電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1。該產品具備全球領先的順序讀取性能與低功耗特性，專為端側AI進行優化；產品厚度減薄15%，適用于超薄旗艦智能手機。

SK海力士表示：“為了在移動設備上實現端側（On-device）AI的穩定運行，所搭載的NAND閃存解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負載優化的UFS 4.1產品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位。”

隨著端側AI的需求持續增長，終端設備的計算性能與電池效率之間的平衡日趨關鍵，超薄設計和低功耗特性已成為移動設備的行業標準。

順應這一趨勢，公司此次開發的新品較上一代基于238層NAND閃存的產品能效提升了7%。同時，成功產品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。

此外，該產品支持第四代UFS產品的順序讀取峰值，數據傳輸速率高達4300MB/s。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產品分別提升了15%與40%，達到現存UFS 4.1產品中全球領先水平。

通過該方式，能夠實時提供對端側AI所需的數據，顯著提升應用程序的運行效率與響應速度，從而有效增強用戶的實際性能體驗。

該產品提供512GB（千兆字節）和1TB（太字節）兩種容量規格。公司計劃于今年內向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產階段。

在新產品方面，近日SK海力士成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節）產品的客戶驗證，是基于CXL12.0標準的DRAM解決方案產品。

SK海力士表示：“將此產品應用于服務器系統，相較于現有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數據。該產品有望顯著降低客戶在構建并運營數據中心時所需的總體擁有成本。”

繼96GB產品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產品的驗證流程。該產品搭載第五代10納米級（1b）32Gb（千兆位）DDR5 DRAM，具備優越的性能功耗比。公司計劃盡早完成這一驗證，以完善CXL產品組合，從而在客戶需要時能夠及時供貨。

SK海力士截至2025年3月31日的2025財年第一季度財務報告顯示，公司2025財年第一季度結合并收入為17.6391萬億韓元，營業利潤為7.4405萬億韓元，凈利潤為8.1082萬億韓元。2025財年第一季度營業利潤率為42%，凈利潤率為46%。

公司本季度的收入和營業利潤是在繼前一季度創下歷史最高業績后，達到了第二高的業績水平。營業利潤率環比改善了1個百分點，增至42%，并以連續八個季度呈現出穩健上升趨勢。
SK海力士表示：“第一季度，受人工智能開發競爭加劇和庫存補充需求等影響，存儲器市場情況改善速度顯著快于預期。順應這一趨勢，公司擴大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產品的銷售。”