2021中國半導體投資聯盟年會暨中國IC 風云榜頒獎典禮在北京舉辦。英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）榮獲2021中國IC風云榜“年度獨角獸獎”。

英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與生產的高科技企業。英諾賽科采用IDM模式，集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體，成功打造硅基氮化鎵全產業鏈平臺。2017年11月率先建成8英寸硅基氮化鎵量產線，產品涵蓋30-900V功率半導體器件，IC及射頻器件。

英諾賽科30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產品已陸續推出并實現量產，為世界上唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業。

破局

英諾賽科CFO鐘山在接受集微網采訪時表示，2020年是氮化鎵關注度迅速升溫的一年。在小米10系列發布會上，氮化鎵快充充電器的亮相迅速吸引市場的注意，往后國內對于氮化鎵的關注度猛增，甚至包括中國的A股市場也出現所謂的氮化鎵概念股等。

這在一定程度上也解惑了此前投資機構做調研時的疑慮，即氮化鎵何時才會爆發？

鐘山指出，氮化鎵進入快充等消費市場是邁好了第一步，但絕不是氮化鎵唯一有意義的應用場景，低壓的應用前景將更為廣闊，諸如數據中心服務器、人工智能服務器的DC-DC相關器件已在逐步量產，業內普遍感知，無論是在消費端還是在工業端，氮化鎵都已打開了局面。此外，有很多從業人員也將目光聚焦在了氮化鎵這一領域，特別是一些下游廠商都在積極招兵買馬，收編對氮化鎵器件有一定經驗和了解的工程師，幫助公司提供相應的解決方案。而相應的，氮化鎵領域的從業人員也比以往多很多。

據了解，英諾賽科與浪潮、小米、OPPO、比亞迪、禾賽科技、安森美、MPS 等國內外廠商開展深入合作，功率芯片和射頻芯片的應用開發。

基于公司氮化鎵高壓芯片的大功率、小型化手機快充已經全面推向市場，英諾賽科成為中國唯一一家提供氮化鎵快充芯片的企業，打破了美國公司氮化鎵快充芯片在該領域的壟斷局面，公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產品在2020年4季度出貨已達數百萬顆。

英諾賽科低壓氮化鎵產品已取代美國EPC 公司產品，成為中國領先的激光雷達企業禾賽科技的供應商，實現國產替代。

此外，英諾賽科已成功開發出應用于數據中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產品，可取代原有硅器件，大幅度提升系統效率，降低能耗及運營成本。

“疫情” “缺貨”

2020年是屬于氮化鎵火熱的一年，但對于半導體企業或是整個科技業而言，2020開年和末尾都給心頭澆了三把急迫的“火”。

開年疫情的影響，全球物流運輸停擺，人員因各國、各地的疫情防控措施的限制，返工困難，入境難上加難，對于英諾賽科這樣擁有晶圓廠的IDM企業而言如臨大敵。

鐘山表示，2020年上半年對業界總體而言是比較糟糕的，國內外疫情的爆發有著“時差”。國內疫情嚴重時難以去國外驗收貴重的設備，國外疫情嚴重時，海外專業人員無法入境，這種“時差”對裝機等方面帶來了不小的阻力。

在面對巨大困難時，英諾賽科也沒有停滯原本的計劃。

鐘山表示，在股東和國家省、市各級領導政府的幫助下，通過幾個月的申請，將規模較大的海外工程師團隊申請入境，進行調試和安裝，最終將既定目標達成。在此過程中，公司各職能部門都表現出極高專業素養，積極落實抗疫管控政策，讓公司的運營有條不紊的繼續下去。

另一方面，團隊在戰略布局上非常堅定，對氮化鎵產業發展充滿了信心，因而在疫情穩定后，加快蘇州工廠的建設，把原來一季度損失的建設時間搶回來，為公司未來發展奠定了堅實的基礎。

對于缺貨問題，鐘山指出，英諾賽科一直在按照既定戰略發展，對于缺貨問題也會持續關注，今年一季度開始會繼續加快發展步伐，盡最大的可能預測市場和行業的發展，然后提早做好產能規劃、設備的部署等。

國產化熱潮下的2021

從美國將魔抓伸向中國科技業開始，“國產化”的花朵便開滿了半導體業的這片山頭，無論是國家還是投資機構都成為了辛勤的園丁。

鐘山表示，國內整體的行業環境近兩年確實比從前要好很多，對于半導體業而言這是一個很好的機遇。

作為一個IDM企業，面對國產化替代的時代機遇，鐘山認為有三點需要抓緊。

第一，自身的產品研發和量產是企業根本。過去國產產品連送樣的機會都不多，而現在許多客戶愿意去嘗試，在這種情況下需保證自己的產品質量和創新能力，打鐵還需自身硬。

第二，加快合作。通過與上下游廠商的合作，進一步優化產品設計、制造工藝，完善生態鏈建設

第三，加快公司發展。利用良好的市場環境，加快融資步伐，獲得快速發展，夯實基礎。

鐘山強調，國產替代不能簡單的去做低端產品的復制，要瞄準國外的競爭對手，在現有產品或是更新的領域上做突破，做自主創新。而在硅基氮化鎵這個細分領域我們完全有能力和機會引領行業發展。

展望2021年，鐘山表示，英諾賽科將繼續擴大已有量產產品在各個領域的出貨量，進一步擁抱市場，獲得市場認可。產品方面，高壓硅基氮化鎵芯片系列以快充為主，低壓芯片系列將有重磅產品會發布。

無論從技術的發展趨勢、市場應用還是國家政策導向層面，第三代半導體氮化鎵具有十分廣闊的市場前景。且中國作為全球最大的半導體消費市場，在市場風口到來、產業火熱加碼布局等利好因素加持下，國內第三代半導體產業正在進擊前行。隨著相關企業持續擴增產能、降低生產成本、提高產品可靠性，國產第三代半導體器件在下游應用市場的滲透率將日漸提升，并實現國產替代。

英諾賽科將一如既往堅持創新研發，除了消費電子產品以外，還將加快開發適用于5G通信、數據中心等新型基礎設施的芯片和解決方案，為“新基建”注入新動能，以創新驅動發展助力中國“芯”突破，在龐大的半導體產業中實現對進口技術和產品的替代，讓中國成為第三代半導體硅基氮化鎵制造的世界第一。
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