電子發燒友網報道（文/莫婷婷）2024年12 月 30 日，英諾賽科在香港聯合交易所主板掛牌上市。此次發行45,364,000股，發行價為30.86港元。

2024年6月，英諾賽科（珠海）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交了上市申請。同年12月，英諾賽科通過IPO備案。英諾賽科的港交所上市之路進展順利。此次IPO，英諾賽科擬募資13.999億港元。

氮化鎵全球第一，虧損幅度逐年收窄

英諾賽科是全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。其產品包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、氮化鎵集成電路及氮化鎵模組等。按收入計，在2023年全球所有氮化鎵功率半導體公司中，英諾賽科排名第一，市場份額為33.7%。

具體來看，公司氮化鎵分立器件及集成電路、氮化鎵晶圓、氮化鎵模組三大類產品營收占總營收的比例基本都在30%左右。在2023年推出氮化鎵模組后，當年便產生了占總收入的32.1%的營收。

2023年，英諾賽科的全球市場收入為人民幣592.7百萬元，中國市場收入為人民幣534.8百萬元，分別占全球功率半導體市場及中國功率半導體市場的0.2%及 0.4%。

可以說，英諾賽科是氮化鎵功率半導體領域的龍頭企業。在完成IPO前的最后一輪融資后，估值超234億元。

不過正是這樣的一家龍頭企業，卻始終增收不增利，截至今年上半年還處于虧損狀態。招股書顯示，英諾賽科2021年、2022年、2023年、2024年上半年營收分別為6821.5萬元、1.36億元、5.93億元、3.85億元，營收實現穩速增長；同期凈利潤分別為-33.99億元、-22.05億元、-11.02億元、-4.88億元，合計虧損超70億元，凈利潤虧損幅度有所收窄。只不過毛虧損有所擴大，同期分別為1.82億、3.94億、3.62億元、8324萬元。

英諾賽科營收情況

毛損率由2021年的266.1%增加至2022年的289.4%，英諾賽科在招股書中解釋，一方面是因為英諾賽科由2021年初始研發階段過渡至2022年量產階段，而且我們的毛損率在穩定量產階段中達至更高的生產效率前出現波動。另一方面，英諾賽科投入使用的工廠、建筑物以及設備及機械的數量不斷增加，折舊及攤銷以及工程及維護成本不斷增加。

在產品方面，英諾賽科的氮化鎵分立器件及氮化鎵集成電路的毛損率于2021年至2022年轉差，是因為在2022年公司對推出多款全新的低電壓氮化鎵芯片產品，采取策略性定價以滲透市場。

近兩年來，國內分立器件市場競爭激烈，特別是在前兩年消費電子市場需求疲軟，多家分立器件企業采取了降價去庫存的策略，公司營收整體出現下滑。例如從各家上市的分立器件廠商的2023年上半年業績來看，立昂微、新潔能等企業均出現了營收凈利雙降。英諾賽科同樣受到市場行情的影響。

積極的一面是，2022年，隨著晶圓產品達到較高的良率，降低每件成本，英諾賽科氮化鎵晶圓的毛損率于同期則略有改善。

研發支出產能利用率70%以上，研發投資轉為商業成功

英諾賽科的虧損也與公司采用IDM模式有關，采用IDM模式的的公司通常在產能提升階段經歷需投入大量資本及研發支出的周期過程，可能會導致短期虧損。

招股書顯示，英諾賽科2021-2023年，英諾賽科研發開支分別為6.62億元、5.81億元、3.48億元，分別占總營收的970.0%、426.7%、58.8%。隨著工程測試開支的減少，英諾賽科研發支出逐年下降，2024年上半年的研發開支為1.45億元。2022年第二季度，公司進入量產階段，初始研發投資開始轉化為商業成功。

隨著技術研發投入，英諾賽科氮化鎵產品組合不斷豐富，并在900V至1,200V高壓產品及15V至30V低壓產品的開發方面不斷創新。產品應用領域從從消費級邁向工業級，并正在向車規級邁進。

英諾賽科基于8英吋硅基氮化鎵技術平臺開發了一系列技術，包括氮化鎵材料技術、8 英吋硅基氮化鎵產品設計技術，及8英吋硅基氮化鎵生產工藝技術。截至2024年6 月30日，英諾賽科的研發工作已于全球累積319項專利及430項專利申請。

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能為每月12,500 片晶圓，晶圓良率超過95%。在產能方面，2021年、2022年、2023年以及截至2024年上半年，英諾賽科的產能利用率分別為72.3%、69.8%、71.8%及72.8%。