?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。

?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產能。

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。

根據協議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃，并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用的光明前景。此外，根據協議約定，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產能生產其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標是依托這種靈活的供應鏈布局，拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性，從而滿足更廣泛的應用場景下的各種客戶需求。

意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發揮IDM這一模式的優勢，為全球客戶創造價值。一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術部署，進一步完善現有的硅和碳化硅產品組合；另一方面，意法半導體也將通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶。”

英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。英諾賽科率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領域市場。我們對于與意法半導體達成戰略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力于開發下一代氮化鎵技術。”

氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉換、運動控制與驅動系統樹立了性能新標桿，可顯著降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數據中心、工業電源與光伏逆變器領域迅速普及，并因其顯著的輕量化優勢，被積極應用于下一代電動汽車動力系統設計中。

關于英諾賽科

英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼：02577.HK）是全球氮化鎵工藝創新與功率器件制造領導者。英諾賽科的器件設計與性能樹立了全球氮化鎵技術標桿，持續迭代創新的企業文化將加速氮化鎵性能提升與市場普及。公司的氮化鎵產品廣泛應用于低壓、中壓和高壓產品領域，涵蓋了從 15V至1200V的氮化鎵工藝節點。公司的晶圓、分立器件、集成功率集成電路（IC）以及模組產品為客戶提供了強勁可靠的氮化鎵（GaN）解決方案。憑借800項已授權及申請中的專利布局，英諾賽科產品以高可靠性、性能與功能優勢，服務于消費電子、汽車電子、數據中心、可再生能源及工業電源領域，開創氮化鎵技術的光明未來。 點擊這里，訪問英諾賽科公司網站