電子發燒友網報道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機會，基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝，探索擴大氮化鎵功率器件的生產規模。

備忘錄中明確了合作框架，將整合安森美在集成系統與封裝領域的領導地位，以及英諾賽科成熟的氮化鎵技術與高產量制造能力，為工業、汽車、電信基礎設施、消費電子和人工智能數據中心市場提供高性價比、高能效的氮化鎵產品。

安森美表示，對于安森美的客戶而言，與英諾賽科的合作將帶來三大核心價值：

l更快上市速度：借助安森美的系統專業知識與英諾賽科成熟的氮化鎵技術及制造能力，實現快速原型開發、加速設計導入，迅速切入主流市場；
l可擴展制造：依托安森美的全球集成與封裝經驗，以及英諾賽科已建立的氮化鎵產能，實現真正的大眾市場規模化生產，滿足大規模產能爬坡需求；
l更低系統成本：優化的封裝設計、更少的元器件數量及簡化的熱管理方案，帶來更緊湊的產品設計及更低的系統總成本。

英諾賽科表示，雙方合作將通過晶圓采購等方式，有望在未來幾年將帶來數億美元的氮化鎵銷售，并為合作雙方在新能源汽車、人工智能、數據中心，工業等關鍵領域的市場開拓與布局帶來先機。

值得一提的是，安森美此前曾與多家GaN器件廠商合作。2015年開始，安森美在Gan功率器件領域與Transphorm合作，開發 600V GaN 級聯結構晶體管；2019年安森美采用 GaN Systems 的 650V、30A 氮化鎵增強型晶體管，搭配安森美的 NCP51820 高速柵極驅動器，推出高速半橋 GaN 系統評估板。

后續GaN Systems被英飛凌收購、Transphorm被瑞薩收購后，安森美并未放棄在GaN領域的布局。

安森美在2024年12月以2000萬美元收購了已破產的垂直氮化鎵廠商NexGen Power Systems的晶圓廠，另外還購買了NexGen的知識產權和其擁有的工廠設備。實際上，NexGen此前已經推出了性能指標亮眼的垂直GaN器件工程樣品，但由于種種原因倒在量產前。

在吸收NexGen資產后，今年11月，安森美正式發布可量產垂直GaN功率半導體技術，并表示研究人員對垂直氮化鎵的探索已持續 15 年以上，但直至今日，安森美才成為全球首家實現該技術規模化量產上市的企業。

垂直GaN主要優勢在于1200V以上的高壓領域，而目前已經受到市場廣泛驗證的橫向GaN功率半導體仍是主流，在AI數據中心、電動汽車等領域仍有巨大的市場拓展空間。因此安森美這次與英諾賽科合作，也是為了補足中低壓GaN產品線，聯合英諾賽科的硅基氮化鎵晶圓制造優勢，形成覆蓋 “晶圓制造→封裝→系統集成”的產業鏈條互補。

得益于在硅基氮化鎵領域的制造能力優勢，英諾賽科在近期也有多項重大產業鏈合作落地。包括9月份與聯合電子、納芯微共同簽署戰略合作協議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統，聯合研發智能集成氮化鎵相關產品。

11月，意法半導體推出了一系列基于氮化鎵技術的反激式電源集成器件VIPerGaN50W，可簡化緊湊、高效的USB-PD充電器、快速電池充電器和輔助電源的設計和構建。該系列產品采用了英諾賽科700V高性能氮化鎵晶圓，實現了電源設計更緊湊、更高效應用。

同在11月，Allegro與英諾賽科宣布達成戰略合作，推出一款開創性的 4.2kW 全 GaN 參考設計，該設計采用了英諾賽科高性能氮化鎵和 Allegro 的先進柵極驅動器技術。該新型電源供應單元參考設計整合了英諾賽科650V 和150V 高性能氮化鎵功率晶體管與Allegro創新的 Power-Thru? AHV85110 隔離式柵極驅動器，后者具備自供電架構，并集成偏置電源。這種獨特組合可實現卓越的開關性能和精簡的系統設計，助力工程師達成鈦金級電源效率和超過 100 W/in3 的功率密度，極大地簡化了系統設計，并顯著減少了無源元件的數量。