SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續創新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND）領域也不斷推進技術革新，強化競爭力。NAND產品的數據存儲量取決于單元1（cell）堆疊的高度，而提升堆疊層數正是競爭力的關鍵所在。

1單元（Cell）：半導體中最小的數據存儲單位。

本系列第四篇文章將聚焦SK海力士以壓倒性的技術實力，成功創造全球最高堆疊層數的321層NAND產品[相關報道]這一里程碑式成就，并深入探討背后支撐這一壯舉的“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）。

超高、超大容量 321層4D NAND的誕生

SK海力士在閃存領域的起步可追溯至約25年前。20世紀90年代末，SK海力士成功開發出8Mb（兆比特）NOR閃存2產品，直到21世紀初期，始終致力于該領域的技術研究。

2NOR閃存（NOR flash）：與NAND不同，NOR閃存采用存儲單元并聯的結構，具有讀取速度快、數據安全性高等優點，主要用于對可靠性要求較高的特殊應用場景，但存在擴展存儲容量難度大，寫入（存儲）速度較慢的局限性。

SK海力士憑借二十余年的技術積累與持續創新，穩步在NAND領域建立領先優勢

2002年，隨著市場趨勢逐漸向大容量存儲的NAND閃存傾斜，SK海力士果斷調整了業務方向。雖然較晚進入NAND市場，但公司以堅定的決心投入研發工作，并于2004年憑借512Mb NAND成功進軍該領域，僅用三年時間便躍升為全球銷售額第三的企業。

此后，SK海力士加快了拓展NAND的業務步伐。2007年，公司啟動了以NAND生產為核心的M11晶圓廠（Fab）建設；同年成功開發基于16Gb（千兆比特）NAND的24層多芯片封裝（MCP）；次年（2008年），公司又推出了32Gb NAND產品，持續夯實技術實力與業務基礎。

自2010年代中期以來，SK海力士開始重點研發將存儲單元像建高樓一樣垂直堆疊的3D和4D NAND技術。相較于在平面密集排列存儲單元的2D技術，3D NAND在容量、速度和穩定性方面具備明顯優勢。SK海力士不斷提升該領域的技術水平，于2017年成功開發出當時業內最高堆疊層數的72層3D NAND，并在2018年率先實現全球首款96層4D NAND的商業化突破。

4D NAND技術通過將外圍（Peri.）電路放置在存儲單元下方，有效減少了芯片的占用面積。其原理類似于將地面停車場改造成地下停車場，以實現空間利用效率的最大化。SK海力士在此基礎上不斷優化技術，先后突破了128層和238層的堆疊限制，并于2023年推出超高層數、超高容量的321層1Tb（太比特）4D NAND，于次年全面啟動量產[相關報道]進程。這款僅有指甲大小的芯片內部密集封裝了數千億個存儲單元，充分展現了SK海力士在NAND技術競爭中的領先優勢。

從SLC到QLC，不斷完善的NAND系列產品與“一個團隊”協作精神

SK海力士在NAND領域的競爭力同樣體現在存儲單元存儲技術的突破上。目前，提升NAND容量的方式主要有兩種：一是堆疊更多層數的存儲單元，二是增加單個存儲單元可存儲的信息量（bit，比特）。換言之，即使堆疊層數較低，只要能在單個存儲單元中存入更多數據，同樣可以打造出高容量的產品。

以“一個團隊”協作精神為指引，SK海力士成功推動堆疊技術與存儲單元擴容技術同步發展

為此，SK海力士系統性地推進了NAND存儲單元技術的演進，依次開發了在單個單元中的存儲最小單位：SLC（Single Level Cell，單層式儲存單元，1比特）、MLC（Multi Level Cell, 多層式儲存單元，2比特）、TLC（Triple Level Cell, 三階儲存單元，3比特）和QLC（Quadruple Level Cell, 四層式儲存單元，4比特），不斷提升NAND存儲單元結構的效率與性能。

公司的重要技術里程碑包括：2013年推出的64Gb MLC NAND、2017年發布的256Gb TLC 3D NAND、2019年研發成功的1Tb QLC 4D NAND等。通過這一系列創新，SK海力士實現了從高速SLC到高密度QLC的多元化產品布局，成功構建了覆蓋多樣化客戶需求的產品系列。

能夠順利完成這一系列技術突破的背后，源于貫穿整個組織的“一個團隊”協作精神。同步推進存儲單元堆疊技術與單元容量擴展技術的發展，是一項極具挑戰性的任務。

過去數年間，SK海力士的研發團隊不斷突破技術瓶頸，成功開發出最優元件。在設計3D與4D新型結構的同時融合TLC、QLC等關鍵存儲單元技術。前道工序團隊研發出精密的工藝技術，以確保數百層堆疊的存儲單元和高密度的存儲單元能夠順利生產；后道封裝團隊則建立起與新產品適配的封裝與測試技術，從而提升最終產品的可靠性。SK海力士成功實現321層堆疊技術以及 QLC NAND的重大突破，正是這種跨部門高效協作所帶來的成果。

超越NAND本身，以解決方案創新與"一個團隊"協作精神引領未來

NAND不僅以單一芯片形式銷售，還可通過集成軟件（SW）和固件（FW）等組件，以完整的系統解決方案（Solution）形式供應。SK海力士正基于自主技術力量，開發面向AI與適應大數據時代需求的基于NAND的解決方案產品，如UFS3和SSD等。

3UFS（Universal Flash Storage）：一種具有高速運行和低功耗特點的移動存儲設備規格。SK海力士已于今年5月全球首次開發出其4.1版本。

SK海力士構建起基于NAND的面向AI的存儲解決方案產品矩陣，持續開拓未來NAND市場的嶄新格局

值得一提的是，SK海力士于2024年開發了“ZUFS（Zoned UFS）4.0”，這是一款專為端側AI環境優化的高性能解決方案產品。該產品通過分區（Zoned）存儲技術，將具有相似特征的數據分區存儲管理，顯著提升了數據處理速度和運行效率，獲得業界高度評價。

在對存儲容量要求極高的AI服務器及數據中心市場，SK海力士同樣展現出強勁競爭力。繼2024年推出基于QLC實現61TB（太字節）超高容量的企業級固態硬盤（eSSD）PS1012后，公司目前正在開發基于321層4D NAND技術的244TB產品，以及更高容量級別的解決方案。此外，同樣是2024年發布的專為AI PC設計的消費級固態硬盤（cSSD）PCB01等產品也被寄予厚望，未來有望成為加速端側AI學習與推理的高性能存儲設備。

歷經數年，SK海力士逐步構建起涵蓋服務器、數據中心與端側設備在內的多場景面向AI的存儲器解決方案產品矩陣。而驅動這一切創新的核心動力，始終是“一個團隊”協作精神。為了打造完整的解決方案能力，必須實現芯片與軟件層面的深度協同開發：負責存儲的NAND開發團隊，與開發固件和軟件以把控芯片的解決方案團隊必須緊密配合，并結合最終用戶使用場景開展系統測試與性能優化工作。此外，與子公司Solidigm等伙伴的聯合協作，也成為推動公司實現技術跨越的重要因素。

SK海力士的技術革新步伐從未停歇。憑借“一個團隊”協作精神，公司已在321層4D NAND及其配套存儲設備領域建立起領先優勢。作為全方位面向AI的存儲器供應商，SK海力士將持續引領NAND市場的創新發展。