【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）今天通過其子公司英飛凌奧地利科技股份有限公司（Infineon Technologies Austria AG）對英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英諾賽科美國公司（Innoscience America, Inc）及其關聯公司（以下簡稱：英諾賽科）提起訴訟。英飛凌正在就其侵犯英飛凌擁有的一項與氮化鎵（GaN）技術有關的美國專利尋求永久禁令。該專利權利要求涉及氮化鎵功率半導體的核心方面，包括提高英飛凌專有氮化鎵器件可靠性和性能的創新技術。該訴訟是在加利福尼亞州北區地方法院提起的。
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英飛凌指控英諾賽科生產、使用、銷售、要約銷售和/或向美國進口各種產品侵犯了英飛凌的上述專利，這些產品包括應用于汽車、數據中心、太陽能、電機驅動、消費電子產品的氮化鎵晶體管，以及在汽車、工業和商業應用中使用的相關產品。
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英飛凌電源與傳感系統事業部總裁Adam White表示："氮化鎵功率晶體管的生產需要全新的半導體設計和工藝。英飛凌擁有近二十年在氮化鎵領域的經驗，能夠保證最終產品達到其最高性能所需的卓越品質。我們積極保護我們的知識產權，從而符合所有客戶和最終用戶的利益。" 數十年來，英飛凌一直致力于氮化鎵技術的研發、產品開發和制造技術的投資。英飛凌將繼續捍衛其知識產權并保護其投資。
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2023 年 10 月 24 日，英飛凌宣布完成對 GaN Systems Inc. (氮化鎵系統公司)的收購。英飛凌擁有超過350個氮化鎵技術專利家族，進一步擴大了英飛凌在功率半導體領域的領先優勢。市場分析師預計，到 2028 年，用于功率應用的氮化鎵收入將以年均 49% 的速度增長，達到約 20 億美元（資料來源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。氮化鎵是一種寬禁帶半導體，具有卓越的開關性能，可實現更小尺寸、更高效率和更低成本的電源系統。
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