近日，江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項目傳來新進展。

據(jù)新華網(wǎng)報道，英諾賽科氮化鎵項目預(yù)計今年11月底實現(xiàn)通線試產(chǎn)，明年4月正式投產(chǎn)。

此外，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，項目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標。

據(jù)了解，今年9月，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。

據(jù)當時的英諾賽科表示，該項目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、封裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿產(chǎn)后將實現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。

英諾賽科于2015年底成立，是一家硅基氮化鎵功率器件制造商。據(jù)此前集微網(wǎng)報道，英諾賽科已經(jīng)和下游的幾家封裝企業(yè)建立合作關(guān)系，并與上海、江蘇、浙江上游端的IC設(shè)計公司等密切合作，尤其在快充領(lǐng)域，英諾賽科“InnoGaN”氮化鎵功率器件已被魅族、努比亞、ROCK、飛頻、Lapo等多個品牌采用。
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