隨著新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)與電池管理（BMS）對(duì)高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導(dǎo)體技術(shù)正面臨新一輪革新。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出新一代150V G3平臺(tái)屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產(chǎn)品— LSGT15R032。該產(chǎn)品憑借3.25mΩ的超低導(dǎo)通電阻與279A的強(qiáng)大電流能力，成為高端BMS、電驅(qū)及DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域的性能新標(biāo)桿。

產(chǎn)品核心參數(shù)

產(chǎn)品核心特點(diǎn)

1極致低阻設(shè)計(jì)，能效全面躍升

采用先進(jìn)的G3代屏蔽柵溝槽技術(shù)，在150V電壓等級(jí)下實(shí)現(xiàn)了3.25mΩ的業(yè)界領(lǐng)先導(dǎo)通電阻，較上一代G2平臺(tái)產(chǎn)品（4.0mΩ）顯著降低。這意味著在相同電流下的導(dǎo)通損耗大幅減少，直接提升系統(tǒng)整體效率，并降低溫升。

2超強(qiáng)電流承載，功率輸出澎湃

在25°C殼溫下，連續(xù)漏極電流高達(dá)279A，脈沖電流能力更達(dá)到1116A。強(qiáng)大的電流處理能力使其能夠從容應(yīng)對(duì)電驅(qū)啟動(dòng)、BMS主回路開關(guān)等場(chǎng)景中的瞬時(shí)大電流沖擊，系統(tǒng)可靠性與魯棒性倍增。

3卓越堅(jiān)固性能，穩(wěn)定可靠運(yùn)行

產(chǎn)品保證100%雪崩能量（EAS）測(cè)試，額定雪崩能量高達(dá)1600mJ，具備優(yōu)異的抗反向恢復(fù)和短路能力。TOLL封裝提供了極低的0.26°C/W結(jié)到殼熱阻，確保芯片熱量能夠快速導(dǎo)出，滿足高可靠性應(yīng)用要求。

4精準(zhǔn)聚焦應(yīng)用，性能量身定制

此產(chǎn)品專為對(duì)靜態(tài)損耗和通態(tài)能力要求嚴(yán)苛的BMS（電池管理系統(tǒng)）與電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域優(yōu)化。相較于前一代(G2)產(chǎn)品，在靜態(tài)性能上優(yōu)勢(shì)明顯。

注：數(shù)據(jù)來源于龍騰實(shí)驗(yàn)室實(shí)測(cè)

產(chǎn)品典型應(yīng)用

BMS

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

DC-DC轉(zhuǎn)換器

同步整流SR

不間斷電源UPS