SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 ，2019年12月提升為開發制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關人士表示：SK海力士首席執
2019-12-07 00:53:004758 4D NAND，基于先進的制程工藝，將無形的給其他SSD品牌廠競爭壓力。 SK海力士發言人表示：SK海力士的新SSD是為尋求運行多媒體和要求苛刻的PC游戲等終端應用客戶提供高性能首選解決方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 Western Digital和Kioxia宣布成功開發了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優勢的產品？
2016-09-12 13:40:252173 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內存傳明年開始量產，韓聯社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 09:06:351594 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 在三星、東芝存儲器（TMC）、西部數據、美光、SK海力士等3D技術快速發展的推動下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 是超一流的。 PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產的96層堆疊4DTLCNAND閃存顆粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向讀取密集型
2020-04-08 10:11:536532 SK海力士發布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 根據南韓媒體 《Business Korea》 報道，南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內的晶圓代工需求，在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業務之后
2020-11-11 10:12:403651 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 極紫外（EUV）光刻技術將DRAM技術擴展到10nm以下，以及將內存和邏輯芯片整合到同一個設備中，以應對不斷增加的工作負載。 SK海力士首席執行官李錫熙說：“我們正在改進DRAM和NAND各個領域的技術發展所需的材料和設計結構，并逐步解決可靠性問題。如果以此為基礎
2021-03-29 14:38:437477 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 DRAM產能再大，也難以滿足全球龐大的市場需求。因此，應該是技術層面的原因。技術才是高科技產業的核心競爭力。3D Flash目前技術在96層，但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
SK海力士雖然并未有擴產消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經在新加坡工廠量產，將在2021年推出基于該技術的新產品，SK
2022-01-26 08:35:58
。關鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進展。NAND同樣必須以良率在市場上競爭，加以十分
2018-12-24 14:28:00
循環設計的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創的這種半圓形 3D 浮柵單元結構，具有更大的編程 / 擦除窗口和斜率，且單元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，則在去年6月宣布了其關于4D NAND的進展。據相關
2020-03-19 14:04:57
2012年4月5日，中國上海 –Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）與SK海力士公司近日宣布結成戰略同盟，并針對嵌入式應用市場發布4x、3x、2x節點Spansion SLC NAND產品。基于雙方合作開發
2012-04-06 09:05:391094 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 14:15:111317 
據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續下滑
2018-07-16 09:48:00918 而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 隨著原廠3D技術的快速發展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數多）
2018-08-12 10:55:154453 ，同時恐激化各家原廠展開96層3D NAND技術競爭，然而市場更多的是關心NAND Flash價格走向將如何。
2018-08-22 16:25:462599 SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043820 市場。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲器因為工業4.0應用而快速成長，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應全球對3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否憑借新產品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩腳跟并爭取NAND閃存市場的主導權，倍加受人關注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進一步推出了48層的產品。
2019-01-28 11:21:2712546 SK海力士今年第一季財報和當初預期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術、調整生產線應對市場，預計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-26 17:40:414060 長江存儲在 2018 年成功研發32層3D NAND芯片后，進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功，并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，該公司已經在全世界率先成功研發出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 SK海力士宣布已向主要SSD（固態硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產品。
2019-07-25 15:08:544098 .據日經新聞報道，韓國內存大廠SK海力士今日表明，為了應對日本對韓國部分關鍵半導體材料的出口管制，該公司在2019年NAND型閃存產量將比2018年時減產15％。
2019-07-26 15:39:413080 由于 3D NAND 存儲器市場出現了供過于求的現象，制造商們不得不減產以穩定價格。
2019-07-30 14:29:393096 7月11日，業內傳出消息稱，SK海力士計劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業務。對此傳聞，英特爾向芯智訊進行了回應。
2019-08-06 15:16:014741 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 SK海力士日前宣布推出新一代企業級SSD固態硬盤，不過并沒有公布新品SSD的名稱，有限的信息為支持NVMe協議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 根據消息報道，韓國全球半導體制造商SK海力士將在2020年國際消費電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態硬盤，采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:124487 在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583 2 月 13 日訊，SK 海力士宣布，已經與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術授權協議，獲得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術的授權。
2020-02-15 16:39:071283 據證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:194475 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。 ? 據，SK海力士透露，該閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術
2020-12-14 15:55:321786 據路透社當地時間19日報道援引知情人士稱，英特爾正準備將NAND芯片業務，以近100億美元的價格，出售給SK海力士。若交易達成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內存市場的全球第二大廠商，并進一步縮小與行業領頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購Intel的NAND內存與儲存事業，以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規模的海外收購交易，超過三星
2020-10-21 17:26:322248 據國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業務！ SK海力士已在官網宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業務的消息，SK海力士在官網上表示，兩家公司已經簽署了相關
2020-10-23 11:05:152718 近日閃存芯片行業又現巨震，英特爾將自己的NAND閃存業務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業務出售給了SK海力士，業內嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 據報道，第三季度財報優于市場預期的SK海力士計劃在五年內將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調，決心通過從英特爾手中收購NAND業務，在NAND市場占據領先地位。
2020-11-05 12:17:422079 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 據了解，SK海力士半導體有限公司是全球第二大內存制造商，公司主要生產以D-RAM和NAND為主的半導體產品，自1983年建立以來，公司不斷發展創新，在2015年全球500強排名中,SK集團排名第57位，同時在2015世界半導體行業中排名第3位
2020-12-07 09:16:163194 繼美光后，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:233708 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布將旗下的NAND閃存業務以600億元的價格賣給了SK海力士公司，但是傲騰硬盤業務沒賣，基于3D Xpoint技術的傲騰是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技術已迎來新的戰局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業務
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現量產，領先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 4月26日新聞，DigiTimes援引韓國媒體報道稱，SK海力士正在推遲其位于中國大連的第二個3D NAND工廠的完工。據悉，這一決議是為了應對市場需求萎縮以及美國限制向中國出口先進晶圓廠工具。 但
2023-05-05 15:22:002870 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 去年，鎧俠與西數的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產 3D NAND 晶圓廠，提供額外產能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產能。
2024-02-18 16:06:59980 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據報道，由于SK海力士部分工程出現問題，英偉達所需的12層HBM3E內存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前，增加堆疊層數已經成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破，他們成功研發出了面向端側（On-Device）AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產品的推出，標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175 ）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291746 在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473 在半導體行業日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現其前瞻布局與技術創新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務（OSAT）大廠Amkor就硅中介層（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223 韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新，據韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作，并預計于次年第二季度正式開啟大規模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐，引領行業技術前沿。
2024-08-02 16:56:111743 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E，已穩坐行業領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄，為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內率先實現12層堆疊HBM3E的量產，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術領域的持續領先地位。這款新品不僅將HBM產品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應用所需的速度、容量及穩定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 和卓越的研發能力，已經提前開發出48GB 16層HBM3E產品。這一舉措不僅展現了SK海力士的技術實力，更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:201231 限的產能轉向更高端的產品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品，該產品在容量和層數上均達到了業界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 堅實基礎。 SK海力士的這一舉措，無疑將在全球半導體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內存作為業界領先的技術產品，其量產將有望推動整個半導體存儲行業的發展和進步。通過加速量產準備工作，SK海力士不僅展現了其在技術創新方面的實力，也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:241050 產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:551096 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續創新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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