英諾賽科,這家成立于2015年12月的高新技術企業,近日傳出計劃今年內在香港進行IPO的消息,預計融資規模將達到3億美元。
作為第三代半導體硅基氮化鎵領域的佼佼者,英諾賽科采用IDM全產業鏈模式,將芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析等多個環節融為一體,展現出強大的綜合實力。
值得一提的是,公司還擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力,進一步鞏固了其在行業內的領先地位。此次計劃在香港進行IPO,不僅為公司的未來發展提供了強大的資金支持,也將為其在國際舞臺上展示更多的可能性。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54010瀏覽量
466157 -
半導體
+關注
關注
339文章
30737瀏覽量
264212 -
英諾賽科
+關注
關注
3文章
58瀏覽量
10983
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
6.6kW GaN OBC來襲!聯合動力攜手英諾賽科,有何殺手锏重塑車充新標桿?
近日,國內功率半導體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日,中國智能電動汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯合動力系統股份有限公司與英
安森美聯手英諾賽科!中低壓GaN器件滲透加速
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)12月3日,安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄,雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機會,
納芯微與聯合電子、英諾賽科簽署戰略合作協議
近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱:納芯微)、聯合汽車電子有限公司(以下簡稱:聯合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱:英
慕尼黑法院判決英飛凌控告英諾賽科專利侵權案勝訴
)控告英諾賽科(Innoscience)關于氮化鎵(GaN)技術專利侵權的一審判決中,判定英飛凌勝訴。該案的核心是英
英諾賽科與聯合電子成立 GaN 技術聯合實驗室
近日,氮化鎵領域的領軍企業英諾賽科與全球領先的汽車電子系統供應商聯合電子宣布,雙方攜手成立氮化鎵(GaN)技術聯合實驗室。這一合作旨在充分發揮氮化鎵器件在高功率密度、低導通電阻、高轉換
54%關稅之后,我們才看懂ST和英諾賽科這場GaN合作的真正價值
制造成本被再次推上臺面。 對于高度依賴全球制造網絡的半導體行業而言,這一輪政策調整不僅抬高了成本,也將“在哪里制造”成為影響定價結構與交付路徑的核心變量。 ?就在政策正式公布前三天,意法半導體(以下簡稱“ST”)與英諾
英諾賽科產能再擴張:年底8英寸晶圓月產將破2萬片
近日,氮化鎵行業的領軍企業英諾賽科正式對外宣布,將進一步擴大其 8 英寸晶圓的產能。這一消息在半導體領域引發了廣泛關注,標志著
7月直播預告 | 英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技與您相約大大通直播間
大大通直播專區攜手英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技等原廠,推出5場精彩線上直播,為您帶來最新技術分享與行業洞察。
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,助力智能電網高效發展
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,以其高效、節能的特性,為智能電網提供突破性支持。
該方案采用AC-DC無橋圖騰柱PFC拓撲,設計緊湊,支持
意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議 借力雙方制造產能
科在中國的制造產能。 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司 意法半導體 (簡稱ST)與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領軍企業 英諾賽
GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年營收超8.2億,車規GaN猛增9倍
電子發燒友原創 章鷹 3月28日,功率半導體廠商英諾賽科發布2024年業績報告,本年度營收達到8.285億元,同比增長39.8%。作為全球首家大規模量產8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業,
EPC專利被判決無效,英諾賽科獲ITC案件終極勝利
2025 年3月19日 - 英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(香港聯交所代碼:2577)是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)芯片制造及電源解決方案企業。 今日,
發表于 03-19 13:57
?1565次閱讀
英諾賽科或將赴港上市
評論