不可忽視

ASIC的復雜性不斷提高,同時工藝在不斷地改進,如何在較短的時間內開發個穩定的可重用的ASIC芯片的設計,并且一次成功,這需要個成熟的ASIC的設計方法和開發流程。
2016-12-12 14:07:464384

EUV光刻技術競爭激烈,三星7納米EUV制程已完成新思科技物理認證,電緊追其后

在晶圓代工市場,電與三星的競爭始終是大家關心的戲碼。三星雖然有高通等VIP客戶,但在7納米制程節點,高通預計會轉投電,三星要想受更多客戶的青睞,只能從制程技術著手了。這也是三星為什么跳過非
2018-06-19 15:06:005263

Arm最新高級移動平臺,成功實現了SoC

Mali-G76處理器)的初期采用實現成功采用Fusion技術的新思科技設計平臺、Verification Continuum Platform和DesignWare接口IP互相配合,提供了優化的性能、功耗和面積,并加速了基于Arm的產品上市時間。
2018-07-28 11:17:001833

麒麟990處理器或采用電EUV技術 7納米+加強版制程預計2019年的第1季進行

日前,才在英國倫敦發布會上展出4款Mate 20系列手機,以及新款麒麟980處理器的華為,根據外電報導,更新代的麒麟990處理器也已經發展到個階段。這款預計采用電內含EUV技術,7納米+加強版制程的處理器,預計將在2019年的第1季進行
2018-10-22 14:48:209144

電15年來第一次新建8英寸廠 將滿足客戶對特殊制程要求

電總裁魏哲家昨(6)日在一年一度的供應鏈論壇中透露,電將在南科六廠旁,新建座8英寸廠,滿足客戶對特殊制程要求。這是2003年電在上海松江8英寸廠成立后,電15年來第一次新建8英寸廠。
2018-12-07 15:06:322888

5nm制程試產 臉書5億用戶資料恐外泄

4月4日消息,據Digitimes報道,電宣布在開放創新平臺之下推出5nm設計架構的完整版本,協助客戶實現支持下代高效能運算應用產品的5nm系統單芯片設計,目標鎖定擁有廣闊發展前景的5G與人
2019-04-04 11:16:023456

電宣布推出6納米制程技術 支援客戶采用此項嶄新的技術來達成產品的效益

就在16日早,韓國晶圓代工廠三星宣布發展完成 5 納米制程,并且推出 6 納米制程,并準備量產 7 納米制程的同時,晶圓代工龍頭電也在傍晚宣布,推出 6 納米 (N6) 制程技術,除大幅強化
2019-04-17 16:42:503248

新思宣布用于電7納米制程技術IP已獲得超過250個設計的選用

新思宣布,其用于電7納米制程技術DesignWare邏輯庫、嵌入式存儲器、界面和類比IP已獲得超過250個設計的選用(design wins),目前已經有近30家半導體廠商選擇了新思7納米
2019-05-14 16:25:273405

思科技與GLOBALFOUNDRIES合作 開發覆蓋面廣泛DesignWare? IP組合

思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作,針對GF的12納米領先性能(12LP) FinFET工藝技術,開發覆蓋面廣泛DesignWare? IP組合,包括多協議25G
2019-07-05 09:13:133813

電宣布7納米強效版制程已大量進入市場 2020年第季將試產6納米制程技術

電宣布,其領先業界導入極紫外光(EUV)微影技術的7納米強效版(N7+)制程已協助客戶產品大量進入市場。導入EUV微影技術N7+奠基于成功的7納米制程之上,也為明年首季試產6納米和更先進制程奠定良好基礎。
2019-10-08 16:11:373646

ANSYS宣布旗下半導體套件解決方案已獲電最新版N5P和N6制程技術認證

就在晶圓代工龍頭電之前宣布旗下6納米制程將在2020年第1季推出,而更新的5納米制程也將隨之在后的情況下,半導體模擬軟件大廠ANSYS于16日宣布,旗下的半導體套件解決方案已獲電最新版N5
2019-10-17 16:19:114053

5納米制程良率達到50% 將成為2020年重要的成長動能之

根據電總裁魏哲家日前在法人說明會中的說法指出,電的5納米制程N5)已進入風險試產階段,并有不錯的良率表現。對此,根據供應鏈的消息指出,目前已經進入風險試產階段的5納米制程其良率達到了50%,而且月產能可上看8萬的規模。
2019-10-28 16:32:413576

華為正在減少電的N7和N5訂單

關于電的N5流程,ChainNews通過RetiredEngineer報告稱,蘋果迅速介入以彌補華為削減開支所帶來的損失。它補充說,蘋果還要求電在第四季度每月為其下代iDevices增加近10,000個晶圓。
2020-04-25 10:14:493246

Moortec推出基于N5工藝技術的DTS,可最大限度地提高硅性能

6月11日消息,Moortec今天宣布其深度嵌入式監控產品組合再添新成員 -- 基于N5工藝技術的分布式熱傳感器(DTS)。Moortec高度微粒化DTS的面積只有些標準芯片內熱傳感器
2020-06-15 15:04:322766

Moortec推出基于N5工藝技術的分布式熱傳感器(DTS)

Moortec宣布其深度嵌入式監控產品組合再添新成員 -- 基于N5工藝技術的分布式熱傳感器(DTS)。Moortec高度微粒化DTS的面積只有些標準芯片內熱傳感器解決方案的七分之,還支持
2020-08-04 15:00:021076

芯動科技助力 首款中芯國際“N+1”工藝芯片成功

據珠海特區報近日報道稱,中國領先的站式IP和定制芯片領軍企業——芯動科技發布消息稱,該公司已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過,為國產半導體生態鏈再立新功。
2020-10-12 09:46:187398

全自主國產芯片:所有IP全自主國產,功能一次測試通過

我國站式IP定制芯片企業芯動科技(INNOSILICON)近日宣布:已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過。 芯動科技擁有自主
2020-10-13 17:33:193784

思科技將開發廣泛DesignWare IP核產品組合

、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 ●新思科技與GF的長期合作,成功實現DesignWare IP核從180nm到12nm的開發,并可應用于廣泛領域 新思科技(Synopsys)近日宣布
2020-11-03 16:48:082984

電3nm制程技術遇瓶頸?

當下的半導體界,最值錢的非晶圓代工產能莫屬了。而作為行業龍頭,電的產能,特別是先進制程的,幾乎呈現被“瘋搶”的狀態,這也成為了該公司幸福的煩惱。就在不久前,電宣布取消未來段時間內12英寸晶
2021-01-12 14:55:482719

思科技部署下DesignWare IP 解決方案

DesignWare HBM2E PHY IP 可提供每秒 460 GB 的聚合帶寬,能夠滿足先進 FinFET 工藝 SoC 對海量計算性能的要求。HBM2E IP 是新思科技全面內存接口 IP
2021-02-14 09:22:001151

Socionext下代汽車定制芯片將采用5nm工藝

SoC 設計與應用技術領導廠商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布,公司采用電最新5nm制程工藝(N5P)用于下代汽車定制芯片業務。Socionext汽車定制芯片
2021-02-05 11:50:272701

SiFive成功采用N5工藝技術首個SoC

最大的RISC-V架構廠商SiFive近日宣布,其OpenFive部門已成功采用電(TSMC)的N5工藝技術公司首個SoC,采用2.5D封裝HBM3存儲單元,帶寬7.2Gbps。在半導體行業中,意味著芯片設計大功告成,般會在年內投入商用。
2021-05-01 09:33:003547

三星正式宣布3nm成功,性能將完勝

據外媒最新報道,三星宣布,3nm制程技術已經正式! 據悉,三星的3nm制程采用的是GAA架構,性能上完勝電的3nm FinFET架構! 據報導,三星在3nm制程進度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638

電宣布推出4nm制程工藝——N4P

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)近日,全球晶圓代工龍頭電宣布推出4nm制程工藝——N4P,希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。電表示,憑借5nm(N5)、4nm(N4)、3nm(N
2021-10-30 11:25:169826

思科技數字和定制設計平臺獲得公司N3制程認證

通過與公司在早期的持續合作,我們為采用公司先進的N3制程技術的設計提供了高度差異化的解決方案,讓客戶更有信心成功設計出復雜的SoC。
2021-11-02 09:24:25687

思科技與公司聯手提升系統集成至數千億個晶體管

雙方拓展戰略合作,提供全面的3D系統集成功能,支持在單封裝中集成數千億個晶體管 新思科技3DIC Compiler是統的多裸晶芯片設計實現平臺,無縫集成了基于公司3DFabric技術
2021-11-05 15:17:196382

公司授予新思科技多項“年度OIP合作伙伴”大獎項,肯定雙方在半導體創新方面的長期合作

雙方合作涵蓋新思科技的Interface IP、基于TSMC 3DFabric?的設計解決方案以及針對臺公司N4制程技術的PPA優化。
2021-11-08 11:54:45781

思科技數字定制設計平臺已獲公司N3制程技術認證

技(Synopsys)近日宣布其數字定制設計平臺已獲公司N3制程技術認證,雙方將共同優化下代芯片的功耗、性能和面積(PPA)。基于多年的密切合作,本次經嚴格驗證的認證是基于公司最新版本的設計規則手冊(DRM)和制程設計套件(PDK)。此外,新思科
2021-11-16 11:06:322326

思科技推出面向公司N6RF工藝全新射頻設計流程

思科技(Synopsys)近日推出面向公司N6RF工藝的全新射頻設計流程,以滿足日益復雜的射頻集成電路設計需求。
2022-06-24 14:30:131700

思科技獲得公司N3E和N4P工藝認證

思科技數字和定制設計流程獲得公司N3E和N4P工藝認證,并已推出面向該工藝的廣泛IP核組合。
2022-07-12 11:10:511780

第二代有人用了!電最新3nm工藝首顆芯片

日前,Alphawave公司宣布,其成為N3E工藝首批客戶。相關產品會在本周晚些時候的電OIP論壇上公布詳情。 據悉,這是款DSP PHY串行控制芯片,IP
2022-10-27 10:03:562099

思科技EDA和IP完整解決方案公司N3E工藝認證,加速HPC、AI、和移動領域設計

,納斯達克股票代碼:SNPS )近日宣布,得益于與公司的長期合作,新思科技針對臺公司N3E工藝技術取得了多項關鍵成就,共同推動先進工藝節點的持續創新。新思科技經產品驗證的數字和定制設計流程已在臺公司N3E工藝上獲得認證。此外,該流程和新思科廣泛
2022-11-08 13:37:191951

新思攜手公司推動半導體創新,以N3E工藝加速前沿應用芯片設計

3E工藝技術取得了多項關鍵成就,共同推動先進工藝節點的持續創新。新思科技經產品驗證的數字和定制設計流程已在臺公司N3E工藝上獲得認證。此外,該流程和新思科廣泛的基礎IP、接口IP組合已經在臺公司N3E工藝上實現了多項成功助力
2022-11-10 11:15:221158

思科技面向公司先進技術推出多裸晶芯片設計解決方案,共同推動系統級創新

為滿足客戶對異構計算密集型應用的復雜要求,新思科技(Synopsys,Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)近日宣布,推出業界領先的全面EDA和IP解決方案,面向采用公司先進N7、N5N
2022-11-16 16:25:431653

思科技面向電推出全面EDA和IP解決方案

? ? ?新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,推出全面EDA和IP解決方案,面向采用公司先進N7、N5N3工藝技術的2D/2.5D/3D多裸晶芯片系統。基于與公司
2022-12-01 14:10:19991

思科連續12年公司 “OIP年度合作伙伴”,攜手引領芯片創新

)設計流程是雙方合作中的亮點之思科技(Synopsys)近日宣布,連續第12年被評選為“公司OIP開放創新平臺年度合作伙伴”(OIP,Open Innovation Platform)并斬獲六個獎項,充分彰顯了雙方長期合作在 多裸晶芯片系統、 加速高質量接口IP、射頻設計、云解決方案
2022-12-14 18:45:021339

思科連續12年公司“OIP年度合作伙伴”,攜手引領芯片創新

摘要: 新思科連續12年被評為“公司OIP年度合作伙伴” 該合作推動了多裸晶芯片系統的發展和先進節點設計 獎項涵蓋數字和定制設計、IP、以及基于云的解決方案 推出毫米波(mmWave)射頻
2022-12-15 10:48:45542

創意電子采用Cadence數字解決方案完成首款N3制程芯片及首款AI優化的N5制程設計

的先進設計。另款 CPU 設計采用 AI 賦能的 Cadence Cerebrus Intelligent Chip Explorer 和完整的數字設計流程,借助N5 制程工藝,成功讓功耗降低 8%,設計面積縮小 9%,同時顯著提升了工程效率。
2023-02-06 15:02:482008

思科技DSO.ai助力客戶完成100,引領AI在芯片設計中的規模化應用

殊榮的新思科技DSO.ai解決方案通過大幅提高芯片設計效率、性能和云端擴展性,助力客戶實現新突破 摘要: 新思科技攜手芯片設計生態系統,通過DSO.ai率先實現100,覆蓋系列前沿
2023-02-10 10:56:07721

率先實現100,新思科技DSO.ai引領AI設計芯片進入規模化時代

思科 技攜手芯片設計生態系統,通過DSO.ai率先實現100 ,覆蓋系列前沿應用和不同先進工藝節點 意法半導體首次使用云端人工智能設計實現,通過DSO.ai以3倍的設計效率達成更高
2023-02-14 15:15:041359

Cadence成功基于N3E工藝的16G UCIe先進封裝 IP

來源:Cadence楷登 2023年4月26日,楷登電子近日宣布基于電 3nm(N3E)工藝技術的 Cadence? 16G UCIe? 2.5D 先進封裝 IP 成功。該 IP 采用
2023-04-27 16:35:401377

Cadence成功基于N3E工藝的16G UCIe先進封裝IP

IP 采用電 3DFabric? CoWoS-S 硅中介層技術實現,可提供超高的帶寬密度、高效的低功耗性能和卓越的低延遲
2023-04-28 15:14:121709

思科技、公司和Ansys強化生態系統合作,共促多裸晶芯片系統發展

股票代碼:SNPS)近日宣布,攜手公司和Ansys持續加強多裸晶芯片系統設計與制造方面的合作,助力加速異構芯片集成以實現下一階段的系統可擴展性和功能。得益于與公司在3DFabric?技術和3Dblox?標準中的合作,新思科技能夠為公司先進的7納米、5納米和3納米工藝技
2023-05-17 15:43:06450

思科技、公司和Ansys強化生態系統合作,共促多裸晶芯片系統發展

思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,攜手公司和Ansys持續加強多裸晶芯片系統設計與制造方面的合作,助力加速異構芯片集成以實現下一階段的系統可擴展性和功能。得益于與公司
2023-05-18 16:04:081365

思科技聯合公司和Ansys升級Multi-Die全方位解決方案,推動系統級創新

集成以實現下一階段的系統可擴展性和功能。得益于與公司在3DFabric技術和3Dblox標準中的合作,新思科技能夠為公司先進的7納米、5納米和3納米工藝技術上的多裸晶芯片系統設計,提供業界領先的全方位EDA和IP解決方案。公司先進工
2023-05-22 22:25:02875

Multi-Die系統設計里程碑:UCIe PHY IP在臺公司N3E工藝上成功

思科直與公司保持合作,利用公司先進的FinFET工藝提供高質量的IP。近日,新思科技宣布在臺公司N3E工藝上成功完成了Universal Chiplet Interconnect
2023-05-25 06:05:021446

一次成功!新思科助力Banias Labs網絡SoC,加快高性能計算設計

Labs實現光學DSP SoC設計的一次成功。2021年,Banias Labs采用了新思科技的IP,以充分利用該IP在低延遲、傳輸長度靈活性、以及在5納米工藝技術上的成熟度等方面的技術
2023-06-19 18:05:01642

芯片也能“開天眼”?新思科技攜手公司實現SLM PVT監控IP

的“耳目”。 新思科直走在芯片監控解決方案的前沿,而這些解決方案是新思科技芯片生命周期管理(SLM)系列的部分。最近, 新思科技在臺公司N5N3E工藝上完成了PVT監控IP測試芯片的 。這是個里程碑式的成功。從此,那些準備在這些先進節點
2023-07-11 17:40:011828

思科IP成功在臺公司3nm工藝實現

基于公司N3E工藝技術的新思科IP能夠為希望降低集成風險并加快首次成功的芯片制造商建立競爭優勢
2023-08-24 17:37:471737

MediaTek 采用公司 3 納米制程生產的芯片已成功,預計 2024 年量產

MediaTek 與公司今日共同宣布,MediaTek 首款采用公司 3 納米制程生產的天璣旗艦芯片開發進度十分順利,日前已成功,預計將在明年量產。MediaTek 與公司
2023-09-07 09:30:01868

MediaTek采用公司3納米制程生產的芯片已成功,預計2024年量產

? 2023 年9月7日 – MediaTek與公司今日共同宣布,MediaTek首款采用公司3納米制程生產的天璣旗艦芯片開發進度十分順利,日前已成功,預計將在明年量產。MediaTek
2023-09-07 10:14:48611

聯發科電3nm天璣旗艦芯片成功 或為“天璣9400”

成功。 3NM制程天璣旗艦芯片量產時間預計在2024年,2024年下半年會正式上市。業內估計3NM的MediaTek旗艦芯片型號應該不是今年上市的天璣9300,天璣9300可能采用的是
2023-09-08 12:36:132932

Cadence擴大TSMC N3E制程IP產品組合,推出新代224G-LR SerDes IP助力超大規模SoC設計

內容提要 ● ?經過驗證的接口 IP,可顯著提升 TSMC N3E 制程節點的性能和能效 ● ?224G-LR SerDes PHY IP 在 TSMC N3E 制程實現一次成功
2023-09-26 10:10:011655

高通或成為電3nm制程的第三家客戶

蘋果已經發布了基于電3nm制程的A17 Pro處理器。最近,有消息稱,高通的下5G旗艦芯片也將采用電3nm制程,并預計會在10月下旬公布,成為電3nm制程的第三個客戶,可能是高通驍龍8 Gen3。
2023-09-26 16:51:312546

思科技設備在臺電流2nm芯片

《半導體芯科技》編譯 來源:EENEWS EUROPE 新思科技(Synopsys)表示,其客戶已在臺電2nm工藝上流了多款芯片,同時對模擬和數字設計流程進行了認證。 新思科技表示,電2nm
2023-10-08 16:49:24930

思科技攜手公司加速2nm工藝創新,為先進SoC設計提供經認證的數字和模擬設計流程

多個設計流程在臺公司N2工藝上成功完成測試;多款IP產品已進入開發進程,不斷加快產品上市時間 ? 摘要: 新思科技經認證的數字和模擬設計流程可提高高性能計算、移動和AI芯片的產品質量
2023-10-19 11:44:22918

思科技提供跨公司先進工藝的參考流程,助力加速模擬設計遷移

作為Synopsys.ai EDA整體解決方案的部分,由AI驅動的模擬設計遷移助力提升模擬和混合信號 SoC 的設計生產率 摘要 : 新思科技AI驅動的設計解決方案可實現電路優化,在提高
2023-10-24 11:41:37962

思科技攜手公司加速N2工藝下的SoC創新

思科技近日宣布,其數字和定制/模擬設計流程已通過公司N2工藝技術認證,能夠幫助采用先進工藝節點的SoC實現更快、更高質量的交付。新思科技這兩類芯片設計流程的發展勢頭強勁,其中數字設計流程已實現
2023-10-24 16:42:061394

思科技面向公司N5A工藝技術推出領先的廣泛車規級IP組合

思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,面向公司N5A工藝推出業界領先的廣泛車規級接口IP和基礎IP產品組合,攜手公司推動下代“軟件定義汽車”發展,滿足汽車系統級芯片(SoC)的長期可靠性和高性能計算需求。
2023-10-24 17:24:561694

思科技推出業界領先的廣泛車規級接口IP和基礎IP產品組合

和 M-PHY ,以及 USB IP 產品都遵循了 TSMC N5A 工藝領先的車載等級設計規則。 新思科技宣布面向公司N5A工藝推出業界領先的廣泛車規級接口IP和基
2023-10-31 09:18:441918

思科技攜手合作伙伴開發針對臺公司N4P工藝的射頻設計參考流程

、汽車和高性能計算設計的開發和硅片成功。在2023年公司北美OIP生態系統論壇上,新思科技展示的解決方案數量遠超從前,進步突顯了新思科技與公司及其合作伙伴面向公司先進工藝和3DFabric技術的成熟解決方案方面的緊密合作。
2023-11-14 10:31:461202

電2023年報:先進制程與先進封裝業務成績

據悉,電近期發布的2023年報詳述其先進制程與先進封裝業務進展,包括N2、N3、N4、N5N6e等工藝節點,以及SoIC CoW、CoWoS-R、InFO_S、InFO_M_PoP等封裝技術
2024-04-25 15:54:581797

思科技面向公司先進工藝加速下代芯片創新

套件賦能可投產的數字和模擬設計流程能夠針對臺公司N3/N3P和N2工藝,助力實現芯片設計成功,并加速模擬設計遷移。 新思科技物理驗證解決方案已獲得公司N3P和N2工藝技術認證,可加速全芯片物理簽核。 新思科技3DIC Compiler和光子集成電路(PIC)解決方案與
2024-05-11 11:03:49695

思科技與公司深度合作,推動芯片設計創新

 新思科技EDA事業部戰略與產品管理副總裁Sanjay Bali表示:“新思科技在可投產的EDA流程和支持3Dblox標準的3DIC Compiler光子集成方面的先進成果,結合我們廣泛IP產品組合,使得我們與公司能夠助力開發者基于公司先進工藝加速下代芯片設計創新。
2024-05-11 16:25:421016

思科技與公司深化EDA與IP合作

思科技近日與公司宣布,在先進工藝節點設計領域開展了廣泛的EDA和IP合作。雙方的合作成果已經成功應用于系列人工智能、高性能計算和移動設計領域,取得了顯著成效。
2024-05-13 11:04:48931

思科技物理驗證解決方案已獲得公司N3P和N2工藝技術認證

由Synopsys.ai EDA套件賦能可投產的數字和模擬設計流程能夠針對臺公司N3/N3P和N2工藝,助力實現芯片設計成功,并加速模擬設計遷移。
2024-05-14 10:36:481197

電將采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案

在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上,電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產,而電計劃利用其N12和N5制程的改良版來完成這任務。
2024-05-20 09:14:111792

電準備生產HBM4基礎芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術研討會上,電透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程進行生產,電計劃使用其N12和N5制程的改良版來完成這任務。
2024-05-21 14:53:141442

電SoIC技術助力蘋果M5芯片,預計2025年量產

在半導體行業的最新動態中,電再次展示了其在制程技術和封裝技術方面的領先地位。本周,電宣布其2nm制程工藝即將進入試產階段,而蘋果公司則獨占了這先進制程的首批產能,計劃用于制造備受期待
2024-07-16 10:28:581698

SK海力士攜手電,N5工藝打造高性能HBM4內存

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用電先進的N5工藝版基礎裸來構建其新代HBM4內存。這舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入個全新的發展階段。
2024-07-18 09:47:531328

消息稱AMD將成為電美國廠5nm第二大客戶

據業界最新消息,AMD即將成為電位于美國亞利桑那州菲尼克斯附近的Fab 21工廠的第二大知名客戶,該工廠已經開始試產包括N5N5P、N4、N4P及N4X在內的系列5nm節點制程
2024-10-08 15:37:03840

思科技再獲公司多項OIP年度合作伙伴大獎

半導體技術領域的發展速度十分驚人,新思科技與公司(TSMC)始終處于行業領先地位,不斷突破技術邊界,推動芯片設計的創新與效率提升。我們與公司的長期合作催生了眾多行業進步,從更精細的工藝節點到更高層次的系統集成,創造了無限可能。
2024-10-31 14:28:171022

千視全新固件發布 | N60、N5N6、E3 實力升級,助力音視頻行業高效創作

在音視頻行業追求高畫質、低延時、高效率的傳輸制作環境中,技術創新始終是驅動進步的核心力量。千視秉承“以用戶為中心”的理念,再次從市場痛點出發,為用戶提供更優質的解決方案。這一次,我們推出了針對N
2024-12-18 10:02:511679

蘋果M5芯片量產,采用N3P制程工藝

工藝——N3P。與前代工藝相比,N3P在性能上實現了約5%的提升,同時在功耗方面降低了5%至10%。這顯著的進步意味著,搭載M5芯片的設備將能夠提供更強大的處理能力,同時擁有更出色的電池續航能力。 除了制程工藝的提升,蘋果M5系列芯片還采用
2025-02-06 14:17:461313

OPPO Find N5真機照曝光,折痕問題突破

在分享中表示,OPPO工程師在折疊屏技術上取得了重大突破,成功解決了折疊屏手機普遍存在的折痕問題。為了實現目標,工程師們在Find N5的30個關鍵部件上采用了20種新材料,這些創新材料的應用使得Find N5在不犧牲耐用性的前提下,實現了無與倫比的輕薄設計。
2025-02-07 10:59:451067

AMD實現首個基于N2制程的硅片里程碑

代號為“Venice”的新代AMD EPYC CPU是首款基于電新N2制程的高性能計算產品。 ? AMD表示,其代號為“Venice”的新代AMD EPYC?處理器是業界首款完成
2025-05-06 14:46:20637

思科技攜手公司開啟埃米級設計時代

思科技近日宣布持續深化與公司的合作,為公司的先進工藝和先進封裝技術提供可靠的EDA和IP解決方案,加速AI芯片設計和多芯片設計創新。
2025-05-27 17:00:551040

Cadence基于N4工藝交付16GT/s UCIe Gen1 IP

我們很高興展示基于電成熟 N4 工藝打造的 Gen1 UCIe IP 的 16GT/s 眼圖。該 IP 一次成功且眼圖清晰開闊,為尋求 Die-to-Die連接的客戶再添新選擇。
2025-08-25 16:48:051780

MediaTek采用電2納米制程開發芯片

MediaTek 今日宣布,MediaTek 首款采用電 2 納米制程的旗艦系統單芯片(SoC)已成功完成設計(Tape out),成為首批采用技術公司,并預計明年底進入量產。雙方
2025-09-16 16:40:31978

看點:電2納米N2制程吸引超15家客戶 英偉達擬向OpenAI投資1000億美元

給大家分享兩個熱點消息: 電2納米N2制程吸引超15家客戶 此前有媒體爆出蘋果公司已經鎖定了電2026年半以上的2nm產能;而高通和聯發科等其他客戶難以獲得足夠多的電2nm制程的產能
2025-09-23 16:47:06752

電2納米制程試產成功,AI、5G、汽車芯片

電2nm 制程試產成功 近日,晶圓代工龍頭電(TSMC)正式宣布其2納米制程技術試產成功,這重大里程碑標志著全球半導體產業正式邁入全新的制程時代。隨著試產工作的順利推進,2納米芯片距離量產
2025-10-16 15:48:271090

思科技旗下Ansys仿真和分析解決方案產品組合已通過公司認證

還就面向TSMC-COUPE平臺的AI輔助設計流程開展了合作。新思科技與公司共同賦能客戶有效開展芯片設計,涵蓋AI加速、高速通信和先進計算等系列應用。
2025-10-21 10:11:05434

思科技LPDDR6 IP已在臺公司N2P工藝成功

思科技近期宣布,其LPDDR6 IP已在臺公司 N2P 工藝成功,并完成初步功能驗證。這成果不僅鞏固并強化了新思科技在先進工藝節點 IP 領域的領先地位,同時也為客戶提供可信賴的、經硅片驗證的IP選擇,可滿足移動通訊、邊緣 AI 及高性能計算等更高存儲帶寬需求的應用場景。
2025-10-30 14:33:481873

Cadence公司成功第三代UCIe IP解決方案

為推動小芯片創新的下波浪潮,Cadence 成功其第三代通用小芯片互連技術(UCIe)IP 解決方案,在臺電先進的 N3P 工藝上實現了業界領先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業向日
2025-12-26 09:59:44168

已全部加載完成