安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術的收購
安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。
SiC JFET技術的加入將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能(AI)數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求。在電動汽車應用中，用基于SiC JFET的固態斷路器替代多個組件，有助于提高能效和安全性。在工業終端市場，SiC JFET將支持某些儲能拓撲和固態斷路器應用。
“此次收購進一步加強了安森美在功率半導體領域的領導地位，我們會為客戶提供顛覆性和市場領先的技術，以解決他們在人工智能數據中心、汽車和工業市場中最緊迫的功率密度和效率提升難題，”安森美電源方案事業群總裁兼總經理Simon Keeton說，“我們將持續創新和投資，以提供更全面的電力系統解決方案，鞏固我們在這一技術領域的領先地位?！?/p>
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
安森美
+關注
關注
33文章
1897瀏覽量
95504 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3443瀏覽量
52175 -
Qorvo
+關注
關注
17文章
726瀏覽量
80512
原文標題：安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術的收購
文章出處：【微信號：onsemi-china，微信公眾號：安森美】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
安森美650V碳化硅MOSFET：NTH4L075N065SC1的技術剖析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析
在電源管理和功率轉換領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）的NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET。
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應用分析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現出色。今天，我們就來詳細解析這款
安森美NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊：高性能電源解決方案
在電源模塊領域，碳化硅（SiC）技術憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊，為太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電站
安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析
作為電子工程師，我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120
碳化硅肖特基二極管：NDSH20120C-F155的技術剖析
在電力電子領域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數和應用。
安森美SiC Combo JFET的靜態特性和動態特性
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性
安森美SiC Combo JFET技術概覽和產品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性
除了安森美CREE等還有哪些在美國境內流片的SiC碳化硅器件品牌
根據搜索結果，除了安森美（onsemi）、CREE（Wolfspeed）和Microchip之外，以下品牌在美國境內涉及碳化硅（SiC）器件流片或代工合作，X-FAB作為美國境內的SiC代工廠，其
安森美SiC JFET共源共柵結構詳解
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第
?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？
，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。 表1 硅器件（Si）與碳化硅
發表于 03-12 11:31
?957次閱讀
國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業的業務動態，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產能競賽：頭部企業構建護城河
碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者
本文作者：Brandon Becker，安森美（onsemi）電源解決方案事業部 (PSG) 營銷經理 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT
工商網監
評論