龍騰半導體推出新一代150V G3平臺SGT MOSFET產品LSGT15R032
隨著新能源汽車電驅系統與電池管理（BMS）對高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導體技術正面臨新一輪革新。為應對市場對更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰半導體正式推出新一代150V G3平臺屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產品— LSGT15R032。該產品憑借3.25mΩ的超低導通電阻與279A的強大電流能力，成為高端BMS、電驅及DC-DC轉換應用領域的性能新標桿。
產品核心參數
| 關鍵參數 | 規格指標 | 備注/條件 |
| 型號 | LSGT15R032 | / |
| 技術平臺 |
G3 SGT (屏蔽柵溝槽) |
新一代平臺 |
|
擊穿電壓 (VDSS) |
150V | / |
|
導通電阻 (RDS(on)) |
典型值2.7mΩ 最大值3.25mΩ |
@VGS=10V ID=50A TJ=25°C |
|
連續漏極電流 (ID) |
279 A 硅能力極限 TC=25°C |
封裝極限電流 300A |
| 封裝形式 | TOLL |
優異的散熱與 功率密度 |
產品核心特點
1極致低阻設計，能效全面躍升
采用先進的G3代屏蔽柵溝槽技術，在150V電壓等級下實現了3.25mΩ的業界領先導通電阻，較上一代G2平臺產品（4.0mΩ）顯著降低。這意味著在相同電流下的導通損耗大幅減少，直接提升系統整體效率，并降低溫升。
2超強電流承載，功率輸出澎湃
在25°C殼溫下，連續漏極電流高達279A，脈沖電流能力更達到1116A。強大的電流處理能力使其能夠從容應對電驅啟動、BMS主回路開關等場景中的瞬時大電流沖擊，系統可靠性與魯棒性倍增。
3卓越堅固性能，穩定可靠運行
產品保證100%雪崩能量（EAS）測試，額定雪崩能量高達1600mJ，具備優異的抗反向恢復和短路能力。TOLL封裝提供了極低的0.26°C/W結到殼熱阻，確保芯片熱量能夠快速導出，滿足高可靠性應用要求。
4精準聚焦應用，性能量身定制
此產品專為對靜態損耗和通態能力要求嚴苛的BMS（電池管理系統）與電機驅動領域優化。相較于前一代(G2)產品，在靜態性能上優勢明顯。
注：數據來源于龍騰實驗室實測
產品典型應用
BMS
電機驅動
DC-DC轉換器
同步整流SR
不間斷電源UPS
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原文標題：突破功率密度極限：龍騰半導體發布150V G3平臺SGT新品
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