SK海力士發布176層TLC 4D NAND閃存
根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。
SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術，數據傳輸速度提高了 33%，達到 1.6 Gbps。明年年中，SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動解決方案產品，并計劃推出消費者和企業 SSD 產品，進而擴大該產品的應用市場。
SK 海力士還計劃開發基于 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存，從而持續增強其在NAND閃存業務的競爭力。
IT之家曾報道，11月初，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存。這款 176 層 NAND 產品采用美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構。
美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產品相比，176 層 NAND 將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層 NAND 采用緊湊型設計，裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%。美光 176 層三層單元 （TLC） 3D NAND 已在美光新加坡晶圓制造工廠量產并向客戶交付，包括通過其英睿達 （Crucial） 消費級 SSD 產品線。美光將在 2021 日歷年推出基于該技術的更多新產品。
責任編輯：haq
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關注
關注
16文章
1898瀏覽量
117291 -
TLC
+關注
關注
0文章
139瀏覽量
52726 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
1007瀏覽量
41613
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構”，HBM和HBF技術加持！
據韓國經濟日報報道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協會）全球半導體大會上發表論文，提出了一種全新的存儲架構。據悉，該架構名為“H3（hybrid semiconductor
SK海力士HBS存儲技術，基于垂直導線扇出VFO封裝工藝
電子發燒友網綜合報道，據韓媒報道，存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發的這項HBS技術采用了創新的芯片堆疊方案。根據規劃，該技術
SK海力士發布未來存儲路線圖
電子發燒友網綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機端AI運行時間縮短47%！
電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK
強強合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術標準化
Sandisk閃迪公司（NASDAQ：SNDK）正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續創新，在NAND閃存（
SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術實力，引領著全球半導體
SK海力士HBM技術的發展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL榮庸發明日銅塔產業勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發明日紀念儀式”上，來自HBM開發部門的宋清基TL榮庸銅塔產業勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者
近年來，SK海力士屢獲創新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商，這些
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4
英偉達供應商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動；高帶寬內存(HBM)需求持續暴漲，這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業績數據顯示，在2025年第一季度
SK海力士強化HBM業務實力的戰略規劃
隨著人工智能技術的迅猛發展，作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實現了顯著的增長，為SK海力士在去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為，SK海力士的
SK海力士已完成收購英特爾NAND業務部門的第二（最終）階段交易
3 月 28 日消息，根據 SK 海力士向韓國金融監管機構 FSS 披露的文件，該企業已在當地時間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業務案的第二階段，交易正式完成。 這筆
SK海力士將關閉CIS圖像傳感器部門 轉向AI存儲器領域
3 月 6 日消息，綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道，SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
工商網監
評論