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英諾賽科IPO!三年營收超7億累計虧損67億,開拓海外市場

Monika觀察 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:莫婷婷 ? 2024-06-17 00:11 ? 次閱讀
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電子發燒友網報道(文/莫婷婷)近期,作為業內氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業在公開招股書后,終于讓業內人士看到了公司的經營情況。那么,成立于2015年的英諾賽科,在第三代半導體市場快速起量的近幾年發展如何呢?

三年營收超7億,虧損累計67

英諾賽科在招股書中表示,公司是全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司,也是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。

氮化鎵憑借在效率、功率密度和可靠性方面的優勢,已經成為功率半導體行業傳統硅材料的替代和升級材料,解決了硅材料在頻率、功率、功耗、熱管理和器件尺寸方面的限制,可以應用在消費電子、可再生能源和工業、電動汽車、數據中心等多個領域。

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數據顯示,全球功率半導體市場規模在2019年約為3,206億元,2023年已經增長至3,357億元,預計到2028年將達到4,968億元,2024年到2028年的復合年增長率為7.8%。與此同步增長的還有氮化鎵市場。

2023年全球氮化鎵功率半導體占整體功率半導體市場份額為0.5%,其中占全球功率半導體分立器件市場份額為1.4%。研究機構預計到2028年將占全球功率半導體的 10.1%,占全球功率半導體分立器件市場比例提升至24.9%

氮化鎵功率半導體市場的增長空間,將是英諾賽科等氮化鎵企業的成長機會。

從財務數據來看,英諾賽科在報告期內的營收不斷增長,2021年、2022年及2023年的營收分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元。但是在這三年,公司還未實現盈利,同期分別虧損34億元、22.05億元、11.02億元,累計虧損額約67億元;經調整凈虧損分別為10.81億元、12.77億元和10.16億元,合計虧損33.74億元。

對于虧損原因,英諾賽科談到三大方面:一是在實現規模經濟前生產設備大幅折舊;二是往績記錄期間確認的大額研發開支;三是往績記錄期間銷售及營銷開支不斷增加。

招股書顯示,公司的流動資產凈值由截至2022年12月31日的人民幣916.1百萬元減少至截至 2023年12月31日的人民幣185.3百萬元。

截至2023年12月31日,以折算氮化鎵分立器件計,英諾賽科的累計出貨量超過5.0億顆。

分業務來看,2021年、2022年及2023年,氮化鎵分立器件及集成電路收入分別為0.28億元、0.86億元及1.92億元,分別占總收入的40.7%、63.3%及32.4%,復合年增長率為163.0%。氮化鎵晶圓的收入由2021年的0.39億元增至2023年的2.08億元,復合年增長率為130.1%。2023年,英諾賽科開始銷售氮化鎵模組,年收入達到190.4百萬元。

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研發投入近16億元,月產能超10,000片晶圓

在研發方面,報告期內的研發開支分別是6.62億元、5.81億元、3.49億元,三年累計近16億元,分別占同期運營開支的76.1%、68.4%及 50.8%。毫無疑問,未來的研發投資還會持續增加,在打造技術競爭優勢時,英諾賽科也面臨著財務壓力。

報告期內,英諾賽科開發了旗艦產品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列,是其首創的專利技術,最大的特點是由于可以實現雙向導通,一顆 V-GaN芯片能替代兩顆硅MOSFET,從而達到節省空間、降低發熱的效果。

英諾賽科表示,公司利用本身的技術平臺,擴大了氮化鎵產品組合,以涵蓋廣泛的電壓范圍,并在900伏至1,200伏高壓產品及15伏至30伏低壓產品的開發方面不斷創新。英諾賽科還計劃發力車規級市場。

在現階段,英諾賽科的技術優勢已經得到行業的認可,氮化鎵分立器件可用于各種低中高壓應用場景,產品研發范圍覆蓋15V至1,200V。當前英諾賽科已經有了成熟的8英吋量產技術、全電壓譜系產品組合、獨特的氮化鎵封裝技術,以及高可靠的產品。

在8英吋量產技術方面,英諾賽科所開發的工藝流程完全與氮化鎵相容,并包含外延、平整及蝕刻工藝等一系列工藝。且8英吋硅基氮化鎵晶圓技術能夠與現有硅基設備無縫集成,從而實現遠高于6英吋氮化鎵晶圓的效率。這一成績也突破了國內的8英寸硅基氮化鎵外延與芯片領域的空白。

英諾賽科表示公司已經突破了每月10,000片晶圓的生產瓶頸,實現了產業規模的商業化,截至2023年12月31日,晶圓良率超過95%。

招股書顯示,從2021年到2023年,英諾賽科的蘇州生產基地和珠海生產基地的產能基本實現提升。在2023年,英諾賽科氮化鎵晶圓總產能為9.27萬片,產量約為6.66萬片,產能利用率為71.8%。其中,蘇州工廠的產能為4.8萬片/年,產量為4.13萬片左右,產能利用率為86%;珠海工廠的產能約為4.47萬片,產量約為2.5萬片左右,產能利用率為56.5%。

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在封裝技術方面,英諾賽科專有的高散熱封裝技術是為氮化鎵高電子遷移率晶體管(HE MT)而設計,解決了其平面結構以及緊湊尺寸和高功率密度帶來的挑戰。

值得一提的是,英諾賽科還開拓了境外市場,2023年境外銷售收入約為5800萬元,占同期總收入的9.8%。

關于本次IPO的募集資金數額,英諾賽科并未透露,但其在招股書提到了募集資金的用途:50%%將用于擴大8英吋氮化鎵晶圓產能(從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴大至未來五年每月70,000片晶圓)、購買及升級生產設備及機器及招聘生產人員。17.0%將用于償還銀行貸款。15.0%將用于研發及擴大產品組合,以提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率。8.0%將用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡。10.0%將用于營運資金及其他一般公司用途。




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