芯片巨頭英飛凌今日宣稱已在美國法庭發起針對中國同行英諾賽科的專利訴訟，涉及與其氮化鎵（GaN）技術相關的重要美國專利。作為全球領先的氮化鎵供應商，英飛凌貴在于此先進技術。GaN是優秀的寬體材料，擁有卓越的開關性能，可打造出更為緊湊高效且經濟實惠的電力系統。

英飛凌現已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構涉嫌侵犯有關GaN技術的美國專利，尋求永久禁令。據悉，該專利覆蓋GaN功率半導體的核心部分，和英飛凌專有的GaN器件的可靠性和性能息息相關。訴訟已被提交至加利福尼亞州中區地方法院審理。

英飛凌在起訴書中指責多個產品侵犯了其在美國范圍內的廣泛專利權，涉及汽車、數據中心、太陽能、電動機驅動和消費電子等應用領域中的GaN晶體管制造及運營。公司方面強調，這些行為未經許可，可能給消費者和社會帶來潛在的危害。

英飛凌公司電源與傳感器系統部門的總裁Adamwhite表示，GaN功率晶體管的生產需依賴全新的半導體設計和工藝，經過多年的實踐和積累，已經無可爭議地成為了行業領導者。公司堅持保護自身知識產權，以確保客戶和最終用戶的權益。眾所周知，多年來，英飛凌在與GaN技術相關的研發、產品開發和制造上投入巨大。公司仍將不斷加大力度維護自己的知識產權，以此來保護歷年所累積的寶貴投資。

值得一提的是，日前，英飛凌順利完成對于GaN Systems的收購，成功躋身業內前茅，鞏固了其在功率半導體領域的領先地位。目前，英飛凌以逾350個專利族的實力雄踞行業領軍者之席。據市場分析師預測，至2028年，低壓大電流應用的GaN收入將保持高達49%的復合年均增長率，有望突破20億美元的新高。