隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。

與使用第7代場(chǎng)截止（FS7） IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實(shí)現(xiàn)比市場(chǎng)上其他領(lǐng)先解決方案更低的整體系統(tǒng)成本。這些IPM改進(jìn)了熱性能、降低了功耗，支持快速開(kāi)關(guān)速度，非常適用于三相變頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，如AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、伺服電機(jī)、機(jī)器人、變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）以及工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)等應(yīng)用中的電子換向（EC）電機(jī)。這些優(yōu)勢(shì)使得EliteSiC SPM 31 IPM在工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)，特別是在需要高能效和高功率密度的場(chǎng)景中。

安森美的EliteSiC SPM 31智能功率模塊 (IPM) 系列在技術(shù)上有以下幾個(gè)關(guān)鍵亮點(diǎn)：

1. 高能效和功率密度：基于1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，提供超高能效和功率密度，降低整體系統(tǒng)成本。

2. 緊湊封裝：在超緊湊的封裝尺寸中實(shí)現(xiàn)高性能，適用于三相變頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

3. 廣泛應(yīng)用：適用于AI數(shù)據(jù)中心、熱泵、商用暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、伺服電機(jī)、機(jī)器人、變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）以及工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)等。

4. 改進(jìn)的熱性能和功耗：支持快速開(kāi)關(guān)速度，改進(jìn)熱性能，降低功耗。

5. 多種額定電流：提供從40A到70A的多種額定電流，形成廣泛可擴(kuò)展、靈活的集成功率模塊解決方案。

6. 全集成設(shè)計(jì)：包括3路獨(dú)立的上橋柵極驅(qū)動(dòng)IC、下橋驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路 (LVIC)、六個(gè)EliteSiC MOSFET和一個(gè)溫度傳感器，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并縮小電路板尺寸。

7. 高效能運(yùn)行：在70%負(fù)載時(shí)的功率損耗顯著降低，提升能效，減少溫室氣體排放。

8. 安全性和保護(hù)：內(nèi)置欠壓保護(hù)（UVP）、獲得UL認(rèn)證、單接地電源提供更好的安全性和設(shè)備保護(hù)。

安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM)已經(jīng)入圍維科杯·OFweek 2025中國(guó)工業(yè)自動(dòng)化與數(shù)字化行業(yè)優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選，期待您的投票，為功率產(chǎn)品創(chuàng)新助力。