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安森美半導(dǎo)體推出新系列100V溝槽型LVFR

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2025-09-24 10:39:48916

Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141109

Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630

安森美如何推動(dòng)具身智能機(jī)器人發(fā)展

安森美為機(jī)器人應(yīng)用提供關(guān)鍵的感知和電源產(chǎn)品,比如HyperluxTM系列圖像傳感器(包含用于機(jī)器人視覺系統(tǒng)的高分辨率iToF 深度成像解決方案),以及可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)電機(jī)控制的創(chuàng)新的MOSFET 技術(shù)和智能電子保險(xiǎn)絲。
2025-09-04 10:06:492526

安森美邀您相約PCIM Asia 2025

為了縮短電動(dòng)汽車的充電時(shí)間,業(yè)界正在轉(zhuǎn)向直流快速充電樁(DCFC)和超快速充電樁。安森美100kW直流超快充電模塊(DCFC)采用先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)與液冷散熱系統(tǒng),兼具卓越性能、超高效率與寬電壓范圍,可匹配電動(dòng)汽車行業(yè)不斷發(fā)展的充電需求。
2025-09-04 10:01:14661

安森美PCIM Asia 2025亮點(diǎn)前瞻

PCIM Asia 2025即將火熱開啟,從汽車電動(dòng)化的澎湃動(dòng)力到工業(yè)場景的智能高效,再到AI數(shù)據(jù)中心穩(wěn)定供電,安森美(onsemi)帶著創(chuàng)新技術(shù)陣容強(qiáng)勢來襲。
2025-08-28 11:30:492039

新潔能推出增強(qiáng)N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527

友尚推出基于安森美半導(dǎo)體NCP1618/NCP1655與UJ4C075060K3S的≧500W主動(dòng)式PFC效率優(yōu)化方案(上篇)

著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,友尚電子推出了一款基于安森美半導(dǎo)體NCP1618或NCP1655控制器與SiC Cascode JFET(UJ4C075060K3S)的≧500W主動(dòng)式PFC效率優(yōu)化方案。該方案旨在通過創(chuàng)新設(shè)計(jì),顯著提升PFC功率級的效率與熱性能,同時(shí)保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性與簡潔性。
2025-08-11 17:41:00640

安森美為小米的YU7電動(dòng)SUV系列提供產(chǎn)品和技術(shù)支持

安森美 為小米 的YU7 電動(dòng) SUV 系列 提供 產(chǎn)品和技術(shù)支持 ? 安森美EliteSiC 技術(shù)使車輛的續(xù)航里程超越同級別車型 ? ? ? ? ? ? ? 安森美(onsemi ,美國納斯達(dá)克
2025-08-05 18:08:371996

基于MD1213的脈沖生成電路無法產(chǎn)生需要的信號,應(yīng)該如何提供±100V電壓。

如圖所示,該電路是基于MD1213和TC6320的脈沖產(chǎn)生器,目標(biāo)是產(chǎn)生2.5MHz、±100V的激勵(lì)信號,用于驅(qū)動(dòng)超聲換能器進(jìn)行超聲檢測。 目前已經(jīng)對電路進(jìn)行了很多測試和修改,現(xiàn)在只剩一個(gè)
2025-08-04 13:33:00

安森美與舍弗勒擴(kuò)大合作加速電動(dòng)汽車創(chuàng)新

產(chǎn)品系列安森美的解決方案將整合進(jìn)舍弗勒的主驅(qū)逆變器,用于一家全球領(lǐng)先汽車制造商的先進(jìn)插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)平臺。
2025-08-04 10:31:531038

臺階儀在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用 | 精準(zhǔn)監(jiān)測溝槽刻蝕工藝的臺階高度

半導(dǎo)體制造中,溝槽刻蝕工藝的臺階高度直接影響器件性能。臺階儀作為接觸式表面形貌測量核心設(shè)備,通過精準(zhǔn)監(jiān)測溝槽刻蝕形成的臺階參數(shù)(如臺階高度、表面粗糙度),為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845

深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

100V耐壓80V60V48V降壓12V5V3.3V/3A大電流車載音響驅(qū)動(dòng)H6216L

H6216L 是惠海半導(dǎo)體推出的一款高耐壓降壓恒壓芯片。根據(jù)惠海半導(dǎo)體官網(wǎng)信息,其相關(guān)參數(shù)如下: 封裝形式:ESOP-8。 耐壓值:100V。 輸出電流:3A。 靜態(tài)功耗:≤150mW。 輸出電壓
2025-07-23 11:36:01

支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性價(jià)比高效率穩(wěn)定

。 惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS
2025-07-10 14:03:45

DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS管同步整流芯片

DK5V100R10VN是一款簡單高效率的同步整流芯片。芯片內(nèi)部集成了100V功率NMOS管,可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗,提高整機(jī)效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二極管
2025-07-05 15:53:440

ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能

近期,ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源,尤其是在需要電池保護(hù)的場合。隨著
2025-07-03 10:23:21859

AP3P10MI 永源微100V p溝道增強(qiáng)模式MOSFET

描述AP3P10MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON),低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ @ V GS =-10V應(yīng)用程序電池保護(hù)負(fù)荷開關(guān)不間斷電源
2025-06-30 09:46:490

安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)

隨著電氣化浪潮席卷全球,人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長,使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列,將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。
2025-06-24 15:20:251373

安森美解讀圖像傳感器在機(jī)器人和自動(dòng)化領(lǐng)域的影響力

安森美擁有豐富的 Hyperlux 圖像傳感器系列,可滿足工業(yè)機(jī)器人的多樣化需求。
2025-06-17 17:13:321141

安森美:不會(huì)因關(guān)稅而專門調(diào)整產(chǎn)能和布局

近期,安森美(onsemi)首席執(zhí)行官兼總裁哈桑·埃爾-庫里(Hassane El-Khoury)來華與中國貿(mào)促會(huì)展開交流訪談,并受邀出席世界半導(dǎo)體理事會(huì)會(huì)議期間,接受了財(cái)新專訪,特別闡述了在當(dāng)
2025-06-16 19:17:111074

類比半導(dǎo)體推出支持-0.3V-40V共模的車規(guī)級雙向通用電流檢測放大器

類比半導(dǎo)體(AnalogySemi)推出支持高側(cè)或者低側(cè)通用電流檢測放大器,其通常用于優(yōu)化系統(tǒng)精密電流測量或者電流環(huán)路控制電路。該系列產(chǎn)品供電電壓范圍2.7V-5.5V,-0.3V-40V輸入共模
2025-06-13 10:36:101771

羅姆發(fā)布高效能100V功率MOSFET,助力AI服務(wù)器電源管理升級

近日,羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET,專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計(jì)。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性,滿足日益增長的人工智能計(jì)算需求。根據(jù)羅姆的介紹
2025-06-11 10:35:57903

安森美出席世界半導(dǎo)體理事會(huì)會(huì)議

安森美(onsemi) 首席執(zhí)行官哈桑·埃爾-庫里(Hassane El-Khoury) 受邀參加題為”汽車智能化的引擎:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與未來十年”的專題圓桌討論。該環(huán)節(jié)由中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍主持,匯聚了來自包括中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、比亞迪汽車新技術(shù)研究院等行業(yè)領(lǐng)袖,共同探討智能出行的未來路
2025-05-23 19:35:301018

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

華太半導(dǎo)體100V高耐壓LDO線性穩(wěn)壓器HT5709

咨詢請看首頁產(chǎn)品概述:華太半導(dǎo)體推出一款具有極高耐壓的性線性穩(wěn)壓器(Linear Regulator)HT5709,它的封裝具有超強(qiáng)導(dǎo)熱性,能夠承受持續(xù)或瞬態(tài)輸入DC電壓高達(dá)100V。HT5709
2025-05-20 11:25:49

安森美WebDesigner+設(shè)計(jì)工具使用心得

安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿收官,本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與,通過實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具,共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。之前推文已分享過用
2025-05-16 15:19:00776

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018

基于安森美MOSFET的12V EPS系統(tǒng)解決方案

汽車行業(yè)競爭激烈,節(jié)奏飛快,只有快速適應(yīng)和持續(xù)創(chuàng)新才能讓企業(yè)立于不敗之地。在本成功案例中,安森美(onsemi)深入理解并解決客戶痛點(diǎn),及時(shí)快速向客戶交付了適用于其12 V 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)的創(chuàng)新解決方案。
2025-04-25 13:40:061024

安森美在自主移動(dòng)機(jī)器人領(lǐng)域的發(fā)展成果

在4月初落幕的“OFweek 2025(第十四屆)中國機(jī)器人產(chǎn)業(yè)大會(huì)”上,安森美(onsemi)AMG戰(zhàn)略業(yè)務(wù)拓展高級經(jīng)理Henry Yang發(fā)表“從芯片到應(yīng)用:安森美自主移動(dòng)機(jī)器人(AMR)技術(shù)方案剖析”主題演講,為與會(huì)觀眾介紹安森美在AMR領(lǐng)域的發(fā)展成果。
2025-04-24 10:01:45998

使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲能系統(tǒng)設(shè)計(jì)

安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿收官,本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與,通過實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具,共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。之前推文已分享過用
2025-04-17 09:07:13731

安森美終止收購Allegro 此前安森美為什么要收購Allegro MicroSystems?

美國芯片制造商安森美(Onsemi)周一終止了以 69 億美元收購規(guī)模較小的競爭對手 Allegro MicroSystems 的報(bào)價(jià),結(jié)束了長達(dá)數(shù)月的競購,安森美希望利用市場低迷來擴(kuò)大其在汽車行業(yè)
2025-04-15 18:27:581885

使用安森美WebDesigner+設(shè)計(jì)工具的120W DC-DC隔離電源設(shè)計(jì)

安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿收官,本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與,通過實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具,共同挖掘其在設(shè)計(jì)中的潛力。我們將陸續(xù)發(fā)布用戶提交的試用報(bào)告,今天分享的試用報(bào)告主題是設(shè)計(jì)一款120W的DC-DC隔離電源。
2025-04-11 09:46:07718

安森美最新消息:安森美中國區(qū)汽車解決方案負(fù)責(zé)人吳桐博士出任I.S.I.G.中國區(qū)主席

I.S.I.G. (國際半導(dǎo)體行業(yè)集團(tuán))近日宣布, 安森美(onsemi)中國區(qū)汽車解決方案負(fù)責(zé)人吳桐博士正式宣布擔(dān)任I.S.I.G.中國區(qū)主席 。這一任命在3月25日舉辦的 “I.S.I.G.中國
2025-03-31 19:24:041281

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列
2025-03-19 14:31:281103

先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的主站嗎

雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站,但它可以用來做主站嗎,還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43

安森美推出首款飛行時(shí)間傳感器HyperluxID系列

安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)推出其首款實(shí)時(shí)、間接飛行時(shí)間(iToF)傳感器HyperluxID 系列,可對快速移動(dòng)物體進(jìn)行高精度長距離測量和三維成像。
2025-03-12 16:41:361167

安森美收購Allegro被拒絕 500億(69億美元)并購泡湯

數(shù)小時(shí)前,路透社報(bào)道, 傳感器芯片制造商Allegro Microsystems拒絕了半導(dǎo)體巨頭安森美69億美元現(xiàn)金(約合500億人民幣)的收購要約,理由稱該要約“不夠充分”(inadequate
2025-03-06 18:26:061234

確認(rèn)!Allegro未通過安森美65億美元收購提議

電子發(fā)燒友網(wǎng)3月6日報(bào)道 ??Allegro今日在官網(wǎng)發(fā)文確認(rèn),其已收到安森美半導(dǎo)體公司主動(dòng)提出的收購提議,擬于2025年2月12日以每股35.10美元的價(jià)格現(xiàn)金收購 Allegro。(按目前
2025-03-06 16:44:202646

DCDC降壓100V耐壓芯片 SL3041,輸出可調(diào) 3A電流,替換LM2576HV

在電源管理芯片的領(lǐng)域中,滿足高電壓輸入、靈活輸出以及強(qiáng)大電流驅(qū)動(dòng)的需求至關(guān)重要。當(dāng)您的項(xiàng)目需要一款能在復(fù)雜電源環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)作的芯片時(shí),DCDC 降壓 100V 耐壓芯片 SL3041,憑借其出色
2025-02-26 16:46:52

安森美新型SiC模塊評估板概述

碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力,安森美(onsemi)推出了一系列評估板,速來一起探索。
2025-02-25 15:24:03856

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成,由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211049

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成,由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40907

PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:44:040

PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:42:090

安森美2024年Q4及全年業(yè)績亮眼

安森美半導(dǎo)體近日公布了其2024年第四季度及全年的財(cái)務(wù)業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示,該公司在第四季度實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健的營收和利潤增長。 具體來說,安森美第四季度的收入為17.225億美元。在毛利率方面,公司按照公認(rèn)會(huì)計(jì)
2025-02-14 10:10:55788

溝槽SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。其中,溝槽SiC
2025-02-02 13:49:001994

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991

安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271022

LT8418: 100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch Data Sheet adi

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8418: 100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch Data
2025-01-15 18:56:39

安森美高效電機(jī)架構(gòu)與解決方案

排放的要求力度不斷加大,因此,通過實(shí)施新穎的控制算法、利用新型的、更高效的電機(jī)架構(gòu),以及結(jié)合現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)來提高效率變得越來越重要。本文將為您介紹電機(jī)的應(yīng)用與市場,以及由安森美(onsemi)推出的相關(guān)解決方案。
2025-01-15 10:16:272307

瑞薩電子推出新100V 高功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957

安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬美元的價(jià)格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項(xiàng)交易受到業(yè)界
2025-01-08 11:40:431228

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。
2025-01-07 10:18:48916

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