隨著5G、新能源和快充等應用的興起，第三代半導體材料也開始嶄露頭角。

電子發燒友網《2021半導體產業展望》專題， 收到近50位國內外半導體創新領袖企業高管的前瞻觀點。歲末之際，電子發燒友特別采訪了英諾賽科產品應用經理鄒艷波，他對2021年半導體市場提供了自己的前瞻觀點和技術趨勢分析。 第三代半導體崛起

功率半導體朝著第三代半導體發展，10KW的大功率市場會逐步被SIC替代，10KW的中小功率市場會逐步被GaN取代。英諾賽科的氮化鎵功率器件，隨著制程工藝的不斷優化，氮化鎵功率器件的性能和成本優勢將更加明顯。

氮化鎵帶來快充變革

今年一個比較大的亮點就是小米發布了氮化鎵快充，雷軍為氮化鎵快充代言，這個事件標志著第三代半導體氮化鎵開始在快充領域的大規模應用。氮化鎵作為第三代半導體材料，具備高頻高效的特性，其大規模的應用將推動整個功率半導體市場帶來變革。

半導體新賽道

明年半導體行業會進一步國產轉移，國產半導體行業會進一步發展，第三代半導體氮化鎵為國產半導體發展提供了絕好的契機，提供了半導體的新賽道，中國半導體有望在這個新的賽道實現國際領先。第三代半導體氮化鎵功率器件在明年的市場應用也將迎來高速發展，在手機，數據中心，5G基站，自動駕駛的應用將實現突破。