英飛凌就其GaN相關的美國專利對英諾賽科提起訴訟，目前正在尋求永久禁令!

3月14日英飛凌官網發布消息稱英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)將通過其子公司英飛凌科技奧地利股份有限公司(Infineon Technologies Austria AG)對英諾賽科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.)和英諾賽科美國公司(Innoscience America, Inc.)及其附屬子公司提起訴訟。該訴訟目前已向加利福尼亞州北區地方法院提起。

英諾賽科是一家國內氮化鎵(GaN)IDM企業，全球首家實現8英寸硅基氮化鎵(GaN)量產。根據Trendforce去年數據，其在氮化鎵(GaN)功率半導體器件市場營收排名第三。2023年2月，公司宣布年出貨量達5億顆，市占率達30%。另外據路透社報道，英諾賽科計劃今年在香港進行IPO，預計融資3億美元。

英飛凌方面稱，其為了防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術相關的美國專利收到侵犯，目前正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導體器件的核心方面，其中包括可實現英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創新。

英飛凌聲稱英諾賽科侵犯了上述提及的英飛凌專利，其行為包括在美國制造、使用、銷售、提供銷售和/或進口各種產品，包括用于多種應用的氮化鎵(GaN)晶體管，涵蓋汽車、數據中心、太陽能、電機驅動、消費電子以及用于汽車、工業和商業應用的相關產品。

英飛凌功率與傳感器系統部總裁 Adam White對此表示，為了保證所有客戶和終端用戶的利益，英飛凌將大力保護其知識產權。數十年來，英飛凌一直投資于與氮化鎵(GaN)技術相關的研發、產品開發和制造專業知識。英飛凌將繼續捍衛其知識產權并保護其投資。

值得一提的是，去年10月份，英飛凌宣布完成了對氮化鎵系統公司(GaN Systems Inc.)的收購。目前英飛凌已經擁有350個氮化鎵(GaN)相關的同族專利。此次提起訴訟的專利或許正是來自于去年的收購。

而此次被起訴的英諾賽科也不是頭一次遇到專利訴訟。早在去年，另一家氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)也曾向加州地區法院以及美國國際貿易委員會提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了其四項專利。這些專利涵蓋了 EPC 專有的增強型氮化鎵(GaN)功率半導體器件的設計和大批量制造工藝的核心方面。

不過，英諾賽科方面否認了這些說法，并發布了一則聲明對方沒有事實根據。此次陷入與英飛凌的氮化鎵(GaN)專利官司，可能會對其上市進程有所影響。

其實在諸如科技、半導體等技術密集型行業中，專利糾紛并不少見。在技術日益復雜以及供應鏈全球化的趨勢下，專利糾紛更加難以避免。高通和蘋果、英偉達和三星都曾有過專利糾紛。此前高通指控蘋果侵犯了其多項專利。雙方最終達成和解，簽署了為期6年的全球專利許可協議。而英偉達和三星專利訴訟案最終也以雙方交叉授權專利和解告終。

而此次英飛凌起訴英諾賽科最終走向如何，還有待更多消息披露。

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審核編輯 黃宇