国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

英飛凌推出首款100V車規級晶體管,推動汽車領域氮化鎵(GaN)技術創新

工程師 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:英飛凌 ? 2025-11-05 14:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列,繼續朝著成為GaN技術領導企業的目標邁進,并進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。

英飛凌CoolGaN? 100V G1車規級晶體管


英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1系列車規級晶體管,并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品,包括CoolGaN?高壓(HV)車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的需求而持續提供創新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統的新型100V GaN晶體管,到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產品解決方案。

英飛凌科技GaN業務線負責人Johannes Schoiswohl表示:“通過將GaN功率技術引入快速發展的軟件定義汽車和電動汽車市場,英飛凌將進一步鞏固其在汽車半導體解決方案領域的全球領先優勢。此次推出100V GaN車規級晶體管解決方案和即將擴展的高壓產品組合,是我們開發高能效、高可靠性的車規級功率晶體管進程中的重要里程碑。”

汽車領域的諸多功能,如高級駕駛輔助系統(ADAS)、新型氣候控制系統及車載信息娛樂系統,需要更高的功率和更高效的功率轉換解決方案,同時還要盡可能降低對電池的損耗。因此,市場對緊湊型高能效的電源解決方案的需求日益增長,而半導體材料GaN正好為這類方案提供了有力支持。相比傳統的硅基器件,GaN功率器件能實現更小的尺寸、提供更高的能效,同時降低系統成本。

尤其在軟件定義汽車從12V向48V系統轉型的過程中,基于GaN的功率轉換系統不僅能提升性能,還可支持線控轉向、實時底盤控制等先進功能,極大改善駕乘舒適性與操控性。英飛凌新款CoolGaN? 100V晶體管系列憑借高能效和小尺寸優勢,非常適用于區域控制和主DC-DC轉換器、高性能輔助系統及D類音頻放大器等應用場景。

英飛凌將持續擴展其車規級GaN半導體解決方案產品組合,進一步推動GaN技術在汽車領域的應用。

供貨情況

英飛凌新型CoolGaN? 100V G1車規級晶體管現已上市。

英飛凌現提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品,包括CoolGaN?高壓車規級晶體管及多種雙向開關。


關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    68

    文章

    2429

    瀏覽量

    142200
  • 晶體管
    +關注

    關注

    78

    文章

    10188

    瀏覽量

    145871
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    66

    文章

    1847

    瀏覽量

    119133
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2311

    瀏覽量

    79104
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化功率晶體管G5

    新品第五代CoolGaN650-700V氮化功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化
    的頭像 發表于 11-03 18:18 ?1345次閱讀
    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>G5

    英飛凌進軍車GaN,適用48V系統

    電子發燒友網綜合報道 ?近日,英飛凌推出首符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車
    的頭像 發表于 10-24 09:12 ?8766次閱讀

    瑞薩電子推出650伏氮化場效應晶體管推動高效電源轉換技術

    在電源轉換技術不斷進步的背景下,瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三新型650伏氮化場效應
    的頭像 發表于 07-14 10:17 ?3084次閱讀
    瑞薩電子<b class='flag-5'>推出</b>650伏<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>,<b class='flag-5'>推動</b>高效電源轉換<b class='flag-5'>技術</b>

    英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

    英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首集成肖特基二極的工業用氮化
    的頭像 發表于 05-21 10:00 ?690次閱讀

    英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管推動全行業標準化進程

    的 CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管。 ?
    發表于 03-03 15:50 ?3613次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3<b class='flag-5'>晶體管</b>, <b class='flag-5'>推動</b>全行業標準化進程

    氮化晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

    。 ? 目的 ?:本手冊詳細闡述了氮化GaN晶體管并聯設計的具體細節,旨在幫助設計者優化系統性能。 二、氮化
    的頭像 發表于 02-27 18:26 ?954次閱讀

    技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化GaN) 功率

    LMG2100R026 器件是一 93V 連續、100V 脈沖、53A 半橋功率,集成了柵極驅動器和增強型氮化
    的頭像 發表于 02-21 17:17 ?935次閱讀
    <b class='flag-5'>技術</b>資料#LMG2100R026 <b class='flag-5'>100V</b> 2.6mΩ 半橋<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (<b class='flag-5'>GaN</b>) 功率<b class='flag-5'>級</b>

    TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計

    LMG2100R044 器件是一 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率,集成了柵極驅動器和增強型氮化
    的頭像 發表于 02-21 09:28 ?939次閱讀

    TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

    LMG2100R044 器件是一 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率,集成了柵極驅動器和增強型氮化
    的頭像 發表于 02-21 09:19 ?838次閱讀
    TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 <b class='flag-5'>100V</b> 4.4m? 半橋 <b class='flag-5'>GaN</b> FET

    突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化晶體管重磅登場!

    ?在科技飛速發展的當下,電子元件的創新成為推動領域進步的關鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化
    的頭像 發表于 02-18 16:47 ?869次閱讀
    突破電力效能邊界:ZN70C1R460D <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>晶體管</b>重磅登場!

    Nexperia共源共柵氮化(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型

    電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
    發表于 02-13 15:23 ?6次下載
    Nexperia共源共柵<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>的高級SPICE模型

    氮化充電器和普通充電器有啥區別?

    直接導致了消費GaN充電器價格偏高,目前市面上的氮化充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進來,相信技術會越來越成熟,成本下降
    發表于 01-15 16:41

    日本開發出用于垂直晶體管的8英寸氮化單晶晶圓

    1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化GaN)單晶晶圓。 據介紹,與使用采
    的頭像 發表于 01-09 18:18 ?1260次閱讀

    英飛凌全新一代氮化產品重磅發布,電壓覆蓋700V

    呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化領域,再次推動氮化
    的頭像 發表于 12-06 01:02 ?1278次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>全新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產品重磅發布,電壓覆蓋700<b class='flag-5'>V</b>!

    英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化功率分立器件

    英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管,該系列進一步豐富了英飛凌氮化
    的頭像 發表于 11-28 01:00 ?785次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>高效率、高功率密度的新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率分立器件