據悉，主營氮化鎵的半導體晶圓片及芯片研發商英諾賽科（蘇州）科技有限公司在去年2月完成近30億元D輪融資，由鈦信資本領投，毅達資本、孩童創新、賽富高鵬、中比基金、招證投資等機構跟投。英諾賽科及關聯公司目前有230余件專利申請，其專利布局主要集中于氮化鎵、功率器件相關領域。

近日，在深圳福田會展中心舉辦的電源展會上，英諾賽科帶來的全線的氮化鎵產品亮相。高壓器件從650V提升到700V，并且升級了40V/100V/150V平臺。針對消費類、服務器、儲能和汽車這些氮化鎵的潛在應用市場，英諾賽科有哪些市場趨勢前瞻和亮點產品。英諾賽科產品應用總監鄒艷波發表了精彩的市場前瞻和產品矩陣介紹。

從消費電子、服務器到汽車領域，氮化鎵全系列產品展示

作為第三代半導體的核心材料之一，氮化鎵（GaN）主要有三個特性——開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。其運行速度比舊式傳統硅(Si)技術能快了一百倍，用于尖端快速充電器產品時，可以實現遠遠超過現有產品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。氮化鎵可幫助設備提高能效并降低系統成本，可用于消費產品和工業級應用，如服務器、電信基礎設施、無線充電、音頻、適配器以及充電器等。

在英諾賽科的展位上，記者看到英諾賽科技展出的Solid GaN 合封產品 100V高集成半橋氮化鎵芯片ISG3201, 650V的半橋氮化鎵芯片 ISG6252等，這些芯片能夠簡化外圍電路，大幅度降低驅動回路和功率回路的寄生電感，減少占板面積（vs Si），讓系統效率更高，并有效降低溫升。

此外，行業首創的雙向導通產品VGaN系列，采WLCSP 封裝，能夠實現以一替二（Si），并成功導入到oppo/realme等手機主板，節省手機PCBA空間，降低手機充電溫度。

在數據中心服務器領域，英諾賽科還展示了鈦金級2kW PSU電源和4kW PFC電源，超高功率密度420W/600W/1kW的DCDC模塊電源；在汽車電子領域，英諾賽科展示了應用氮化鎵芯片的首諾信PD車載充電器產品，激光雷達、2.4 kW 48V雙向DCDC電源模塊、1kW 電機驅動、150W車載/筆電車充等方案，助力低碳出行。

構建氮化鎵器件成本優勢 應用從消費電子向數據中心和汽車擴展

英諾賽科產品應用總監鄒艷波表示，氮化鎵能夠助推能源電子往高頻、低碳、集成化方向不斷發展，為數字化與碳中和時代賦能。

據悉，英諾賽科8英寸晶圓產線于2019年開始大規模生產，2021年，這家公司成為全球最大的8英寸硅基GaN量產的企業。目前，其珠海基地氮化鎵晶圓產能達到4000片/月，蘇州基地產能達到6000片/月，合計供應超過全球50%以上氮化鎵產能。

“英諾賽科一直在布局氮化鎵芯片的成本競爭力。我們基于8英寸晶圓的先進平臺，單片晶圓器件數量增加80%，單器件成本下降30%。英諾賽科在蘇州和珠海的產能合計每月產能可以達到1萬片以上。基于英諾賽科的成本優勢，在去年整體行情不好的情況下，我們的8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。” 鄒艷波表示。

數字化浪潮的發展離不開數據中心的支撐，但是數據中心的能耗比較大，預計到2030年數據中心的耗電量將達到3000TWhr。相當于全球能耗的10%。 高功率密度服務器成為了建設高密度數據中心的關鍵，“數據中心和汽車領域會成為氮化鎵的下一個爆發點，這些環節都是氮化鎵能夠施展其優勢的地方。”鄒艷波指出。

圖：英諾賽科在數據中心的全系列產品

要想滿足未來社會對數據中心的功率需求，我們需要的不僅是數據中心供電架構的變革，還需要核心材料的迭代。 因此，基于GaN開發的下一代數據中心供電系統將是大勢所趨。英諾賽科設計了全鏈路GaN解決方案，涵蓋AC-DC（PFC）、DC-DC（400V-48V）、DC-DC（48V-12V）、DC-DC（12V-1V），為數據中心實現更高的效率、更高功率密度、更高的動態響應而助力。

在電動汽車應用領域，英諾賽科珠海工廠已通過汽車認證，預計將在2024年生產用于汽車應用的8英寸硅基GaN器件。

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