存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。

據，SK海力士透露，該閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術，堆疊層數達到了176層，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士將其稱之為“4D閃存”。

SK海力士預計相關產品明年年中上市，目前主控廠商已經在測試樣品，預計會在手機閃存領域首發，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續還會應用到消費級SSD和企業產品上。

另外，SK海力士已經表示，正在開發1Tb（128GB）容量的176層4D閃存。顯然，今后手機可以在更緊湊的空間內做到大容量ROM空間了。
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