近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等領域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲逆變器等領域的650V/40mΩ系列產品。其中650V/40mΩ系列產品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級下實現了更高性能表現。這一系列新品將顯著提升終端應用的系統效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領域實現更高效、更經濟的功率器件解決方案。

表1 新一代碳化硅MOSFET參數列表

與國際競品開關損耗對比

圖1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET與國際競品開關損耗對比

開關損耗 Eoff/Etotal 在常溫和高溫下均優于W*/O*國際競品，高溫下Eon與國際競品W*接近。

圖2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET與國際競品開關損耗對比

開關損耗Eoff/Eon/Etotal 在常溫和高溫下表現優異，與W*/S*國際競品接近。

在產品交付形態上，基本半導體提供裸芯片和晶圓兩種形式之外，在封裝方面針對不同應用場景進行了全面布局：1200V/13.5mΩ產品提供TO-247-3和TO-247-4封裝；1200V/40mΩ產品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封裝；650V/40mΩ產品則提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多種封裝選擇，為新一代高功率密度、低成本應用開發提供了更為完善的解決方案。

表2 新一代碳化硅MOSFET產品封裝形式

在產品可靠性方面，基本半導體建立了嚴格的閉環開發體系，所有產品均通過車規級以上的關鍵可靠性項目驗證：

高溫反偏HTRB：Tj=175℃，VDS=100%BV，1000H，PASS

高溫高濕反偏H3TRB：TA=85℃/85%RH，VDS=80%BV，1000H，PASS

高溫柵極偏壓HTGB+：Tj=175℃；VGS=22V，1000H，PASS

高溫柵極偏壓HTGB-：Tj=175℃；VGS=-10V，1000H，PASS

封裝特性

TO-263-7：貼片封裝，體積小巧。源極引腳采用特殊設計，電氣性能優異，有效降低損耗與噪聲。

HSOP8：薄小外形設計，多引腳小間距布局，配備散熱結構，展現卓越電氣性能。

TOLL：無引腳設計，體積小巧，電氣性能好。具有低封裝電阻和寄生電感特性。底部散熱設計可支持大電流應用。

TOLT：頂部散熱結構，提供更高的熱可靠性，特別適合對熱管理要求嚴苛的應用場景。

應用領域

1200V 13.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車主驅逆變器、PCS、APF

1200V 40mΩ分立器件及模塊：光伏發電、儲能系統、充電樁、電焊機、新能源汽車OBC及汽車空調壓縮機

750V10.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車主驅逆變器、新能源汽車OBC及DCDC變換器

650V 40mΩ分立器件：AI算力電源、微型逆變器、通訊電源、儲能系統

基本半導體此次推出的碳化硅MOSFET系列新品在導通電阻、開關損耗、熱阻等核心參數上已達到行業先進水平。通過持續的技術創新和工藝優化，基本半導體致力于為客戶提供更優性能、更高可靠性的功率半導體解決方案。未來，公司將持續加大研發投入，不斷突破技術邊界，與合作伙伴攜手共進，推動清潔能源技術發展，為構建高效、可持續的能源體系貢獻力量。

關于基本半導體

深圳基本半導體股份有限公司是中國第三代半導體創新企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心團隊由來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學等國內外知名高校及研究機構的博士組成。

基本半導體掌握碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于電動汽車、風光儲能、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。

基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業，承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發及產業化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心。