（電子發燒友網報道 文/章鷹）8月28日，英諾賽科發布2025年半年報，英諾賽科營收達到5.53億元，比去年同期增長43.4%；毛利達到3780萬元，從上年的同期虧損轉為盈利；毛利率也從之前的負數變成了6.8%，經營虧損收窄。財報披露，英諾賽科營收增長，主要是氮化鎵應用領域持續拓展，從數據來看在氮化鎵（GaN）市場拓展和成本控制上都有了進展。

加大研發投入，公司重磅推出兩款低壓GaN電機驅動方案

2025年上半年，英諾賽科的研發成本達到1.623億元，較上年同期增長11.5%，主要投入在產品應用領域拓展和新品開發。

9月5日，英諾賽科全球氮化鎵(GaN)功率半導體領導者宣布其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市！該系列憑借更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統設計樹立新標桿。

9月10日，英諾賽科官宣兩款低壓GaN電機驅動方案。INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ，為機器人、無人機、電動工具等低壓電機應用帶來革命性突破。

圖來自英諾賽科官網

這兩款低壓電機驅動方案，各有什么亮點？一顆分立方案，一顆是集成方案。

首先，INNDMD48V25A1 (分立方案)：采用 6顆INN100EA035A分立器件+3顆INS2003FQ專用驅動IC，更好地發揮了分立方案靈活性。

INNDMD48V22A1(集成方案)：采用3顆ISG3204LA半橋合封GaN（內置驅動），集成度高，布局更簡潔。

圖來自英諾賽科官網

這兩款方案有四大優勢：一、損耗大幅降低，能效顯著提升在40kHz開關頻率、20A相電流條件下：分立方案 (INN100EA035A) 總損耗為11.6W，對標的Si方案為19W，降幅達39%；合封方案 (ISG3204LA) 總損耗為12.3W，對標的Si方案為16.3W，降幅達24.5%。

二、高頻性能優異，助力小型化設計GaN器件開關速度快，死區時間可縮短至100ns。當開關頻率從20kHz提升至40kHz：INS2003FQ+INN100EA035A分立器件方案中的GaN系統損耗僅增加0.7W，而Si方案增加了4.1W，GaN損耗增量降低83%；頻率提升帶來的溫升僅10℃，為系統繼續提升頻率、縮小電感與電容體積預留了空間。

三、電流輸出能力更強，功率密度更高分立GaN方案最大輸出電流有效值比Si方案提升3.5A；在相同溫升條件下，可支持更高負載電流，輕松實現更高功率密度。

四、溫度表現卓越，系統更可靠在相同散熱條件下，GaN器件溫度比Si方案低23℃以上；在18A以下相電流時，合封GaN方案可無需散熱器，極大減小系統體積。

英諾賽科優化成本結構，機器人和數據中心客戶需求大增

英諾賽科2025年上半年銷售及營銷開支為5390萬元，較上年同期的5070萬元增加6.4%，主要由于銷售人員隊伍的擴充，薪酬支出相應增加；行政開支為2.46億元，較上年同期的2億元增加21.5%，主要由于報告期內專業咨詢服務相關的費用增加。

英諾賽科2025年上半年財務成本為5250萬元，較上年同期的4410萬元增加19.0%，主要由于報告期內新增貸款利息的增加。

截至2025年6月30日，英諾賽科的現金及現金等價物為14.25億元，而截至2024年12月31日為15.25億元。

截至2025年6月30日，英諾賽科的貸款及借款總額為24.95億元，較截至2024年12月31日增加5.71億元，主要由于支持擴大生產規模，增加貸款。

從英諾賽科方面獲悉，目前，公司已與機器人領域頭部企業合作，并成功推出全球首款氮化鎵機器人。“今年，由公司提供芯片的氮化鎵機器人出貨數量有望突破萬級規模，單臺機器人所需氮化鎵芯片約300顆，而隨著技術的持續迭代，人形機器人對氮化鎵芯片的需求將顯著攀升，單臺機器人的氮化鎵芯片使用量有望增長至1000顆，以實現手指、腰部等關鍵部位完成難度更高、更復雜的動作。”英諾賽科方面表示。

2025年8月初，英諾賽科宣布公司與英偉達達成合作，聯合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規模化落地。

該架構是英偉達針對未來高效供電兆瓦級計算基礎設施而專門設計的新一代電源系統，相比傳統54V電源，在系統效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優勢，可支持AI算力100-1000倍的提升。

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