大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標(biāo)示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:00
27189 
近日，在深圳福田會展中心舉辦的電源展會上，英諾賽科帶來的全線的氮化鎵產(chǎn)品亮相。高壓器件從650V提升到700V，并且升級了40V/100V/150V平臺。針對消費(fèi)類、服務(wù)器、儲能和汽車這些氮化鎵
2023-03-24 09:10:2510260 
9月，英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動氮化鎵功率
2024-10-25 11:25:362337 
報披露，英諾賽科營收增長，主要是氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拓展，從數(shù)據(jù)來看在氮化鎵（GaN）市場拓展和成本控制上都有了進(jìn)展。
2025-09-14 22:16:518759 
近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目，總
2021-04-04 08:39:006568 2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè)，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，在
2021-06-08 07:31:007005 科，在第三代半導(dǎo)體市場快速起量的近幾年發(fā)展如何呢？ ? 三年?duì)I收超7 億，虧損累計67 億 英諾賽科在招股書中表示，公司是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的
2024-06-17 00:11:005217 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式，就是擴(kuò)大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續(xù)擴(kuò)大晶圓尺寸仍面臨很多問題，不過對于比如碳化硅、氮化鎵
2024-09-23 07:53:007413 
IPO，英諾賽科擬募資13.999億港元。 ? 氮化鎵全球第一，虧損幅度逐年收窄 英諾賽科是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。其產(chǎn)品包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、
2024-12-30 00:11:007884 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日，功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績報告，本年度營收達(dá)到8.285億元，同比增長39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科集團(tuán)憑借
2025-04-01 01:20:004221 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件方案。 圖：英諾賽科展臺新品和氮化鎵晶圓 電子
2025-04-21 09:10:422408 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機(jī)會，基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝，探索擴(kuò)大
2025-12-04 07:42:0010991 近日，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日，中國智能電動汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司與英諾賽科，共同宣布采用650V氮化鎵的新一代6.6KW OBC系統(tǒng)在長安汽車順利裝車，為車載電源技術(shù)樹立了新典范。
2025-12-24 00:56:008030 
成熟。2023年2月，我國首顆6英寸氧化鎵單晶被成功制備，中國電科46所成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，達(dá)到國際最高
2023-03-15 11:09:59
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充電器6、AUKEY傲基27W氮化鎵充電器7、AUKEY傲基61W氮化鎵充電器8、AUKEY傲基65W氮化鎵充電器9、AUKEY傲基100W氮化鎵充電器10、amc 65W氮化鎵充電器11、Aohai奧海
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
晶圓低得多的成本。更重要的是，行業(yè)發(fā)展已為硅基氮化鎵在商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)、庫存維護(hù)、適應(yīng)需求激增等方面打下了堅實(shí)的基礎(chǔ)，緩解了供應(yīng)短缺的擔(dān)憂。只要碳化硅基氮化鎵繼續(xù)依賴耗時、高成本的制造工藝，這種擔(dān)擾就將
2017-08-15 17:47:34
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
內(nèi)的波長標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業(yè)基站成為主流應(yīng)用的前景。相比之下，一個8英寸硅晶圓廠幾周的產(chǎn)能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個射頻和微波行業(yè)一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
我國首條大尺寸等離子屏幕生產(chǎn)線已全面量產(chǎn)
長虹公司21日宣布，我國首條擁有自主產(chǎn)權(quán)的42英寸以上等離子屏幕生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)，這標(biāo)志著我國彩電業(yè)徹底告
2010-01-22 10:19:061083 Douglas Sparks博士在發(fā)言中介紹，罕王微電子投資建設(shè)的中國首條也是唯一一條專注于MEMS的8英寸大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線已經(jīng)成功投入運(yùn)營。通過此前對Maxim（美信）公司MEMS傳感器業(yè)務(wù)
2017-11-16 17:06:464163 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 從硅晶圓到8英寸晶圓代工報價調(diào)漲，世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴(kuò)增氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，已有國際IDM大廠看好電動車產(chǎn)業(yè)后市，預(yù)先包下世界先進(jìn)GaN產(chǎn)能，明年中GaN產(chǎn)出將快速放量，成為全球首座8英寸GaN代工廠。
2018-06-29 16:02:005707 與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體功耗，并且很重要的是能夠擴(kuò)展至高頻率應(yīng)用。同時
2018-11-10 11:29:249762 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176874 近日，在深圳會展中心舉辦的深圳國際電子展上，英諾賽科（珠海）科技有限公司市場銷售副總裁參加“2018（冬季）中國USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇”分享了“8英寸硅基氮化鎵在快充應(yīng)用的機(jī)會和挑戰(zhàn)”主題演講。
2018-12-26 10:32:454065 司擁有國際先進(jìn)的德國愛思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，公司已實(shí)現(xiàn)6英寸650伏硅基氮化鎵外延片的量產(chǎn)，并發(fā)布了比肩世界先進(jìn)水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品。
2019-08-28 15:00:3317963 英諾賽科主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等，產(chǎn)品覆蓋面為全球氮化鎵企業(yè)之首。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵功率與射頻器件量產(chǎn)線，使公司產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優(yōu)勢。
2020-09-22 15:36:232079 9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時也標(biāo)志著中國半導(dǎo)體創(chuàng)新史
2020-09-27 10:06:464332 華潤微的歷史可追溯至香港華科電子公司。1983年，華潤集團(tuán)與原四機(jī)部、七機(jī)部、外經(jīng)貿(mào)部聯(lián)合在香港設(shè)立微電子企業(yè)——香港華科電子公司，建立中國首條4英寸晶圓生產(chǎn)線。
2020-09-30 15:05:456451 近日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時也標(biāo)志著中國半導(dǎo)體創(chuàng)新史步入一個新紀(jì)元。
2020-10-21 10:30:243072 此外，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，項(xiàng)目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)。
2020-11-05 09:41:534981 2021中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會暨中國IC 風(fēng)云榜頒獎典禮在北京舉辦。英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）榮獲2021中國IC風(fēng)云榜“年度獨(dú)角獸獎”。
2021-01-19 10:24:045220 2021年1月21日，英諾賽科科技有限公司和ASML公司達(dá)成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機(jī)的協(xié)議，用于制造先進(jìn)的硅基氮化鎵功率器件。
2021-01-22 09:26:503015 ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。
2021-01-22 14:08:161156 全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵集成器件制造商英諾賽科科技有限公司和光刻機(jī)制造廠商ASML近期達(dá)成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機(jī)的合作協(xié)議。ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。
2021-02-01 15:33:534118 目前世界500強(qiáng)正威集團(tuán)計劃投資53億，在陽邏建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)70萬片8英寸SOI晶圓片和30萬片12英寸SOI晶圓片。
2022-01-23 09:56:331905 近年來，一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來，雙方將合作攻克氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等一系列挑戰(zhàn)，讓優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域，一起為未來科技充電！
2022-04-22 16:55:192948 中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來，雙方將攜手克服氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等等一系列挑戰(zhàn)
2022-04-25 16:30:232414 
芯采購設(shè)備并開始在8英寸產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)硅基氮化鎵量產(chǎn)。與傳統(tǒng)GaN-on-SiC等技術(shù)路線相比，硅基氮化鎵選用的襯底成本與可及性有顯著優(yōu)勢，GaN外延生長缺陷也顯著降低。
2022-10-21 15:33:231691 氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。
2023-02-05 12:48:1527982 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場快速滲透，長期在基站、服務(wù)器、新能源汽車等諸多場景也將具有一定的增長潛力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，具有快速的開關(guān)速度，更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
宏禧科技現(xiàn)已建成一條12英寸硅基Micro OLED 微型顯示器生產(chǎn)線，是國內(nèi)甚至國際上為數(shù)不多的幾條12英寸硅基Micro OLED 微型顯示器生產(chǎn)線。
2023-02-10 12:41:461609 硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 13:52:271619 硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件具有擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、零
2023-02-12 14:30:283191 硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵是一種新型復(fù)合材料，它是由硅和氮化鎵結(jié)合而成的，具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性和抗拉強(qiáng)度，可以用于制造功率器件和襯底，如電子元件、電子器件和電子零件等。它具有低溫制備、低成本、低污染等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化鎵是一種由硅和氮化鎵組成的復(fù)合材料，它具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。此外，硅基氮化鎵還可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案，打造大功率高端當(dāng)前，高功率快充標(biāo)配在市場上受到不少關(guān)注，不久前努比亞為其新品紅魔游戲手機(jī)標(biāo)配的正是120W快充方案（內(nèi)置InnoGaNINN650D02
2022-04-18 16:51:291448 
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:291033 GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:362158 
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用
將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。
2023-11-22 15:27:561480 12月6日，致力于高性能Micro-LED技術(shù)開發(fā)的西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“賽富樂斯”），對外宣布首條硅基Micro-LED微顯示屏產(chǎn)線正式貫通。
2023-12-08 09:17:471986 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結(jié)合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點(diǎn)
2024-01-10 10:14:582335 公司（Innoscience America, Inc）及其關(guān)聯(lián)公司（以下簡稱：英諾賽科）提起訴訟。英飛凌正在就其侵犯英飛凌擁有的一項(xiàng)與氮化鎵（GaN）技術(shù)有關(guān)的美國專利尋求永久禁令。該專利權(quán)利要求涉及氮化鎵功率半導(dǎo)
2024-03-14 18:04:211529 , Ltd.)和英諾賽科美國公司(Innoscience America, Inc.)及其附屬子公司提起訴訟。該訴訟目前已向加利福尼亞州北區(qū)地方法院提起。 英諾賽科是一家國內(nèi)氮化鎵(GaN)IDM企業(yè)，全球首
2024-03-21 11:00:361246 
英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請，標(biāo)志著這家全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。
2024-06-15 09:50:031456 在半導(dǎo)體行業(yè)的快速變革中，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司以卓越的氮化鎵產(chǎn)品，已發(fā)展成為全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。近期發(fā)布的招股書數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科不僅在多個應(yīng)用領(lǐng)域獲得了客戶的廣泛認(rèn)可
2024-07-08 12:53:04785 諾賽科）在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上，追加了新的訴訟請求，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的專利。此外，英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會（USITC）起訴，就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出法律索賠。 ? 英飛凌正在尋求美國專利侵權(quán)永久禁令
2024-07-29 13:41:52751 全球首條6英寸Micro LED量產(chǎn)產(chǎn)線在珠海正式投產(chǎn)！京東方華燦Micro LED晶圓制造和封裝測試基地項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在珠海金灣區(qū)舉行。該項(xiàng)目是全球首個實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?b class="flag-6" style="color: red">量產(chǎn)的Micro LED生產(chǎn)線，也是
2024-11-10 13:43:431589 ，已成為推動功率半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)型升級的核心力量。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)憑借其深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和前瞻性的戰(zhàn)略布局，成功躋身行業(yè)領(lǐng)先地位。作為公認(rèn)的頭部企業(yè)，英諾賽科在功率半導(dǎo)
2024-12-25 13:49:05923 近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生，為行業(yè)樹立了新的里程碑。 英諾賽科作為一家
2025-01-02 14:36:301522 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141125 1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358 2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯(lián)交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片制造及電源解決方案企業(yè)。 今日，英諾賽科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 科在中國的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 （簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽科 ，共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各
2025-04-01 10:06:023811 
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。
英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢和四相交錯Buck
2025-05-12 14:00:001145 
4顆英諾賽科合封氮化鎵器件ISG6121TD，峰值效率高達(dá)99.03%。其逆變測試效率也達(dá)到了98.95%，在節(jié)能表現(xiàn)上遙遙領(lǐng)先。
2025-06-23 10:34:002706 
關(guān)系 ，正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計將使用位于臺灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn) 8 英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，在技術(shù)和產(chǎn)能方面一直處于行業(yè)領(lǐng)先地位。目前，其每月的 8 英寸晶圓產(chǎn)能已達(dá)到 13000 片，而根據(jù)最新的擴(kuò)張計劃，到今年年底，這一數(shù)字將提升至 20000 片，增幅高達(dá)
2025-07-17 17:10:59678 近日，氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與全球領(lǐng)先的汽車電子系統(tǒng)供應(yīng)商聯(lián)合電子宣布，雙方攜手成立氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這一合作旨在充分發(fā)揮氮化鎵器件在高功率密度、低導(dǎo)通電阻、高轉(zhuǎn)換效率以及產(chǎn)品
2025-07-31 17:14:13887 
）控告英諾賽科（Innoscience）關(guān)于氮化鎵（GaN）技術(shù)專利侵權(quán)的一審判決中，判定英飛凌勝訴。該案的核心是英諾賽科未經(jīng)授權(quán)使用了英飛凌受專利保護(hù)的氮化鎵（GaN，以下同）技術(shù)。氮化鎵技術(shù)在實(shí)現(xiàn)高性能及高能效的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，應(yīng)用范圍廣泛涵蓋可再生能源系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化以及電動
2025-08-04 18:28:251668 、全國首條工藝設(shè)備配套齊全的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注。 據(jù)悉，華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目由安徽華鑫微納集成電路有限公司投資建設(shè)，總建設(shè)投資達(dá)50.6億元，占地約79畝，總建筑面積約6萬平方米，定位
2025-10-16 18:25:022136 與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一? Allegro ，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商 英諾賽科? (Innoscience)? 宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的? 4.2kW 全 GaN 參考設(shè)計 ，該設(shè)計采用了 Allegro 的先進(jìn)柵極驅(qū)動器技術(shù)和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創(chuàng)新解決方案有望重新定
2025-11-25 16:28:32923 
安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美
2025-12-11 17:47:04656
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