作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com）

隨著中國芯GaN產品上市，引起了大家的關注，PD產品更是多姿多彩；納微GaN產品和英諾賽科GaN產品有什么區別？本文我們就做一些比對；幫助大家清晰的了解GaN產品。

1．從氮化鎵GaN產品的名稱上對比

如下圖所示，產品GaN標示圖。納微：GaNFast? Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET 是GaN 功率管；

2.從氮化鎵GaN產品結構上對比

如下圖所示，納微GaN產品結構，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；電容電阻和LV GaNFET組成內部電路；而英諾賽科 GaN產品 對應與納微GaN器件中的 HV GaNFET部分；

納微GaN 組成部分 英諾賽科GaN產品

3.其氮化鎵GaN產品特點

納微GaN產品為單片集成GaN 功率IC；GaNFET IC集成了：GaN FET (650V； Rds：110-560 mΩ)＋ GaN 驅動器＋GaN 邏輯電路，如下圖；

納微GaN產品和英諾賽科GaN產品都屬于E-Mode方式；

納微GaN產品型號：NV6113、NV6115、NV6117、NV6125、NV6127、NV6252

英諾賽科GaN產品型號：INN650D01、INN650D02

4. 氮化鎵GaN產品參數對比

如下表所示，英諾賽科GaN產品型號INN650D02 對標 納微GaN產品型號NV6125；其內阻和Qoss，Coss電容值都比較接近；封裝上略大一些；

5.氮化鎵GaN產品應用電路

5.1 從上內容可以看，由于英諾賽科GaN產品是： E-Mode GaN FET，查看其規格書參數；

英諾賽科的GaN產品的Vgs開通閾值電壓為1.7V，建議的驅動電壓為5.5V-6.5V，通常選取的電壓為6V。

通常使用控制IC，需要將控制輸出電壓轉換為6V，英諾賽科GaN產品需要外部驅動轉換電路；

有兩種方式轉換：

（5.1.1）使用電阻電容分壓電路

以QR電路結構，控制芯片NCP1342應用電路；NCP1342 DRV高電平輸出（12V） R3、R4、C1構成的分壓電路，Cgs電容較小，很快被充電至Vgsth值，C1電容值推薦680pF至1nF之間。

（5.1.2）使用驅動IC

以QR電路結構，控制芯片NCP1342應用電路；驅動IC FAN3111E;需要VCC1通過穩壓電路到VCC2 給FAN3111E供電；當VCC2值設置為6V時，輸出電壓也為6V，輸出信號IN+電壓值不能超過VCC2值，需要R5/R7進行分壓。C4的工作是減小由于輸入端寄生電容導致的驅動信號失真。

5.2 納微GaN應用電路圖，由于內置驅動電路，所以外圍簡潔

實際應用電路圖PCB 部分截圖所示；

以QR電路結構，控制芯片NCP1342應用電路；納微產品內部集成了驅動電路，將NCP1342輸出PWM信號轉換成內部驅動GaNFET的驅動信號。外圍器件數量少，設計簡單；

6.氮化鎵GaN產品應用電路BOM列表對比

從下表中可以看到各產品外圍應用電路元器件個數；

7.氮化鎵GaN產品應用電路的優劣勢

9.氮化鎵GaN產品 驅動電路外置和內置的區別